맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

급격한 ＭＩＴ 소자, 그 소자를 이용한 고전압 잡음제거회로 및 그 제거회로를 포함한 전기전자시스템

  • 기술번호 : KST2015087355
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전기전자시스템 특히, 고전압 개폐기 등과 같이 초고전압으로부터 보호하기 위해 초고전압 잡음을 바이패스 시키기 위한 소자 및 그 소자를 이용하여 초고전압 잡음을 바이패스 시키는 고전압 잡음 제거회로 및 그 회로를 포함한 전기전자시스템을 제공한다. 그 소자는 기판; 및 기판 상면 및 하면 각각에 형성된 제1 및 제2 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 구조물;을 포함한다. 그 제거회로는 보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬연결되고, 적어도 2개의 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자가 직렬연결된 급격한 MIT 소자열을 포함한다.금속-절연체 전이, 급격한 MIT 소자, 개폐기, 고전압 잡음
Int. CL H02H 7/22 (2006.01) H02H 1/00 (2006.01)
CPC H01L 49/003(2013.01)
출원번호/일자 1020050124045 (2005.12.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0714115-0000 (2007.04.26)
공개번호/일자 10-2007-0014928 (2007.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20070502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050069805   |   2005.07.29
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.15)
심사청구항수 49

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김현탁 대한민국 대전 유성구
2 강광용 대한민국 대전 유성구
3 김봉준 대한민국 대전 유성구
4 이용욱 대한민국 대전 유성구
5 윤선진 대한민국 대전 유성구
6 채병규 대한민국 대전 유성구
7 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0734874-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.06 수리 (Accepted) 9-1-2006-0070300-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0726028-52
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0050162-38
6 의견서
Written Opinion		 2007.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0050161-93
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0167983-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 및상기 기판 상면 및 하면 각각에 형성된 제1 및 제2 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 구조물;을 포함하는 급격한 MIT 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 급격한 MIT 구조물은,소정의 한계전압 미만에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 급격한 MIT 구조물은급격한 금속-절연체 전이 박막 및 상기 전이 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
4 4
제3 항에 있어서,상기 전이 박막은, 산소, 탄소, 반도체 원소(III-V족, II-VI족), 전이금속원소, 희토류원소, 란탄계 원소들을 포함하는 저 농도의 정공이 첨가된 무기물 화합물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 유기물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 반도체, 및 저 농도의 정공이 첨가된 산화물 반도체 및 절연체 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
5 5
제3 항에 있어서,상기 전이 박막은, n 형 반도체 및 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
6 6
제3 항에 있어서,상기 전극박막은, W, Mo, W/Au, Mo/Au, Cr/Au, Ti/W, Ti/Al/N, Ni/Cr, Al/Au, Pt, Cr/Mo/Au, YBa2Cu3O7-d, Ni/Au, Ni/Mo, Ni/Mo/Au, Ni/Mo/Ag, Ni/Mo/Al, Ni/W, Ni/W/Au, Ni/W/Ag 및 Ni/W/Al 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
7 7
제1 항에 있어서,상기 제1 급격한 MIT 구조물은,상기 기판 상면에 형성된 급격한 금속-절연체 제1 전이 박막;상기 기판 상면으로 상기 제1 전이 박막의 일측면 및 상면 일부로 형성된 제1-1 전극박막;및상기 기판 상면으로 상기 제1 전이 박막의 상기 일측면에 대향하는 타측면 및 상면 일부로 형성된 제1-2 전극박막을 포함하고,상기 제2 급격한 MIT 구조물은,상기 기판 하면에 형성된 급격한 금속-절연체 제2 전이 박막;상기 기판 하면으로 상기 제2 전이 박막의 일측면 및 하면 일부로 형성된 제2-1 전극박막;및상기 기판 하면으로 상기 제2 전이 박막의 상기 일측면에 대향하는 타측면 및 하면 일부로 형성된 제2-1 전극박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
8 8
제1 항에 있어서,상기 제1 급격한 MIT 구조물은,상기 기판 상면에 형성된 제1-1 전극박막;상기 제1-1 전극박막 상면에 형성된 급격한 금속-절연체 제1 전이 박막;및상기 제1 전이 박막 상면에 형성된 제1-2 전극박막을 포함하고,상기 제2 급격한 MIT 구조물은,상기 기판 하면에 형성된 제2-1 전극박막;상기 제2-1 전극박막 하면에 형성된 급격한 금속-절연체 제2 전이 박막;및상기 제2 전이 박막 하면에 형성된 제2-2 전극박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
9 9
제7 항 또는 제8 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는,상기 기판 상면으로 상기 제1 급격한 MIT 구조물 및 상기 제1 급격한 MIT 구조물과 이격된 적어도 하나의 급격한 MIT 구조물을 포함하는 제1 급격한 MIT 소자열; 및상기 기판 하면으로 상기 제2 급격한 MIT 구조물 및 상기 제2 급격한 MIT 구조물과 이격된 적어도 하나의 급격한 MIT 구조물을 포함하는 제2 급격한 MIT 소자열을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
