맞춤기술찾기
이전대상기술
파장가변형 반도체 레이저 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015087631
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 페브리 페롯(Fabri-Perot)필터와 전극 어레이를 포함하여 구성된 파장가변형 반도체레이저에 관한 것으로, 전극들에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 캐비티 내부에 광신호의 진행방향을 연속적으로 변화시킬 수 있으며, 인트라 캐비티 레이저 빔의 연속적인 각 변화에 의하여 넓은 파장대역에 걸쳐 연속적으로 파장가변이 가능하도록 한다. 파장가변형 반도체 레이저 |
|---|---|
| Int. CL | H01S 3/10 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020030020673 (2003.04.02) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0489809-0000 (2005.05.06) |
| 공개번호/일자 | 10-2004-0057864 (2004.07.02) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20050517) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020020083755 | 2002.12.24
|
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2003.04.02) |
| 심사청구항수 | 26 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박상기 | 대한민국 | 대전광역시서구 |
| 2 | 박문호 | 대한민국 | 대전광역시유성구 |
| 3 | 이지면 | 대한민국 | 대전광역시유성구 |
| 4 | 오수환 | 대한민국 | 부산광역시금정구 |
| 5 | 김경헌 | 대한민국 | 대전광역시유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2003.04.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2003-0116577-59 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2005.01.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2005.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0009044-82 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2005.04.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0197908-16 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 형성되며, 클래딩층에 의해 광신호를 가이드하는 곡선 형상의 광도파로; 상기 광도파로 일부분 상에 형성되며 광신호를 생성하는 활성영역; 상기 활성영역의 일측에 형성되며, 상기 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광신호의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이; 상기 광신호의 진행 방향의 변화에 따라서 선택된 일파장의 광신호만 필터링하는 페브리-페롯 필터; 및 상기 페브리-페롯 필터를 통과한 상기 일파장의 광신호를 반사하는 곡선 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 전극 어레이의 일전극은 상기 진행광이 입사하는 각과 출사하는 각이 서로 다르게 구성되고, 상기 일전극의 내부는 전기장 또는 전류의 인가에 따라서 외부와 다른 굴절율을 가지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 전극 어레이의 일전극은 삼각형 형상 또는 사다리꼴 형상인 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 활성 영역의 타측에 형성되며, 상기 광도파로로부터 전송되는 광신호를 출력하기 위한 출력 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 출력 미러는 곡선형 도파로에 새겨진 균일 격자를 구비하는 구조 또는 직선 도파로에 새겨진 처프(chirp)된 격자를 구비하는 구조인 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 페브리-페롯 필터와 상기 곡선 미러 사이에는 무반사박막이 더 포함된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 활성영역의 타측에 형성되며, 위상제어기가 더 포함된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 곡선 미러에는 반사코팅이 되어 있는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 광도파로는 페브리 페롯 필터로부터 반사된 빛이 광도파로를 탈출할 수 있도록 굽은 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 페브리-페롯 필터는 상기 반도체 레이저의 일파셋에 설치된 구조인 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서, 상기 페브리-페롯 필터는 TiO2/SiO2 또는 SiNx/SiO2 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 곡선 미러는 상기 페브리-페롯 필터의 상부에 형성된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서, 상기 페브리-페롯 필터는 상기 클래딩층과 상기 클래딩층과 굴절율이 상이한 절연물질이 수회 교대로 형성되어 캐비티 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 절연물질은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 15 |
15 제 13 항에 있어서, 상기 곡선 미러는 상기 페브리-페롯 필터로부터 통과된 광신호를 반사할 수 있도록 상기 페브리-페롯 필터의 측면에 금속 또는 유전물질로 형성된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저 |
| 16 |
16 기판 상에 하부 클래딩층의 버퍼층, 광도파로의 코어층 및 활성층을 형성하는 단계; 상기 코어층과 활성층을 패터닝하여, 상기 광도파로 일부분 상에 광신호를 생성하는 활성영역과 상기 광신호를 가이딩하는 곡선 형상의 광도파로 코어층을 형성하는 단계; 상기 전체 구조 상에 상부 클래딩층 및 오믹층을 증착하는 단계; 상기 형성된 광도파로 이외의 영역을 절연시키기 위하여 이온주입공정을 실시하는 단계; 상기 광도파로의 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광신호의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이를 포함하는 전극을 형성하여 반도체 레이저를 제조하는 단계; 및 상기 반도체 레이저의 일파셋에 페브리-페롯 필터와 곡선미러를 차례로 형성하는 단계를 포함하되, 상기 페브리-페롯 필터는 상기 전극어레이에 의한 상기 광신호의 진행 방향의 변화에 따라서 선택된 일파장의 광신호만 필터링하고, 상기 곡선 미러는 상기 페브리-페롯 필터를 통과한 상기 일파장의 광신호를 반사하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 페브리-페롯 필터는 TiO2/SiO2 또는 SiNx/SiO2 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 18 |
18 제 16 항에 있어서, 상기 페브리-페롯 필터와 상기 곡선 미러 사이에는 무반사박막을 형성하는 단계를 더 포함된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 19 |
