| 1 |
1
금속 전구체를 포함하는 코팅 용액을 이용하여 기판 상에 금속 산화막을 형성하는 단계; 및상기 금속 산화막의 전기 전도성을 제어하는 단계를 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 코팅 용액은 나노입자를 더 포함하고,상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는,상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체 및 상기 나노 입자의 함량을 조절하여 수행되는 금속 산화막 형성방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 나노 입자는 금속입자인 금속 산화막 형성방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는,상기 코팅 용액 내의 상기 금속 전구체의 함량을 조절하여 수행되는 금속 산화막 형성방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화막을 형성하는 단계는,상기 코팅 용액을 준비하는 단계;상기 기판 상에 상기 코팅 용액을 제공하여 상기 기판 상에 코팅층을 형성하는 단계; 및 상기 코팅층을 건조하는 단계를 포함하되,상기 금속 산화막의 상기 전기 전도성을 제어하는 단계는,상기 코팅층에 불순물을 도핑하는 단계를 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 불순물을 도핑하는 단계는,이온 주입 공정을 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 불순물은 수소, 불소, 질소, 인, 비소 및 붕소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 8 |
8
제 5 항에 있어서,상기 코팅층을 형성하는 단계는,잉크젯 프린팅, 스핀 코팅 또는 스크린 프린팅에 의해 수행되는 금속 산화막 형성방법
|
| 9 |
9
제 5 항에 있어서,상기 불순물을 도핑하는 단계는,온도 조절 단계를 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 10 |
10
제 5 항에 있어서,상기 코팅층을 초음파 또는 전자기파로 처리하는 단계를 더 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화막은 주석 산화물, 인듐 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물 및 텅스텐 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 금속 알콕사이드 및 금속 할라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 13 |
13
제 1 항에 있어서,상기 금속 전구체는 주석, 인듐, 티타늄, 아연 및 텅스텐 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 14 |
14
제 1 항에 있어서,상기 코팅 용액은 반응제를 더 포함하고,상기 반응제는 산, 염기 및 계면 활성제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
| 15 |
15
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화막은 복수의 층을 포함하는 금속 산화막 형성방법
|
