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순차회로, 집적회로 및 순차회로의 구동 방법

  • 기술번호 : KST2015086856
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 순차회로, 집적회로 및 순차회로의 구동 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일면에 따른 순차회로는, 동작중에 저장된 상태 변수를 이용하여 새로운 상태 변수를 생성하는 조합 로직 및 상기 상태 변수를 상기 조합 로직으로 제공하고, 상기 새로운 상태 변수를 저장하는 비휘발성 메모리 소자를 포함하되, 상기 비휘발성 메모리 소자는 비휘발성 메모리와, 상기 동작중에 상기 비휘발성 메모리에 저장된 상기 상태 변수를 독출하여 상기 조합 로직으로 제공하는 읽기 회로와, 상기 비휘발성 메모리에 상기 새로운 상태 변수를 기입하는 쓰기 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.또한, 본 발명에 따른 순차회로, 집적회로는 순차회로, 집적회로에 사용되는 모든 메모리 소자를 비휘발성 메모리소자로 대치함으로써, 전원의 차단과 재인가시에 상태 변수의 대피 및 복원에 따른 복잡한 절차를 없애고 빠른 전원 차단과 전원 재인가가 가능한 것을 특징으로 한다.순차회로, 비휘발성 메모리
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G11C 16/30 (2006.01) G11C 16/06 (2006.01)
CPC G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080122874 (2008.12.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1341040-0000 (2013.12.06)
공개번호/일자 10-2010-0064440 (2010.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20131211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영우 대한민국 대전광역시 서구
2 김성남 대한민국 대전광역시 서구
3 박경 대한민국 대전광역시 서구
4 김성운 대한민국 충청남도 계룡시 장안로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0838583-41
2 청구범위 제출유예 안내서
Notification for Deferment of Submission of Claims
2008.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0132691-08
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0408112-87
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0408111-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066067-33
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0557684-60
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0951746-98
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0951747-33
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0199325-21
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0469879-67
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0469878-11
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0638443-31
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.10.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0921572-37
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0921575-74
17 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0788391-84
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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파이프라인 방식의 순차회로에 있어서,복수의 조합 로직; 및 상기 조합 로직과 교대로 배치되어 순차적으로 연결된 복수의 비휘발성 메모리를 포함하되, (상기 조합 로직 및 상기 비휘발성 메모리의 총수는 n개 이며 n은 2 이상의 자연수),i번째 (2 ≤ i ≤ n ; i는 자연수) 비휘발성 메모리는 동작중에 전원이 차단되고 다시 인가된 경우, 데이터의 대피 및 복원없이 상기 전원이 제거되기 직전에 저장한 데이터를 자신의 후단에 연결된 i+1번째 조합 로직으로 제공하고, 자신의 전단에 연결된 i-1번째 조합 로직으로부터 출력된 새로운 데이터를 입력받아 저장하되,상기 비휘발성 메모리는 플래쉬 메모리, 상변화 메모리, 자기 메모리, 저항성 메모리, 산화물저항형 메모리, 탄소나노튜브 메모리 및 유기 메모리 중 어느 하나인 것인 파이프라인 방식의 순차회로
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제7항에 있어서, 상기 i번째 비휘발성 메모리는 상기 저장한 데이터를 독출하여 자신의 후단에 연결된 i+1번째 조합 로직으로 제공하는 읽기 회로와,자신의 전단에 i-1번째 연결된 조합 로직으로부터 출력된 새로운 데이터를 상기 비휘발성 메모리에 기입하는 쓰기 회로를 포함하는 파이프라인 방식의 순차회로
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제8항에 있어서, 상기 쓰기 회로는클럭 신호에 동기되어 상기 비휘발성 메모리에 상기 새로운 데이터를 기입하는 파이프라인 방식의 순차회로
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제 8항에 있어서, 상기 쓰기 회로는 셋 또는 리셋 신호에 따라 상기 비휘발성 메모리에 데이터 초기값을 설정하는 파이프라인 방식의 순차회로
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제 7항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는래치, 플립플롭 및 레지스터 중 어느 하나를 구성하는파이프 라인 방식의 순차회로
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복수의 조합 로직 및 상기 조합 로직과 교대로 배치되어 순차적으로 연결된 복수의 비휘발성 메모리(상기 조합 로직 및 상기 비휘발성 메모리의 총수는 n개이며 n은 2 이상의 자연수)를 포함하는 파이프라인 방식의 순차회로의 구동 방법에 있어서, 동작중에 i번째 (1 ≤ i ≤ n ; i는 자연수) 비휘발성 메모리에 저장된 상태 변수에 따라 i+1 번째 조합 로직이 새로운 상태 변수를 출력하는 단계; 상기 새로운 상태 변수를 i+2번째 비휘발성 메모리에 저장하는 단계; 및동작 중에 전원이 차단되고 다시 인가된 경우, 상기 i번째 비휘발성 메모리 는 대피 및 복원없이 상기 전원이 제거되기 직전에 저장한 상태 변수를 자신의 후단에 연결된 i+1번째 조합 로직으로 제공하고, 자신의 전단에 연결된 i-1번째 조합 로직으로부터 출력된 새로운 상태 변수를 입력받아 저장하는 단계를 포함하는 파이프라인 방식의 순차회로의 구동 방법
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제 17항에 있어서, 상기 저장하는 단계는클럭 신호에 동기되어 상기 비휘발성 메모리에 기입하는 단계를 포함하는 파이프라인 방식의 순차회로의 구동 방법
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제 18항에 있어서,셋 또는 리셋 신호에 따라 상기 비휘발성 메모리에 상태 변수 초기값을 설정하는 단계를 더 포함하는 파이프 라인 방식의 순차회로의 구동 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT신성장동력핵심기술개발사업 초저전력 비동기 프로세서 개발