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누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로

  • 기술번호 : KST2015086979
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 스위치드 캐패시터 회로는, 샘플링 모드시 누설 전류가 흐르는 노드의 전압이 같아지도록 하여 누설 전류 자체를 원천적으로 차단하고, 증폭 모드시 누설 전류에 의한 전압 강하를 최소화하여 출력 신호에 오차가 거의 발생하지 않도록 구성된 것을 특징으로 한다. 누설 전류, 스위치드 캐패시터, 온 저항, 전압 강하
Int. CL H03F 3/70 (2006.01.01) H03H 19/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080099779 (2008.10.10)
출원인 한국전자통신연구원, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0992160-0000 (2010.10.29)
공개번호/일자 10-2010-0040581 (2010.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (20101105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노형동 대한민국 서울특별시 서초구
2 김형중 대한민국 서울특별시 관악구
3 노정진 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 김이경 대한민국 대전광역시 서구
5 권종기 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0708680-12
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0717717-13
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0004354-21
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0177950-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0415276-33
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0415257-76
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0477734-21
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 신호에 응답하여 제1 노드로부터 입력 전압을 입력받아 제2 노드로 출력하는 상보형으로 연결된 제1, 2 MOS 트랜지스터; 상기 제2 노드에 일측이 연결된 샘플링 캐패시터; 상기 제1 신호에 응답하여 상기 샘플링 캐패시터의 타측을 접지 단자에 연결하는 제3 MOS 트랜지스터; 상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 연결되며 제2 신호에 응답하여 상기 샘플링 캐패시터의 일측을 접지 단자에 연결하는 제4 MOS 트랜지스터; 부 입력단과 출력단 사이에 피드백 캐패시터가 연결된 연산 증폭기; 상기 제2 신호에 응답하여 상기 샘플링 캐패시터의 타측을 상기 연산 증폭기의 부 입력단에 연결하는 제5 MOS 트랜지스터; 및 입력단과 상기 제1, 3 노드 사이에 연결되며, 샘플링 모드시 상기 제1 신호에 따라 누설 전류가 흐르는 상기 제1, 2 노드의 전압과 상기 제3 노드의 전압이 같아지도록 하여 누설 전류를 차단하고, 증폭 모드시 상기 제2 신호에 따라 상기 제1 노드에 흐르는 누설 전류에 의한 전압 강하를 감소시키는 누설 전류 감소 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
2 2
제 1항에 있어서, 상기 누설 전류 감소 회로는, 상기 입력단과 상기 제1 노드 사이에 상보형으로 연결된 제6, 7 MOS 트랜지스터; 상기 입력단과 상기 제3 노드 사이에 상보형으로 연결된 제8, 9 MOS 트랜지스터; 상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되며 상기 제2 신호에 응답하여 턴온되는 제10 MOS 트랜지스터; 및 상기 제3 노드와 접지 단자 사이에 연결되며 상기 제2 신호에 응답하여 턴온되는 제11 MOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
3 3
제 2항에 있어서, 상기 제6, 7 MOS 트랜지스터의 게이트에는 반전 위상의 제1 신호와 정 위상의 제1 신호가 각각 입력되며, 상기 제8, 9 MOS 트랜지스터의 게이트에는 반전 위상의 제1 신호와 정 위상의 제1 신호가 각각 입력되는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
4 4
제 3항에 있어서, 상기 제6, 7 MOS 트랜지스터의 드레인과 소스는 상기 입력단과 상기 제1 노드에 공통으로 각각 연결되며, 상기 제8, 9 MOS 트랜지스터의 드레인과 소스는 상기 입력단과 상기 제3 노드에 공통으로 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
5 5
제 2항에 있어서, 상기 제1 신호가 '1'인 샘플링 모드에서, 상기 제6, 7 MOS 트랜지스터 및 상기 제8, 9 MOS 트랜지스터는 상기 제1 노드의 전압과 상기 제3 노드의 전압이 같아지도록 하여 상기 제10 MOS 트랜지스터에 흐르는 누설 전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제1 노드의 전압과 상기 제3 노드의 전압이 같아짐에 따라 상기 제2 노드의 전압과 상기 제3 노드의 전압이 같아져 상기 제4 MOS 트랜지스터에 흐르는 누설 전류가 차단되는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
7 7
제 2항에 있어서, 상기 제2 신호가 '1'인 증폭 모드에서, 상기 제11 MOS 트랜지스터는 상기 제6, 7 MOS 트랜지스터 및 상기 제8, 9 MOS 트랜지스터에 흐르는 누설 전류에 의한 전압 강하를 감소시키는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제11 MOS 트랜지스터는 상기 제6 내지 제10 MOS 트랜지스터 보다 낮은 온 저항(on-resistance)을 갖는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
9 9
제 1항에 있어서, 상기 제1, 2 MOS 트랜지스터의 게이트에는 반전 위상의 제1 신호와 정 위상의 제1 신호가 각각 입력되는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
10 10
제 2항에 있어서, 상기 제1, 2 MOS 트랜지스터와, 상기 제6, 7 MOS 트랜지스터와, 상기 제8, 9 MOS 트랜지스터는 상보형으로 결합된 하나의 CMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 누설 전류가 감소된 스위치드 캐패시터 회로
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1 US07847625 US 미국 FAMILY
2 US20100090756 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010090756 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7847625 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발사업 유비쿼터스 단말용 부품 모듈