광대역 가변특성을 갖는 저잡음 전류 제어 발진기에 있어서,

전원에 각각 연결되어 있는 제1 내지 제4 인덕터;

상기 제1 및 제2 인덕터에 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 트랜스콘덕터;

상기 제3 및 제4 인덕터에 각각 연결되어 있는 제3 및 제4 트랜스콘덕터;

상기 제3 및 제4 인덕터와 제1 및 제2 트랜스콘덕터에 연결되어 있는 제5 및 제6 트랜스콘덕터;

상기 제1 및 제2 인덕터와 제3 및 제4 트랜스콘덕터에 연결되어 있는 제7 및 제8 트랜스콘덕터;

상기 제5 및 제6 트랜스콘덕터의 접속점과 접지의 사이 및 상기 제7 및 제8 트랜스콘덕터의 접속점과 접지의 사이에 각각 연결되어 있는 주 전류원 조정수단; 및

상기 제1 및 제2 트랜스콘덕터의 접속점과 접지의 사이 및 상기 제3 및 제4 트랜스콘덕터의 접속점과 접지의 사이에 각각 연결되어 있는 보조 전류원 조정수단을 포함하되,

상기제1 내지 제4 트랜스콘덕터에는 각각 '주파수 가변 전류원(ITUNE)/2'의 전류가 공급이 되고 상기 제5 내지 제8 트랜스콘덕터에는 '(최대 주파수 가변 범위 제어용 전류원(IMAX)-주파수 가변 전류원(ITUNE))/2'의 전류가 공급하여 상기 주파수 가변 전류원(ITUNE)을 제어해서 상기 제1 내지 제4 트랜스콘덕터의 트랜스콘덕턴스를 변화시킴에 있어서 상기 제5 내지 제8 트랜스콘덕터를 상기 제1 내지 제4 트랜스콘덕터의 트랜스콘덕턴스와 반대방향으로 변화시킴으로써 주파수 가변범위를 넓히는 것을 특징으로 하는 광대역 가변특성을 갖는 저잡음 L-C 전류제어 발진기

제 1항에 있어서,

상기 제1 내지 제4 인덕터의 연결점에 바랙터 튜닝전압을 인가하여 더 넓은 가변범위를 갖도록 하기 위한 바랙터 다이오드(VD)

를 더 포함하는 광대역 가변특성을 갖는 저잡음 L-C 전류제어 발진기

제 1항 또는 제 2항에 있어서,

상기 제1 내지 제4 인덕터는,

반도체 공정으로 제작 가능한 스파이어럴(spiral) 인덕터를 채용하여 전체 발진기를 반도체 공정을 통해 집적화하는 것을 특징으로 하는 광대역 가변특성을 갖는 저잡음 L-C 전류 제어 발진기

제 3 항에 있어서,

상기 광대역 가변특성을 갖는 저잡음 L-C 전류 제어 발진기는,

2단 링 발진기와 L-C 발진기의 특성에 의해 진상위상 기법의 주파수 가변이 가능하게 이루어진 것을 특징으로 하는 광대역 가변특성을 갖는 저잡음 L-C 전류 제어 발진기

제 4항에 있어서,

상기 광대역 가변특성을 갖는 저잡음 L-C 전류 제어 발진기는,

주파수를 가변하기 위해서 진상위상 기법을 적용하되, 전류나 전압을 이용해서 트랜스콘덕터의 트랜스콘덕턴스의 비를 가변하여 광대역 가변이 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 광대역 가변특성을 갖는 저잡음 L-C 전류 제어 발진기