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게이트로 단일모드 입력 신호(RFin)를 입력받아, 드레인을 통해 음(negative)의 신호를 출력하는 제 1 NMOS와 상기 제 1 NMOS의 드레인으로 출력되어 커패시터를 거친 음(negative)의 신호를 게이트로 입력받아 드레인으로 양(positive)의 신호를 출력하는 제 2 NMOS로 이루어져 단일모드 입력 신호(RFin)를 차동모드 신호로 변환하는 트랜스컨덕턴스부;소스단으로 상기 트랜스컨덕턴스부로부터 출력되는 음(negative)의 신호가 입력되는 제 3, 4, 7, 8 NMOS와 상기 트랜스컨덕턴스부로부터 출력되는 양(positive)의 신호가 입력되는 제 5, 6, 9, 10 NMOS로 이루어지고 로컬(LOI+, LOI-, LOQ+, LOQ-)에서 들어온 신호와 혼합한 후 각각의 드레인으로 전류성분을 출력하는 스위칭부;상기 스위칭부의 각각의 드레인에 저항이 연결되어 상기 스위칭부의 드레인으로부터 출력되는 전류 성분을 전압으로 변환하고, 출력하여 광대역 특성을 갖게 하는 부하 저항(R1, R2, R3, R4);상기 부하저항(R1, R2, R3, R4)의 각각의 저항에 연결되어, 상기 부하저항(R1, R2, R3, R4)에 흐르는 전류의 일부분을 내부로 흐르게 하여 상기 부하저항(R1, R2, R3, R4)의 전압이득을 향상시키는 전류 브리딩부;상기 부하저항(R1, R2, R3, R4)에 연결되어 Low pass filter 기능을 수행하여 출력단의 잡음특성을 향상시키는 커패시터(C1, C2, C3, C4)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광대역 하향 능동 혼합기
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