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우물이 형성된 반도체 기판에 있어서, 상기 우물의 측벽은 절연처리되며 상기 우물의 바닥은 절연막을 구비한 멤브레인인 우물이 형성된 반도체 기판;상기 우물의 내부에 위치하며 감지하고자 하는 물리량에 따라 전기적 특성이 변화하는 센서 물질;상기 멤브레인에 위치하며 상기 센서 물질을 일정 온도로 유지하기 위한 가열기; 및상기 센서 물질과 접촉하여 상기 센서 물질의 전기적 특성을 측정하는 전극을 구비하고, 상기 센서 물질은 절연체와 전도체의 혼합물로 구성된 것을 특징으로 하는 센서
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반도체 기판의 일면에 전극을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 일면에 멤브레인에 해당하는 절연막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 일면에 가열기를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판의 타면에서부터 상기 전극이 드러나도록 우물에 해당하는 부분을 제거하는 단계; 및 상기 우물의 내부에 센서 물질을 위치시키는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 센서 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계 이전에 절연막을 형성하는 단계를 추가적으로 구비한 것을 특징으로 하는 센서 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 가열기를 형성하는 단계 이후에 상기 가열기를 보호할 보호막을 형성하는 단계를 추가적으로 구비한 것을 특징으로 하는 센서 제조 방법
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제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 우물에 해당하는 부분을 제거하는 단계는 상기 기판의 타면에 벌크 식각 마스크를 형성하는 단계, 상기 기판의 타면에서부터 상기 전극이 드러나도록 우물에 해당하는 부분을 제거하는 단계, 및 상기 우물의 측벽에 해당하는 부분을 절연 처리하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 센서 제조 방법
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제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 멤브레인을 형성하는 단계는 실리콘 질화막을 증착하는 단계 및 실리콘 산화막을 증착하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 센서 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 전극 사이에 절연막을 추가적으로 구비한 것을 특징으로 하는 센서
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제 5 항에 있어서, 상기 멤브레인은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 이중막으로 구성된 것을 특징으로 하는 센서
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제 5 항에 있어서, 상기 물리량은 액체성분, 빛 또는 가스인 것을 특징으로 하는 센서
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