10 10
제9 항에 있어서,상기 제1 및 제2 급격한 MIT 소자열 각각은 상기 기판 상면의 제1 급격한 MIT 구조물들 사이의 직렬 컨택라인 및 상기 기판 하면의 제2 급격한 MIT 구조물들 사이의 직렬 컨택라인에 의해 직렬연결된 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
11 11
제10 항에 있어서,상기 제1 및 제2 급격한 MIT 소자열은 상기 기판을 관통하는 병렬 컨택라인 의해 병렬연결된 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
12 12
제1 항에 있어서,상기 기판은, Si, SiO2, GaAs, Al2O3, 플라스틱, 유리, V2O5, PrBa2Cu3O7, YBa2Cu3O7, MgO, SrTiO3, Nb가 도핑된 SrTiO3 및 절연 박막 위의 실리콘(SOI) 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
13 13
제1 항에 있어서,상기 기판은 상면 및 하면으로 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
14 14
제13 항에 있어서,상기 버퍼층은 SiO2 또는 Si3N4막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자
15 15
기판; 및상기 기판 상에 급격한 금속-절연체 전이 박막 및 상기 전이 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극박막을 구비한 급격한 MIT 구조물이 적어도 2 개 서로 이격되어 형성된 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자열;을 포함하는 급격한 MIT 소자
16 16
제15 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자열은 기판 상의 급격한 MIT 구조물들 사이에 형성된 직렬 컨택라인을 통해 직렬연결된 것을 특징으로 급격한 MIT 소자
17 17
보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬연결되고,적어도 2개의 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자가 직렬연결된 급격한 MIT 소자열을 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
18 18
제17 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자열에 병렬연결된 적어도 하나의 다른 급격한 MIT 소자열을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
19 19
제17 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자들 각각에 병렬연결된 적어도 하나의 급격한 MIT 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
20 20
제17 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자 각각은,상기 급격한 MIT 소자를 보호하기 위한 보호저항을 포함한 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
21 21
제17 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자 각각은, 소정의 한계전압 미만에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
22 22
제21 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자 각각은,모두 동일한 상기 한계전압을 갖거나 또는 적어도 하나는 다른 상기 한계 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
23 23
제22 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자열은
24 24
제23 항에 있어서,상기 전체 한계전압은 상기 각각의 한계전압의 합과 동일하거나 그 미만인 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
25 25
제23 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자열의 상기 급격한 MIT 소자 각각은 상기 전체 한계전압에서 절연체의 성질에서 금속성의 성질로 전이하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
26 26
제23 항에 있어서,상기 전체 한계전압 이상의 고전압 잡음이 제거되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
27 27
제17 항에 있어서,상기 전기전자시스템은 고전압을 차단하는 고전압 개폐기인 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
28 28
보호받고자 하는 전기전자시스템에 병렬연결되고,기판 및 적어도 2개의 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 구조물이 직렬연결된 급격한 MIT 소자열을 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
29 29
제28 항에 있어서,상기 급격한 MIT 구조물은, 소정의 한계전압 미만에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
30 30
제28 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자열에 병렬연결된 적어도 하나의 다른 급격한 MIT 소자열을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
31 31
제28 항에 있어서,상기 급격한 MIT 구조물은,급격한 금속-절연체 전이 박막; 및 상기 전이 박막에 컨택하는 적어도 2 개의 전극박막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 잡음 제거회로
32 32
제31 항에 있어서,상기 급격한 MIT 구조물은,상기 기판 상에 형성된 제1 전극박막; 상기 제1 전극박막의 상부에 형성된 저 농도의 정공을 포함하는 급격한 금속-절연체 전이 박막; 및 상기 전이 박막의 상부에 형성된 제2 전극박막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
33 33
제31 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 구조물은, 상기 기판 상부 일부에 형성된 저 농도의 정공을 포함하는 급격한 금속-절연체 전이 박막;상기 기판 상부로 상기 전이 박막의 일측면 및 상면 일부에 형성된 제1 전극박막; 및상기 기판 상부로 상기 전이 박막의 상기 일측면에 대향하는 타측면 및 상면 일부에 형성된 제2 전극박막을 포함하며, 상기 제1 전극박막 및 상기 제2 전극박막은 서로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
34 34
