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기판 상에 소스 층을 형성하는 단계;상기 소스 층 상에 볼들을 형성하는 단계;상기 볼들로부터 노출되는 상기 소스 층 상에 금속 박막을 형성하는 단계; 및상기 볼들을 제거하여 상기 금속 박막으로부터 상기 소스 층을 노출하는 홀들을 형성하는 단계를 포함하는 치료 장치의 타겟 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 볼들의 형성 단계는, 콜로이드 리소그래피 공정을 포함하는 치료 장치의 타겟 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 볼들은 블록 공중합체 또는 양친성 계면 활성제 중 적어도 하나를 포함하는 치료 장치의 타겟 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 볼들은 알코올과 같은 휘발성 용매에 의해 제거되는 치료 장치의 타겟 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 소스 층은 실리콘, 유전체, 또는 탄소 박막 중 적어도 하나를 포함하는 치료 장치의 타겟 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 유전체는 금속 산화막, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함하는 치료 장치의 타겟 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 박막의 형성 단계는, 스퍼터링 공정 또는 전기도금 공정을 포함하는 치료 장치의 타겟 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 박막은 금, 은, 또는 구리 중에 적어도 하나를 포함하는 치료 장치의 타겟 제조방법
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기판;상기 기판 상에 형성된 소스 층; 및상기 소스 층을 국부적으로 노출하는 홀들을 갖는 금속 박막을 포함하는 타겟
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제 9 항에 있어서, 상기 금속 박막은 금, 은, 또는 구리 중 적어도 하나를 포함하는 타겟
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제 9 항에 있어서,상기 금속 박막의 상기 홀들은 1나노미터 내지 1마이크로미터의 크기를 갖는 타겟
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제 9 항에 있어서,상기 기판은 상기 소스 층 또는 상기 금속 박막을 아래로 노출하는 윈도우를 갖는 타겟
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제 9 항에 있어서,상기 윈도우는 상기 기판 내에 매트릭스 형태 또는 동심원으로 배열되는 타겟
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제 9 항에 있어서,상기 소스 층은 실리콘, 유전체, 또는 탄소 박막 중 적어도 하나를 포함하는 타겟
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제 14 항에 있어서,상기 유전체는 금속 산화막, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 포함하는 타겟
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제 14 항에 있어서,상기 탄소 박막은 그래핀, 탄소 나노 튜브, 퓰러린 또는 흑연 중 적어도 하나를 포함하는 타겟
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레이저 빔을 제공하는 광원;상기 광원에서 제공되는 상기 레이저 빔의 입사 방향으로 형성된 가이딩 구조체; 및상기 가이딩 구조체에 고정되는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 소스 층과, 상기 소스 층을 국부적으로 노출하는 홀들을 갖는 금속 박막을 구비한 타겟을 포함하되,상기 금속 박막은 상기 홀들을 통과하는 상기 레이저 빔에 의해 상기 소스 층에서 생성되는 하전 입자를 표면 플라즈몬 공명 현상으로 가속시키는 치료 장치
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제 17 항에 있어서,상기 광원은 극초단파 레이저를 포함하는 치료 장치
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제 17 항에 있어서,상기 금속 박막의 상기 홀들은 1나노미터 내지 1마이크로미터의 크기를 갖는 치료 장치
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제 17 항에 있어서,상기 금속 박막은 금, 은, 또는 구리 중 적어도 하나를 포함하는 치료 장치
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