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반도체 발광소자

기술번호 : KST2015087258
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘계 또는 질화물계 발광소자에 있어서 발광층 또는 상부 도핑층의 상부면에 복수개의 상부전극을 형성하고, 기판 또는 하부 도핑층의 상부면에 적어도 하나의 하부전극을 형성하여 전극들로 인가되는 전류 퍼짐 특성을 향상시킴으로써, 발광층의 발광 면적을 최대화시킬 수 있을 뿐만 아니라 발광층 전면에서 균일한 세기를 가지는 발광을 유도하여 발광소자의 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 반도체 발광소자, 발광층, 상부 도핑층, 하부 도핑층, 상부전극, 하부전극
Int. CL	H01L 33/14 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020040063025 (2004.08.11)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0568502-0000 (2006.03.31)
공개번호/일자	10-2006-0014476 (2006.02.16) 문서열기
공고번호/일자	(20060407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.08.11)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박래만	대한민국	대전광역시 유성구
2	김경현	대한민국	대전광역시 서구
3	김태엽	대한민국	서울특별시 은평구
4	성건용	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.08.11	수리 (Accepted)	1-1-2004-0357632-48
2	등록결정서 Decision to grant	2006.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0173034-11
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판의 상부에 형성된 발광층 및 상기 발광층에 전압차를 인가하기 위한 전극들을 포함하여 구성된 반도체 발광소자에 있어서, 상기 전극들은 상기 기판 상부의 소정 영역에 형성된 적어도 하나의 하부전극; 및 상기 발광층 상부의 소정 영역에 형성되고, 복수개가 일정한 간격으로 이격된 상부전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 하부전극은 1개로 이루어지며, 상기 상부전극은 2개로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 기판과 상기 발광층 및 상기 하부전극의 사이에 하부 도핑층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 발광층 및 상기 상부전극의 사이에 상부 도핑층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 상부전극의 모양 및 크기가 서로 같게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 상부전극의 모양 및 크기가 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 상부전극 사이의 수평거리는 상기 하부전극과의 수직거리보다 길게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 상부전극 사이의 수평거리는 상기 하부전극과의 수직거리보다 짧게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 상부전극 및 상기 하부전극은 InSnO, ZnO, SnO2, NiO 또는 Cu2SrO2의 산화물 전극, CuInO2:Ca, InO:Mo의 산화물 전극에 n형 또는 p형 도핑을 하는 것들 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
10	10 제 1 항에 있어서, 상기 상부전극 및 상기 하부전극은 Au, Al, Pt, Ni 또는 Cu로 이루어진 금속 전극, 복수개의 합금 전극 또는 다층 금속 박막 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 금속 전극, 상기 합금 전극 또는 상기 다층 금속 박막의 두께는 3Å 내지 100Å 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
12	11 제 10 항에 있어서, 상기 금속 전극, 상기 합금 전극 또는 상기 다층 금속 박막의 두께는 3Å 내지 100Å 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP01776723	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
2	US07791095	US	미국	FAMILY
3	US20090001401	US	미국	FAMILY
4	WO2006016758	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP1776723	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
2	EP1776723	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
3	US2009001401	US	미국	DOCDBFAMILY
4	US7791095	US	미국	DOCDBFAMILY
5	WO2006016758	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-0568502-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20040811 출원 번호 : 1020040063025 공고 연월일 : 20060407 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060328 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 반도체 발광소자 존속기간(예정)만료일 : 20120401

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	337,500 원	2006년 04월 03일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2009년 03월 03일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2010년 02월 26일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2011년 02월 28일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.08.11	수리 (Accepted)	1-1-2004-0357632-48
2	등록결정서	2006.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0173034-11
3	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
4	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1440000471
세부과제번호	iitaA1-03-0055-00
연구과제명	차세대QoS서비스스위칭기술
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	지식경제부
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2003
연구기간	200103~200602
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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