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전기방사법을 이용한 금속선 제조방법

기술번호 : KST2015087176
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 전기방사법을 이용한 금속선 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 금속선 제조방법은 금속 분말이 분산된 솔벤트에 고분자 물질을 용해시킨 고분자 용액을 준비하는 단계; 상기 고분자 용액으로부터 전기방사법을 이용하여 기판 상에 나노급 또는 마이크로급 선을 방사하는 단계; 상기 나노급 또는 마이크로급 선에 마이크로웨이브를 조사하여 금속입자를 응집시키는 단계; 및 고분자를 제거하여 금속선을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 금속선 제조방법은 공정이 간단하고 대량생산이 가능하며, 또한 얻어지는 금속선은 전도도가 높으며 비표면적이 크기 때문에 센서 등에 이용될 수 있다.금속선, 마이크로웨이브, 전도도, 전기방사
Int. CL	D01F 1/10 (2006.01) D01F 6/46 (2006.01) D01F 6/50 (2006.01)
CPC	D01F 1/10(2013.01) D01F 1/10(2013.01) D01F 1/10(2013.01) D01F 1/10(2013.01)
출원번호/일자	1020090112509 (2009.11.20)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1610782-0000 (2016.04.04)
공개번호/일자	10-2011-0055893 (2011.05.26) 문서열기
공고번호/일자	(20160408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.11.04)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김성현	대한민국	대전광역시 유성구
2	이수재	대한민국	대전광역시 유성구
3	박진아	대한민국	대전광역시 중구
4	문제현	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	문용호	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 * 디타워 D* **층(법무법인세종)
2	이용우	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 * 디타워 D* **층(법무법인세종)
3	강신섭	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 * 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.11.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0713480-39
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0900589-76
3	보정요구서 Request for Amendment	2013.10.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2013-0122861-46
4	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2013.10.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0953434-39
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2014.11.04	수리 (Accepted)	1-1-2014-1062961-93
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
7	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.07.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.09.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2015-0073846-23
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.09.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0633608-86
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2015-1103711-26
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.11.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-1103742-31
12	등록결정서 Decision to grant	2016.03.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0223257-37

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 금속 분말이 분산된 솔벤트에 고분자 물질을 용해시킨 고분자 용액을 준비하는 단계;상기 고분자 용액으로부터 전기방사법을 이용하여 기판 상에 나노급 또는 마이크로급 선을 방사하는 단계;상기 나노급 또는 마이크로급 선에 마이크로웨이브를 조사하여 금속입자를 응집시키는 단계; 및고분자를 제거하여 금속선을 형성하는 단계를 포함하는 전기방사법을 이용한 금속 나노선 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 금속 분말로는 은(Ag), 알루미늄(Al), 비소(As), 금(Au), 붕소(B), 바륨(Ba), 베릴륨(Be), 비스무트(Bi), 칼슘(Ca), 니오븀(Nd), 카드늄(Cd), 세륨(Ce), 코발트(Co), 크롬(Cr), 세슘(Cs), 구리(Cu), 철(Fe), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 인듐(In), 칼륨(K), 란탄(La), 리시움(Li), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 나트륨(Na), 니켈(Ni), 오스뮴(Os), 인(P), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루비듐(Rb), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 황(S), 안티몬(Sb), 셀렌(Se), 실리콘(Si), 주석(Sn), 스트론튬(Sr), 탄탈륨(Ta), 텔루륨(Te), 토륨(Th), 티탄(Ti), 탈륨(Tl), 우라늄(U), 바나듐(V), 텅스텐(W), 아연(Zn), 지르코늄(Zr) 중 최소한 한가지를 포함하는 단일물질, 혼합물, 또는 합금으로부터 선택되는 것인 금속 나노선 제조방법
3	3 제 1항에 있어서,상기 금속분말의 크기는 10㎚ 내지 10㎛인 금속 나노선 제조방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 고분자 물질로는 폴리올레핀계 고분자, 방향족계 고분자, 클로라이드계 고분자, 불소계 고분자, 실리콘계 고분자 및 폴리부타디엔으로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 금속 나노선 제조방법
5	5 제 1항에 있어서, 상기 고분자 물질로는 폴리비닐알콜, 폴리비닐페놀 및 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 금속 나노선 제조방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 전기방사법으로는 전기방사법, 근접장 전기방사법 또는 전기분무법인 금속 나노선 제조방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 조사되는 마이크로웨이브는 100MHz 내지 100GHz의 범위인 금속 나노선 제조방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 고분자 용액은 금속의 산화를 방지하기 위한 산화방지제를 더 포함하는 것인 금속 나노선 제조방법
9	9 제 1항에 있어서,상기 고분자는 열처리, 플라즈마 처리 또는 솔벤트 용융을 통해 제거되는 것인 금속 나노선 제조방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 열처리는 300 내지 700℃에서 0

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1610782-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20091120 출원 번호 : 1020090112509 공고 연월일 : 20160408 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160325 청구범위의 항수 : 10 유별 : D01F 1/10 발명의 명칭 : 전기방사법을 이용한 금속선 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190405

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	217,500 원	2016년 04월 05일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.11.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0713480-39
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0900589-76
3	보정요구서	2013.10.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2013-0122861-46
4	[출원서등 보정]보정서	2013.10.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0953434-39
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2014.11.04	수리 (Accepted)	1-1-2014-1062961-93
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
7	선행기술조사의뢰서	2015.07.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서	2015.09.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2015-0073846-23
9	의견제출통지서	2015.09.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0633608-86
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2015-1103711-26
11	[명세서등 보정]보정서	2015.11.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-1103742-31
12	등록결정서	2016.03.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0223257-37

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[KST2015089460][한국전자통신연구원]	섬유 제조 방법 및 이에 의해 제조된 섬유	새창보기

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