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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 다결정성 산화아연박막을 형성하는 단계; 및상기 다결정성 산화아연박막을 거칠게 표면 처리하는 단계를 포함하되, 상기 다결정성 산화아연박막의 표면 처리는 상기 기판상에 형성된 다결정성 산화아연박막을 질산과, 과산화수소가 혼합된 식각 수용액으로 습식식각하는 것을 특징으로 하는 산화아연박막의 반사방지 처리방법
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제 1 항에 있어서, 상기 식각 수용액은 약산을 더 포함하는 산화아연박막의 반사방지 처리방법
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제 2 항에 있어서, 상기 약산은 초산, 탄산, 인산, 붕산, 포름산 중 어느 하나 이상을 포함하는 산화아연박막의 반사방지 처리방법
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제 3 항에 있어서, 상기 약산은 상기 식각 수용액 내에 20% 내지 80%의 혼합비로 혼합되는 산화아연박막의 반사방지 처리방법
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제 3 항에 있어서, 상기 식각 수용액은 질산, 초산, 과산화수소, 및 물을 1 : 200 : 200 : 5 내지 1 : 200 : 200 : 20 의 비율로 혼합된 산화아연박막의 반사방지 처리방법
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제 1 항에 있어서, 상기 질산은 상기 식각 수용액 내에 0
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제 1 항에 있어서, 상기 과산화수소는 상기 식각 수용액 내에 0
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제 1 항에 있어서,상기 식각 수용액은 알코올을 더 포함하는 산화아연박막의 반사방지 처리방법
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제 8 항에 있어서,상기 알코올은 메틸알코올, 에틸알코올, 및 이소 프로필알코올 중 적어도 하나를 포함하는 산화아연박막의 반사방지 처리방법
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제 8 항에 있어서,상기 알코올은 상기 식각 수용액 내에 0
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기판 상에 하부 전극으로서 다결정성 산화아연박막을 형성한 후, 상기 다결정성 산화아연박막을 질산과 과산화수소가 혼합된 식각 수용액으로 습식식각하여 상기 다결정성 산화아연박막을 거칠게 표면처리하는 산화아연박막의 반사방지 처리단계;상기 다결정성 산화아연박막 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 식각 수용액은 초산, 인산, 붕산, 탄산, 포름산 중 어느 하나 이상의 약산을 더 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 반도체층은 4족 반도체, 3-5족 화합물 반도체, 2-6족 화합물 반도체, 또는 캘코피라이트계 화합물 반도체 중 적어도 하나의 진성 반도체층을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 다결정성 산화아연박막 상에 p형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 p형 반도체층 상에 진성 반도체층을 형성하는 단계와,상기 진성 반도체층 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
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기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 상부 전극으로서 다결정성 산화아연박막을 형성한 후, 상기 다결정성 산화아연박막을 질산과 과산화수소가 혼합된 식각 수용액으로 습식식각하여 상기 다결정성 산화아연박막을 거칠게 표면처리하는 산화아연박막의 반사방지 처리단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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