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다수의 접합부가 형성된 기판,상기 접합부와 연결되도록 상기 기판 상에 형성된 전극들,상기 기판의 표면으로부터 소정 거리 이격되며, 하부전극, 초전체 박막, 상부전극 및 적외선 흡수층이 적층되어 이루어지고, 입사되는 적외선을 감지하는 광집속판;상기 전극들과 상기 하부전극 및 상부전극을 각각 연결하는 배선들,상기 전극들을 둘러싸는 기둥들, 상기 광집속판을 지지하기 위해 상기 기둥들과 상기 적외선 흡수층을 연결하는 지지아암을 포함하며,상기 적외선 흡수층, 상기 지지아암 및 상기 기둥들이 실리콘 산화막으로 일체화된 것을 특징으로 하는 적외선 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 전극들은 상기 접합부와 연결된 플러그 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 기둥들의 높이는 상기 적외선 흡수층 및 상기 지지아암의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 적외선 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 산화막의 두께는 5000 내지 12000Å인 것을 특징으로 하는 적외선 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 하부전극 및 상부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 하부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 이루어지고, 상기 상부전극은 적외선 영역에서 투과성을 갖는 금속성의 물질 또는 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 센서
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제 9 항에 있어서, 상기 산화막은 LNO, BRO 또는 SRO인 것을 특징으로 하는 적외선 센서
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다수의 접합부가 형성된 기판 상에 보호막 및 희생층을 형성한 후 상기 접합부 상부의 상기 보호막이 노출되도록 상기 희생층을 패터닝하는 단계; 전체 상부면에 버퍼층을 형성한 후 상기 버퍼층 및 보호막을 패터닝하여 상기 접합부가 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀에는 플러그를, 상기 플러그 사이의 상기 버퍼층 상에는 배선을 통해 일측의 상기 플러그와 연결되는 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 초전체 박막을 형성하는 단계; 상기 초전체 박막 상에 배선을 통해 다른 일측의 상기 플러그와 연결되는 상부전극을 형성하는 단계; 전체 상부면에 실리콘 산화막을 형성한 후 상기 상부전극 상에는 적외선 흡수층이, 상기 플러그 주위에는 기둥이, 상기 적외선 흡수층과 기둥 사이에는 지지아암이 각각 형성되도록 패터닝하는 단계; 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 실리콘 산화막은 5000 내지 12000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 희생층은 폴리 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 형성하며, 측벽이 소정의 기울기를 갖도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 하부전극 및 상부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 하부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 형성하고, 상기 상부전극은 적외선 영역에서 투과성을 갖는 금속성의 물질 또는 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 하부전극은 적외선 영역에서 불투과성을 갖는 금속성의 물질로 형성하고, 상기 상부전극은 적외선 영역에서 투과성을 갖는 금속성의 물질 또는 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 센서의 제조 방법
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