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전류 제어 장치 및 그것을 포함하는 전계 방출 시스템

  • 기술번호 : KST2015087040
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류 제어 장치 및 그것을 포함하는 전계 방출 시스템에 관한 것이다. 본 발명의, 인가 전압에 응답하여 전자를 방출하는 전계 방출 장치와 연결되어, 전계 방출 전류를 제어하는 전류 제어 장치는, 제 1 게이트 전압에 응답하여 전류 통로를 형성하는 제 1 전류 제어 트랜지스터, 상기 전계 방출 장치과 상기 제 1 전류 제어 트랜지스터 사이에 연결되고, 제 2 게이트 전압에 응답하여 전류 통로를 형성하는 제 2 전류 제어 트랜지스터 및 상기 제 1 및 제 2 게이트 전압을 제어하기 위한 제어 로직을 포함하며, 상기 제어 로직은 상기 제 1 게이트 전압을 이용하여 상기 전계 방출 전류의 임계값을 제한한다. 본 발명에 의한 전류 제어 장치 및 그것을 포함하는 전계 방출 시스템에 의하면, 전계 방출 전류는 일정하게 유지될 수 있다. 또한 일정하게 유지되는 전계 방출 전류의 레벨은 원하는 값으로 설정될 수 있다.
Int. CL H01L 29/739 (2006.01) H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 1/30(2013.01) H01J 1/30(2013.01)
출원번호/일자 1020120136141 (2012.11.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0115978 (2013.10.22) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120037876   |   2012.04.12
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.09)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진우 대한민국 대전 유성구
2 송윤호 대한민국 대전 서구
3 강준태 대한민국 대구 서구
4 김재우 대한민국 대전 서구
5 최성열 대한민국 울산 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0986272-67
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0045352-65
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0436419-20
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0021860-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0578221-65
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0972374-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0972373-81
10 등록결정서
Decision to grant
2018.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0075211-34
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
인가 전압에 응답하여 전자를 방출하는 전계 방출 장치와 연결되어, 전계 방출 전류를 제어하는 전류 제어 장치에 있어서,제 1 게이트 전압에 응답하여 전류 통로를 형성하는 제 1 전류 제어 트랜지스터;상기 전계 방출 장치와 상기 제 1 전류 제어 트랜지스터 사이에 연결되고, 제 2 게이트 전압에 응답하여 전류 통로를 형성하는 제 2 전류 제어 트랜지스터; 및상기 제 1 및 제 2 게이트 전압을 제어하기 위한 제어 로직을 포함하며,상기 제어 로직은 상기 제 2 전류 제어 트랜지스터가 턴-온 상태에 있도록 상기 제 2 게이트 전압을 제어하고, 상기 제 1 게이트 전압을 이용하여 상기 전계 방출 전류의 임계값을 제어하는 전류 제어 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 전류 제어 장치는 상기 인가 전압이 기준 전압 이상의 값으로 제공되는 조건에서 구동되며,상기 기준 전압은 상기 전계 방출 장치로부터 상기 전계 방출 전류 임계값 이상의 전계 방출 전류를 인출하는 전압인 전류 제어 장치
3 3
제 2항에 있어서,상기 전류 제어 장치는 상기 인가 전압이 상한 전압 이하의 값으로 제공되는 조건에서 구동되며,상기 상한 전압은 상기 전계 방출 장치의 특성 및 상기 제 2 전류 제어 트랜지스터의 드레인-소스 허용 전압을 기초로 결정되는 전류 제어 장치
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 제어 로직은 상기 제 2 게이트 전압이 상기 제 1 게이트 전압보다 높은 일정한 값으로 유지되도록 상기 제 2 게이트 전압을 제어하는 전류 제어 장치
6 6
제 1항에 있어서,상기 제어 로직은 상기 제 1 전류 제어 트랜지스터가 포화영역에서 동작하도록 상기 제 2 게이트 전압을 제어하는 전류 제어 장치
7 7
제 1항에 있어서,상기 제 2 전류 제어 트랜지스터는 전력 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(Power MOSFET)인 전류 제어 장치
8 8
제 1항에 있어서,상기 제 1 전류 제어 트랜지스터는 고갈모드(depletion mode) 혹은 향상모드(enhancement mode) 전력 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(Power MOSFET)인 전류 제어 장치
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인가 전압에 응답하여 전자를 방출하는 캐소드를 포함하는 전계 방출 장치; 및상기 전계 방출 장치와 연결되어 전계 방출 전류를 제어하는 전류 제어 장치를 포함하고,상기 전류 제어 장치는제 1 게이트 전압에 응답하여 전류 통로를 형성하는 제 1 전류 제어 트랜지스터;상기 캐소드와 상기 제 1 전류 제어 트랜지스터 사이에 연결되고, 제 2 게이트 전압에 응답하여 전류 통로를 형성하는 제 2 전류 제어 트랜지스터; 및상기 제 1 및 제 2 게이트 전압을 제어하기 위한 제어 로직을 포함하며,상기 제어 로직은 상기 제 2 전류 제어 트랜지스터가 턴-온 상태에 있도록 상기 제 2 게이트 전압을 제어하고, 상기 제 1 게이트 전압을 이용하여 상기 전계 방출 전류의 임계값을 제어하는 전계 방출 시스템
10 10
제 9항에 있어서,상기 전계 방출 장치는 전자를 받아들이는 아노드를 더 포함하고,상기 전자는 상기 아노드 및 상기 캐소드 사이의 전압 차이에 응답하여 방출되는 전계 방출 시스템
11 11
제 10항에 있어서,상기 아노드는 빛을 발생시키기 위한 형광체를 포함하고, 상기 받아들인 전자에 응답하여 상기 빛을 발생시키는 전계 방출 시스템
12 12
제 10항에 있어서,상기 아노드는 상기 받아들인 전자에 응답하여 엑스선을 발생시키는 전계 방출 시스템
13 13
제 9항에 있어서,상기 전계 방출 장치는 전자를 받아들이는 아노드; 및상기 아노드와 상기 캐소드 사이에 위치하고, 전자 방출을 유도하는 게이트를 더 포함하며,상기 전자는 상기 게이트 및 상기 캐소드 사이의 전압 차이에 응답하여 방출되는 전계 방출 시스템
14 14
제 13항에 있어서,상기 전계 방출 장치는 상기 캐소드로부터 방출된 전자를 집속하는 집속 전극을 더 포함하고,상기 집속 전극은 상기 게이트 및 상기 아노드 사이에 위치하는 전계 방출 시스템
15 15
제 9항에 있어서,상기 인가 전압은 기준 전압 이상의 값으로 제공되며,상기 기준 전압은 상기 전계 방출 장치로부터 상기 전계 방출 전류 임계값 이상의 전계 방출 전류를 인출하는 전압인 전계 방출 시스템
16 16
제 15항에 있어서,상기 인가 전압은 상한 전압 이하의 값으로 제공되며,상기 상한 전압은 상기 전계 방출 장치의 특성 및 상기 제 2 전류 제어 트랜지스터의 드레인-소스 허용 전압을 기초로 결정되는 전계 방출 시스템
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2 US20130271037 US 미국 FAMILY

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