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기판;상기 기판 상부에 형성된 압전박막;상기 압전박막 상에 표면탄성파를 발생시키기 위하여 형성된 에너지 변환용 IDT(Inter Digitated Transducer) 전극; 및상기 압전박막 상에 형성된 유체경로를 포함하는 미세 유체 이송 장치
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제 1항에 있어서,상기 유체경로를 통해 이송되는 미세 유체와 감지자와의 반응정보를 센싱하기 위한 센싱부를 더 포함하는 미세 유체 이송 장치
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제 2항에 있어서,상기 센싱부는 나노와이어(nano wire), 탄노나노튜브(carbon nanotube), 박막저항체, 양자점(quantum dot), 트랜지스터, 다이오드 및 표면탄성파소자로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 미세 유체 이송 장치
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 유리, 플라스틱 및 금속으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나인 미세 유체 이송 장치
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제 1항에 있어서, 상기 압전박막은 0
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제 1 항에 있어서,상기 압전박막은 ZnO, AlN, LiNbO3, LiTaO3 및 수정(Quartz)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성된 미세 유체 이송 장치
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제 1항에 있어서,상기 IDT전극은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 텅스텐(W), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성된 미세 유체 이송 장치
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제 1항에 있어서,상기 유체경로는 소수성 표면을 갖는 미세 유체 이송 장치
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제 1항에 있어서,상기 유체경로는 다이아몬드카본(Diamond Like Carbon, DLC) 또는 실란(silane) 중 어느 하나로 형성된 미세 유체 이송 장치
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기판 상부에 압전박막을 형성하는 단계;상기 압전박막 상에 에너지 변환용 IDT전극을 형성하는 단계; 및상기 압전박막 상에 유체경로를 형성하는 단계 를 포함하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 유리, 플라스틱 및 금속으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 사용하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 압전박막을 형성하는 단계는,상기 기판상에 압전박막을 증착하는 단계; 및상기 증착된 압전박막의 응력(stress)감소 및 결정성을 향상시키기 위하여 열처리하는 단계를 포함하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 압전박막은 반응성 스퍼터링(reactive sputtering), 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 분자선증착법(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 및 원자층증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 한 방법으로 증착하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 열처리는 온도 400℃, 산소(O2) 또는 아르곤(Ar) 분위기에서 10분간 실시하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 유체경로는 경로용 박막의 증착 및 패터닝에 의해 형성하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 유체경로는 소수성 표면을 갖도록 형성하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 유체경로는 다이아몬드카본 또는 실란 중 어느 하나로 형성하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 유체경로를 통해서 이송되는 미세 유체와 감지자와의 반응정보를 센싱하기 위한 센싱부를 형성하는 단계를 더 포함하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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제 18항에 있어서,상기 센싱부는 나노와이어, 탄노나노튜브, 박막저항체, 양자점, 트랜지스터, 다이오드 및 표면탄성파소자로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성하는 미세 유체 이송 장치의 제조방법
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