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저역 통과 여파기에 있어서, 적어도 한 단위(unit) 이상의 회로패턴을 포함하며, 상기 회로패턴은 한 쌍의 평행 도선으로 이루어진 결합 선로부와, 일측의 두 단부는 개방되고 타측의 두 단부는 서로 연결된 한 쌍의 평행 직선으로 이루어진 전송 선로부로 이루어지며, 상기 전송 선로부는 상기 한 쌍의 평행 직선의 개방된 일측의 각 단부가 상기 결합 선로부의 일측의 각 단부와 연결되는 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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청구항 1 항에 있어서, 2 단위 이상의 회로 패턴을 포함하고, 모든 회로 패턴이 서로 직렬로 연결된 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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3
청구항 2 항에 있어서, 직렬로 연결된 3 단위의 회로 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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청구항 1 항 또는 청구항 2 항에 있어서, 상기 회로 패턴의 물리적인 파라미터는 대칭형 엘립틱(elliptic) 저역 통과 특성을 통해 결정되는 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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청구항 4 항에 있어서, 상기 물리적인 파라미터는 상기 전송 선로부와 상기 결합 선로부의 전기적 길이(φ)인 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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6
청구항 1 항에 있어서, 상기 저역 통과 여파기는 상기 한 쌍의 평행 도선에서 상기 저역 통과 여파기의 입력단 및 출력단으로 각각 이어지는 두 개의 리드선으로 이루어진 리드선부를 포함하고, 상기 전송 선로부의 도선의 폭은 상기 두 개의 리드선의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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7
청구항 1 항에 있어서, 상기 결합 선로부의 한 쌍의 평행 도선 간의 폭은 10㎛ 이내인 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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8
청구항 1 항에 있어서, 상기 결합 선로부와 상기 전송 선로부의 전기적 길이의 비는 1 : 2 인 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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청구항 1 항에 있어서, 상기 저역 통과 여파기의 결합 선로부와 전송 선로부는 고온초전도 에피텍셜 박막을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 저역 통과 여파기
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