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금속 전극 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015086930
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 전극 제조 방법을 제공한다. 기판 상에 임프린팅 공정으로 예비 희생막 패턴을 형성하고, 예비 희생막 패턴을 식각하여 예비 희생막 패턴의 폭 보다 좁은 폭을 갖는 희생막 패턴을 형성하고, 희생막 패턴에 의하여 노출된 기판 상에 자가 조립 단일막(Self Assembled Monolayer) 패턴을 선택적으로 형성하고, 희생막 패턴을 제거하고, 자가 조립 단일막 패턴에 의하여 노출된 기판 상에 선택적으로 금속 전극을 형성한다. SAM, 나노 임프린팅, 금속 전극, 자가 조립 단일막
Int. CL C23C 16/44 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC C23C 16/0227(2013.01) C23C 16/0227(2013.01) C23C 16/0227(2013.01) C23C 16/0227(2013.01) C23C 16/0227(2013.01) C23C 16/0227(2013.01)
출원번호/일자 1020090126238 (2009.12.17)
출원인 한국전자통신연구원, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0069486 (2011.06.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 종로구
2 허진우 대한민국 서울특별시 성북구
3 정진욱 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0781886-90
2 보정요구서
Request for Amendment
2009.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0099243-82
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0819829-22
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1225207-19
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-1225208-65
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0323172-97
11 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0065820-43
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0037831-72
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0239199-06
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 임프린팅 공정으로 예비 희생막 패턴을 형성하는 것; 상기 예비 희생막 패턴을 식각하여 상기 예비 희생막 패턴의 폭 보다 좁은 폭을 갖는 희생막 패턴을 형성하는 것; 상기 희생막 패턴에 의하여 노출된 상기 기판 상에 자가 조립 단일막(Self Assembled Monolayer) 패턴을 선택적으로 형성하는 것; 상기 희생막 패턴을 제거하는 것; 및 상기 자가 조립 단일막 패턴에 의하여 노출된 상기 기판 상에 선택적으로 금속 전극을 형성하는 것을 포함하는 금속 전극 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 모바일 플렉시블 입출력 플랫폼