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유리 기판 상에 행과 열을 가진 매트릭스 형태로 픽셀이 배열된 전계 방출 디스플레이에 있어서, 상기 픽셀은, 상기 유리 기판 상에 형성된 강유전체 트랜지스터; 및 상기 강유전체 트랜지스터와 전기적으로 연결된 전계 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제1항에 있어서, 상기 강유전체 트랜지스터와 상기 전계 에미터는 상호 직렬회로로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제1항에 있어서, 상기 강유전체 트랜지스터는, 띠형의 게이트; 상기 게이트의 상부에 형성된 강유전체막; 상기 강유전체막 상에 절연막을 개재하고서 상기 게이트와 평행하게 형성된 플로팅 게이트; 상기 플로팅 게이트 상에 절연막을 개재하고서 형성된 비정질 실리콘 채널; 상기 비정질 실리콘 채널의 상부에 상기 플로팅 게이트를 사이에 배치하고서 소정거리 이격되어 양측에 형성된 소스와 드레인; 상기 소스와 드레인을 외부 단자와 연결시키는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제3항에 있어서, 상기 게이트는 불순물이 도핑된 전도성 폴리 실리콘(polycrystalline silicon)인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제3항에 있어서, 상기 강유전체막은 PZT, PLZT, BST 등의 페로브스카이트 물질 중 적어도 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제3항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 채널은 비정질 실리콘(amorphous silicon)에 N 형의 불순물이 도핑된 전도성 비정질 실리콘인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제6항에 있어서, 상기 N 형 불순물은 원자가 전자가 5가인 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등을 비롯하여 이들과 동일족 원소 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제3항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극은 금속재료로 형성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제8항에 있어서, 상기 금속재료는 일루미늄(Al), 백금(Pt) 및 금(Au), 구리(Cu) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제1항에 있어서, 상기 전계 에미터는, 상기 유리 기판 상에 형성된 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 형성되고, 상기 캐소드 전극이 노출되도록 소정의 개구부를 갖고 형성된 에미터용 게이트 절연막; 상기 개구부에 상기 캐소드 전극과 접촉하여 형성된 에미터팁; 및 상기 게이트 절연막 상에 개구부와 인접하여 형성된 에미터용 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제10항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 상기 강유전체 트랜지스터로부터 연장되어 형성된 드레인 전극인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제10항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막과 실리콘 질화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제10항에 있어서, 상기 에미터팁은 몰리브덴으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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제10항에 있어서, 상기 에미터용 게이트 전극은 금속막으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
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