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카본 나노튜브 캐소드를 가진 삼극형 전계 방출 소자 및이를 이용한 삼극형 고주파 진공 장치와 전계 방출디스플레이 장치

  • 기술번호 : KST2015087304
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자원 장치(Electron Source Device)에 관한 것으로, 카본 나노튜브(Carbon Nanotube) 캐소드를 가진 삼극형 전계 방출 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 캐소드(Cathode), 게이트(Gate) 및 아노드(Anode)를 포함하는 삼극형 전계 방출 소자에 있어서, 절연성 기판(210) 위에 형성된 캐소드 전극(220)과; 상기 캐소드 전극(220) 위에 카본 나노튜브로 이루어진 캐소드(240)와; 상기 카본 나노튜브 캐소드(240)의 측면에 형성된 측벽(Side Wall) 절연막(250)과; 상기 캐소드 전극(220) 위에 상기 측벽 절연막(250)과 접한 측면에 형성된 게이트 절연막(260)과; 상기 게이트 절연막(260) 위에 상기 측벽 절연막(250)과 접한 측면에 형성된 게이트(270)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자가 제공된다.카본 나노튜브, 삼극형 전계 방출 소자, 캐소드 전극
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020000080988 (2000.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0051592 (2002.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.12.23)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전광역시서구
2 이진호 대한민국 대전광역시유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시유성구
4 강영일 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2000-0277352-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0324155-86
5 의견서
Written Opinion		 2002.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2002-0341339-87
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.10.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0341341-79
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0049625-49
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0234071-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

캐소드(Cathode), 게이트(Gate) 및 아노드(Anode)를 포함하는 삼극형 전계 방출 소자에 있어서,

절연성 기판(210) 위에 형성된 캐소드 전극(220)과;

상기 캐소드 전극(220) 위에 카본 나노튜브로 이루어진 캐소드(240)와;

상기 카본 나노튜브 캐소드(240)의 측면에 형성된 측벽(Side Wall) 절연막(250)과;

상기 캐소드 전극(220) 위에 상기 측벽 절연막(250)과 접한 측면에 형성된 게이트 절연막(260)과;

상기 게이트 절연막(260) 위에 상기 측벽 절연막(250)과 접한 측면에 형성된 게이트(270)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 절연성 기판(210)은 석영, 유리 및 절연막 중 어느 하나를 선택하여 형성된 실리콘 웨이퍼로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 카본 나노튜브 캐소드(240)와 상기 캐소드 전극(220) 사이에 전이 금속으로 이루어진 촉매제(230)를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 카본 나노튜브 캐소드(240)는 화학 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 상기 촉매제(230) 위에 선택적으로 성장시킨 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

5 5

캐소드(Cathode), 게이트(Gate) 및 아노드(Anode)를 포함하는 삼극형 전계 방출 소자에 있어서,

절연성 기판(310) 위에 형성된 캐소드 전극(320)과;

상기 캐소드 전극(320) 위에 카본 나노튜브로 이루어진 캐소드(340)와;

상기 카본 나노튜브 캐소드(340)의 측면에 형성된 측벽(Side Wall) 절연막(350)과;

상기 캐소드 전극(320) 위에 상기 측벽 절연막(350)과 접한 측면에 형성된 게이트 절연막(360)과;

상기 게이트 절연막(360) 위에 상기 측벽 절연막(350)과 접한 측면에 형성된 게이트(370); 및

상기 게이트(370) 위에 상기 측벽 절연막(350)과 접한 측면에 형성된 상벽 절연막(380)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 절연성 기판(310)은 석영, 유리 및 절연막 중 어느 하나를 선택하여 형성된 실리콘 웨이퍼로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

7 7

제 5 항에 있어서,

상기 카본 나노튜브 캐소드(340)와 상기 캐소드 전극(320) 사이에 전이 금속으로 이루어진 촉매제(330)를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 카본 나노튜브 캐소드(340)는 화학 기상 증착법 (Chemical Vapor Deposition : CVD)을 이용하여 상기 촉매제(330) 위에 선택적으로 성장시킨 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

9 9

절연성 기판(310) 위에 형성된 캐소드 전극(320)과; 상기 캐소드 전극(320) 위에 카본 나노튜브로 이루어진 캐소드(340)와; 상기 카본 나노튜브 캐소드(340)의 측면에 형성된 측벽(Side Wall) 절연막(350)과; 상기 캐소드 전극(320) 위에 상기 측벽 절연막(350)과 접한 측면에 형성된 게이트 절연막(360)과; 상기 게이트 절연막(360) 위에 상기 측벽 절연막(350)과 접한 측면에 형성된 게이트(370); 및 상기 게이트(370) 위에 상기 측벽 절연막(350)과 접한 측면에 형성된 상벽 절연막(380)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자를 이용하는 3극형 고주파 진공 장치에 있어서,

