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고주파단일집적회로 증폭기의 ＤＣ 모델링 방법

  • 기술번호 : KST2015087498
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야본 발명은 고주파단일집적회로 증폭기의 DC 모델링 방법에 관한 것임.2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제본 발명은 FET의 파라미터 중 일부 파라미터 값만을 변화시킴으로써, MMIC 증폭기의 한 동작점에서의 DC 특성과 일치하는 DC 소자를 모델링하기 위한, MMIC 증폭기의 DC 모델링 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.3. 발명의 해결방법의 요지본 발명은, 시뮬레이터(Simulator)를 이용한 고주파단일집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit;MMIC) 증폭기의 DC 모델링 방법으로서, MMIC 증폭기의 RF 성능을 최적화 시키는 MMIC 증폭기의 게이트 전압 및 드레인 전압을 측정하는 단계; 상기 게이트 전압은 유지하고 상기 드레인 전압을 변화시키며 드레인 전류 값을 측정하는 단계; 및 상기 측정 데이터에 근거하여, 게이트 전압의 변화에 따라 드레인 전류가 변하는 DC 모델의 파라미터를 상기 측정한 게이트 전압에 대한 드레인 전압/전류 특성에 근사하도록 조정하여 모델링하는 단계를 포함함.4. 발명의 중요한 용도본 발명은 MMIC 증폭기의 DC 모델링에 이용됨. MMIC 증폭기, DC 모델, FET, Beta, Lamda
Int. CL H03F 3/00 (2006.01)
CPC H03F 3/195(2013.01) H03F 3/195(2013.01) H03F 3/195(2013.01) H03F 3/195(2013.01)
출원번호/일자 1020040051091 (2004.07.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0638740-0000 (2006.10.19)
공개번호/일자 10-2006-0002159 (2006.01.09) 문서열기
공고번호/일자 (20061030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.07.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진철 대한민국 대전광역시 유성구
2 염인복 대한민국 대전광역시 유성구
3 박종흥 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0291711-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0000871-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0088417-11
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0253303-06
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0330417-31
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0419539-12
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0510151-69
9 의견서
Written Opinion		 2006.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0510152-15
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0594331-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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시뮬레이터(Simulator)를 이용한 고주파단일집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit;MMIC) 증폭기의 DC 모델링 방법으로서,MMIC 증폭기가 작은 전류에서도 최대 전류이득과 최소 반사손실 특성을 얻을 수 있는 MMIC 증폭기의 게이트 전압 및 드레인 전압을 측정하는 단계;상기 게이트 전압은 유지하고 상기 드레인 전압을 변화시키며 드레인 전류 값을 측정하는 단계; 및상기 측정 데이터에 근거하여, 게이트 전압의 변화에 따라 드레인 전류가 변하는 DC 모델의 파라미터를 상기 측정한 게이트 전압에 대한 드레인 전압/전류 특성과 일치하도록 조정하여 모델링하는 단계를 포함하는 고주파단일집적회로 증폭기의 DC 모델링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 DC 모델은,전계 효과 트랜지스터(FET:Field Effect Transistor)인고주파단일집적회로 증폭기의 DC 모델링 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 파라미터는,드레인 전류의 크기에 영향을 주는 파라미터 및 드레인 전압의 변화량에 따른 전류의 변화량(기울기)에 영향을 주는 파라미터인고주파단일집적회로 증폭기의 DC 모델링 방법
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제 3 항에 있어서,상기 드레인 전류의 크기에 영향을 주는 파라미터는,"Beta" 이고,상기 기울기에 영향을 주는 파라미터는,"Lamda"인고주파단일집적회로 증폭기의 DC 모델링 방법
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제 3 항에 있어서,상기 드레인 전류의 크기에 영향을 주는 파라미터는,"Beta" 이고,상기 기울기에 영향을 주는 파라미터는,"Lamda"인고주파단일집적회로 증폭기의 DC 모델링 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.