제32 항 또는 제33 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자열의 직렬연결은 상기 기판 상부의 상기 급격한 MIT 구조물 사이를 전기적으로 컨택하는 상기 기판 상부에 형성된 직렬 컨택라인을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압 잡음 제거회로
35 35
제28 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자열은,상기 기판 상면에 형성된 적어도 2개의 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 구조물이 직렬연결된 제1 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자열; 및 상기 기판 하면에 형성된 적어도 2개의 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 구조물이 직렬연결된 제2 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자열;을 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
36 36
제35 항에 있어서,상기 제1 급격한 MIT 소자열의 상기 급격한 MIT 구조물은,상기 기판 상면에 형성된 급격한 금속-절연체 제1 전이 박막;상기 기판 상면으로 상기 제1 전이 박막의 일측면 및 상면 일부로 형성된 제1-1 전극박막;및상기 기판 상면으로 상기 제1 전이 박막의 상기 일측면에 대향하는 타측면 및 상면 일부로 형성된 제1-2 전극박막을 포함하고,상기 제2 급격한 MIT 소자열의 상기 급격한 MIT 구조물은, 상기 기판 하면에 형성된 급격한 금속-절연체 제2 전이 박막;상기 기판 하면으로 상기 제2 전이 박막의 일측면 및 하면 일부로 형성된 제2-1 전극박막;및상기 기판 하면으로 상기 제2 전이 박막의 상기 일측면에 대향하는 타측면 및 하면 일부로 형성된 제2-1 전극박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
37 37
제35 항에 있어서,상기 제1 급격한 MIT 소자열의 상기 급격한 MIT 구조물은,상기 기판 상면에 형성된 제1-1 전극박막;상기 제1-1 전극박막 상면에 형성된 급격한 금속-절연체 제1 전이 박막;및상기 제1 전이 박막 상면에 형성된 제1-2 전극박막을 포함하고,상기 제2 급격한 MIT 소자열의 상기 급격한 MIT 구조물은,상기 기판 하면에 형성된 제2-1 전극박막;상기 제2-1 전극박막 하면에 형성된 급격한 금속-절연체 제2 전이 박막;및상기 제2 전이 박막 하면에 형성된 제2-2 전극박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
38 38
제36 항 또는 제37 항에 있어서,상기 제1 급격한 MIT 소자열의 직렬연결은 상기 기판 상부의 상기 급격한 MIT 구조물 사이를 전기적으로 컨택하는 상기 기판 상부에 형성된 직렬 컨택라인을 통해 형성되고,상기 제2 급격한 MIT 소자열의 직렬연결은 상기 기판 하부의 상기 급격한 MIT 구조물 사이를 전기적으로 컨택하는 상기 기판 하부에 형성된 직렬 컨택라인을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
39 39
제38 항에 있어서,상기 제1 급격한 MIT 소자열과 상기 제2 급격한 MIT 소자열은 상기 기판을 관통하는 병렬 컨택라인을 통해 병렬연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
40 40
제28 항에 있어서, 상기 기판은 상부 및 하부 중에서 적어도 한 면에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
41 41
제40 항에 있어서, 상기 버퍼층은 SiO2 또는 Si3N4막을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 고전압 잡음 제거회로
42 42
보호받고자 하는 전기전자시스템; 및상기 전기전자시스템에 병렬연결되고 적어도 2개의 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자가 직렬연결된 급격한 MIT 소자열을 구비한 고전압 잡음 제거회로;를 포함하는 전기전자장치
43 43
제42 항에 있어서,상기 고전압 잡음 제거회로는,상기 급격한 MIT 소자열에 병렬연결된 적어도 하나의 다른 급격한 MIT 소자열을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
44 44
제42 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자 각각은,상기 급격한 MIT 소자를 보호하기 위한 보호저항을 포함한 것을 특징으로 하는 전기전자장치
45 45
제42 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는, 소정의 한계전압 미만에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
46 46
제45 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자 각각은,모두 동일한 상기 한계전압을 갖거나 또는 적어도 하나는 다른 상기 한계 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
47 47
제46 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자열은
48 48
제47 항에 있어서,상기 전체 한계전압 이상의 고전압 잡음이 제거되는 것을 특징으로 하는 전기전자장치
49 49
제42 항에 있어서,상기 전기전자장치는 고전압을 차단하는 고전압 개폐기인 것을 특징으로 하는 전기전자장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101278454 CN 중국 FAMILY
2 EP01911137 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05155860 JP 일본 FAMILY
4 JP21503841 JP 일본 FAMILY
5 US07489492 US 미국 FAMILY
6 US20080142900 US 미국 FAMILY
7 WO2007013724 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101278454 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101278454 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2009503841 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2009503841 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2009503841 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5155860 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2008142900 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.