상기 상벽 절연막(380) 위에 아노드 전극(890)을 포함하고,

상기 아노드 전극(890), 상기 측벽 절연막(350) 및 상기 캐소드 전극(320)에 의하여 둘러 싸인 공동은 진공 상태인 것을 특징으로 하는 삼극형 고주파 진공 장치

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 아노드 전극(890)은 전자 - 빔 승착기(Electron - Beam Eavaporator)의 경사 증착을 이용하여 인 - 시튜(In - Situ) 진공 상태로 형성된 것을 특징으로 하는 삼극형 고주파 진공 장치

11 11

제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,

상기 카본 나노튜브 캐소드(340)와 상기 캐소드 전극(320) 사이에 전이 금속으로 이루어진 촉매제(330)를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 고주파 진공 장치

12 12

캐소드(Cathode), 게이트(Gate) 및 아노드(Anode)를 포함하는 삼극형 전계 방출 소자에 있어서,

절연성 기판(410) 위에 형성된 캐소드 전극(420)과;

상기 캐소드 전극(420) 위에 나노튜브를 가진 카본질 막(Carbonaceous Film)으로 이루어진 캐소드(441)와;

상기 카본질 막으로 이루어진 캐소드(441)의 측면에 형성된 측벽(Side Wall) 절연막(450)과;

상기 캐소드 전극(420) 위에 상기 측벽 절연막(450)과 접한 측면에 형성된 게이트 절연막(460)과;

상기 게이트 절연막(460) 위에 상기 측벽 절연막(450)과 접한 측면에 형성된 게이트(470)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

13 13

제 12 항에 있어서,

상기 절연성 기판(410)은 석영, 유리 및 절연막 중 어느 하나를 선택하여 형성된 실리콘 웨이퍼로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

14 14

제 12 항에 있어서,

상기 측벽 절연막(450)은 산화막 또는 질화막 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

15 15

캐소드(Cathode), 게이트(Gate) 및 아노드(Anode)를 포함하는 삼극형 전계 방출 소자에 있어서,

절연성 기판(510) 위에 형성된 캐소드 전극(520)과;

상기 캐소드 전극(520) 위에 나노튜브를 가진 카본질 막(Carbonaceous Film)으로 이루어진 캐소드(541)와;

상기 카본 나노튜브 캐소드(540)의 측면에 형성된 측벽(Side Wall) 절연막(550)과;

상기 캐소드 전극(520) 위에 상기 측벽 절연막(550)과 접한 측면에 형성된 게이트 절연막(560)과;

상기 게이트 절연막(560) 위에 상기 측벽 절연막(550)과 접한 측면에 형성된 게이트(570); 및

상기 게이트(570) 위에 상기 측벽 절연막(550)과 접한 측면에 형성된 상벽 절연막(580)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

16 16

제 15 항에 있어서,

상기 절연성 기판(510)은 석영, 유리 및 절연막 중 어느 하나를 선택하여 형성된 실리콘 웨이퍼로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

17 17

제 15 항에 있어서,

상기 측벽 절연막(550)은 산화막 또는 질화막 중 어느 하나를 선택하여 형성된 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자

18 18

절연성 기판(510) 위에 형성된 캐소드 전극(520)과; 상기 캐소드 전극(520) 위에 나노튜브를 가진 카본질 막(Carbonaceous Film)으로 이루어진 캐소드(541)와; 상기 카본 나노튜브 캐소드(540)의 측면에 형성된 측벽(Side Wall) 절연막(550)과; 상기 캐소드 전극(520) 위에 상기 측벽 절연막(550)과 접한 측면에 형성된 게이트 절연막(560)과; 상기 게이트 절연막(560) 위에 상기 측벽 절연막(550)과 접한 측면에 형성된 게이트(570); 및 상기 게이트(570) 위에 상기 측벽 절연막(550)과 접한 측면에 형성된 상벽 절연막(580)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 소자를 이용하는 전계 방출 디스플레이 장치에 있어서,

상기 삼극형 전계 방출 소자로 구성된 하판(Lower Plate) 및 상판(Upper Plate)을 포함하고,

상기 상판은 유리 기판(991); 상기 유리 기판(991) 밑에 형성된 투명 전극(992); 상기 투명 전극(992) 밑에 형성된 형광체(993)를 포함하고,

상기 하판과 상기 상판을 평행하게 기계적으로 연결시키고 내부에 공동이 형성되도록 상기 상벽 절연막(580) 및 상기 형광체(993)를 잇는 스페이서(Spacer, 994)가 설치되며,

상기 공동은 진공 상태인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이 장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.