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반도체 소자의 전압 강하 및 동적 소모전력 분석방법

  • 기술번호 : KST2015087356
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 반도체 회로의 전압 강하 및 전력 소모 값의 분석방법은 정적 및 동적 분석 방법에 있어서 지연 계산기, 전력 소모 계산기, RC 축소기, 전류 추출기 및 피크값 추출기 등의 분석 기법을 이용하여 실제 전압 강하 값과 소모 전력 값에 근사한 예측치를 빠른 시간 내에 계산되도록 함으로써 SoC와 같은 대형 반도체 설계도면의 검증에서 전압강하 및 전력 소모 현상으로 나타날 수 있는 설계 오류를 제거하는 데 그 목적이 있다. 반도체 소자, 전압 강하, 전력 소모, 지연 계산기, 전력 소모 계산기, 피크값 추출기, RC 축소기.
Int. CL G06F 17/50 (2006.01.01)
CPC G06F 17/5036(2013.01) G06F 17/5036(2013.01)
출원번호/일자 1020040099230 (2004.11.30)
출원인 한국전자통신연구원, 호서대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0611093-0000 (2006.08.03)
공개번호/일자 10-2006-0060288 (2006.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20060809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이윤식 대한민국 서울 관악구
2 김우성 대한민국 충남 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0562681-28
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0092803-01
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2005.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0092692-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0130410-23
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.05.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0307528-61
6 의견서
Written Opinion
2006.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0307530-53
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0389029-90
8 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0431806-80
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2006.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0497851-59
10 등록결정서
Decision to grant
2006.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0402491-68
11 대리인변경신고서
Agent change Notification
2007.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0290304-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2007-5082796-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2007-5086611-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5143226-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0045360-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자의 전압 강하 분석 방법에 있어서, VCD(Value Change Dump)를 이용한 게이트 소자의 전류 계산 방법; 지연 계산기에서 구한 기울기(slew rate)를 이용한 캐패시터의 전류 계산 방법; 및 상기 게이트 및 캐패시터의 전류 계산 방법에서 얻어진 결과를 복원하여 전압 강하 시뮬레이션을 수행하는 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 VCD를 이용한 게이트 소자의 전류 계산 방법은 VCD를 이용하여 소자와 셀의 스위칭 시점을 찾아 전류의 변화 시점 분석에 적용하는 방법을 통해 시간에 따른 전류 변화를 이용하여 회로를 분석하고 최대 전압 강하를 찾아낼 수 있도록 하는 게이트 소자의 전류 계산 방법을 특징으로 하는 전압 강하 시뮬레이션을 수행하는 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 캐패시터의 전류 계산 방법은 상기 기울기에 의한 시간 구간이 실제 전류가 흐르는 시간이 되며, 이때 충전해야 하는 전하량을 계산함으로써 전류값을 구하는 방법을 특징으로 하는 전압 강하 시뮬레이션을 수행하는 방법
4 4
제 1항에 있어서,회로내 비스위칭 게이트에 대한 캐패시터 모델링 방법을 더 포함하는 반도체 소자의 전압 강하 분석 방법을 특징으로 하는 전압 강하 시뮬레이션을 수행하는 방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 비스위칭 게이트에 대한 모델링 방법은 하기의 식에 의하여 저항 성분을 제외하고 캐패시턴스 값만으로 모델링하는 방법을 특징으로 하는 전압 강하 시뮬레이션을 수행하는 방법
6 5
제 4항에 있어서,상기 비스위칭 게이트에 대한 모델링 방법은 하기의 식에 의하여 저항 성분을 제외하고 캐패시턴스 값만으로 모델링하는 방법을 특징으로 하는 전압 강하 시뮬레이션을 수행하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.