19 기판 상에 하부 클래딩층의 버퍼층, 광도파로의 코어층 및 활성층을 형성하는 단계; 상기 코어층과 활성층을 패터닝하여, 상기 광도파로 일부분 상에 광신호를 생성하는 활성영역과 상기 광신호를 가이딩하는 곡선 형상의 광도파로 코어층을 형성하는 단계; 상기 전체 구조 상에 상부 클래딩층 및 오믹층을 증착하는 단계; 상기 형성된 광도파로 이외의 영역을 절연시키기 위하여 이온주입공정을 실시하는 단계; 상기 광도파로의 일영역에 상기 상부 클래딩층을 일정 간격 및 깊이를 갖는 홈의 그룹으로 식각하고 상기 홈에 상기 상부 클래딩층과 굴절율이 상이한 절연물질을 채워 페브리-페롯 필터를 제조하는 단계; 상기 페브리 페롯 필터의 측면에 곡선 미러를 형성하는 단계; 및 상기 페브리-페롯 필터와 상기 활성영역 사이의 광도파로 일정 부위에 전기장 또는 전류를 인가함으로써 상기 광도파로를 통하여 전송되는 광신호의 진행방향을 변화시키는 전극 어레이를 포함하는 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 페브리-페롯 필터는 상기 전극어레이에 의한 상기 광신호의 진행 방향의 변화에 따라서 선택된 일파장의 광신호만 필터링하고, 상기 곡선 미러는 상기 페브리-페롯 필터를 통과한 상기 일파장의 광신호를 반사하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 곡선 미러는 상기 페브리-페롯 필터로부터 통과된 광신호를 반사할 수 있도록 상기 페브리-페롯 필터의 측면에 금속 또는 유전물질로 형성된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 21 |
21 제 19 항에 있어서, 상부 클래딩층과 굴절율이 상이한 상기 절연물질은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 22 |
22 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전극 어레이의 일전극은 상기 진행광이 입사하는 각과 출사하는 각이 서로 다르게 형성하고, 상기 일전극의 내부는 전기장 또는 전류의 인가에 따라서 외부와 다른 굴절율을 가지는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 23 |
23 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 활성영역의 타측에 위상제어기를 형성하는 공정을 더 포함된 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 24 |
24 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 곡선 미러에 반사코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 25 |
25 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 활성 영역의 타측에, 상기 광도파로로부터 전송되는 광신호를 출력하기 위한 출력 미러를 제조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 26 |
26 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 출력 미러는 곡선형 도파로에 새겨진 균일 격자를 구비하는 구조 또는 직선 도파로에 새겨진 처프(chirp)된 격자를 구비하는 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 27 |
26 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 출력 미러는 곡선형 도파로에 새겨진 균일 격자를 구비하는 구조 또는 직선 도파로에 새겨진 처프(chirp)된 격자를 구비하는 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 파장가변형 반도체 레이저의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US07065108 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US07179669 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | US20040136415 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20060194358 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2004136415 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US2006194358 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US7065108 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US7179669 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0489809-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20030402 출원 번호 : 1020030020673 공고 연월일 : 20050517 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20050429 청구범위의 항수 : 26 유별 : H01S 3/10 발명의 명칭 : 파장가변형 반도체 레이저 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20150507 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 742,500 원 | 2005년 05월 09일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 649,000 원 | 2008년 04월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 612,000 원 | 2009년 05월 04일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 612,000 원 | 2010년 04월 30일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,088,000 원 | 2011년 04월 29일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,088,000 원 | 2012년 04월 30일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 1,088,000 원 | 2013년 04월 17일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,670,000 원 | 2014년 04월 21일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2003.04.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2003-0116577-59 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2005.01.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2005.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2005-0009044-82 |
| 4 | 등록결정서 | 2005.04.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2005-0197908-16 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
중요키워드
| [KST2016020020][한국전자통신연구원] | X-선 출력장치 및 이를 포함하는 이미징 장치(X-ray output device and imaging device including the same) | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015080079][한국전자통신연구원] | 광섬유 회절격자를 이용한 밀리미터파 발진기 | 새창보기 |
| [KST2015094540][한국전자통신연구원] | 단일모드 발진을 위한 하이브리드 레이저 다이오드 및 그제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015081049][한국전자통신연구원] | 중적외선 파장대 라만 광섬유 레이저 시스템 | 새창보기 |
| [KST2015097812][한국전자통신연구원] | 파장 가변 외부 공진 레이저 | 새창보기 |
| [KST2015089890][한국전자통신연구원] | 파장가변 외부공진 레이저 | 새창보기 |
| [KST2015086146][한국전자통신연구원] | 테라헤르츠파 송수신 소자용 패키지 모듈 | 새창보기 |
| [KST2015092620][한국전자통신연구원] | 테라헤르츠 연속파 발생 소자 | 새창보기 |
| [KST2015075650][한국전자통신연구원] | 광변조기 직접소자 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015087146][한국전자통신연구원] | 테라헤르츠파 검출기용 금속 그리드 모듈 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015085692][한국전자통신연구원] | 외부 공진 레이저 광원 | 새창보기 |
| [KST2015092147][한국전자통신연구원] | 자동 바이어스 및 변조 제어를 위한 레이저 드라이버 | 새창보기 |
| [KST2015090667][한국전자통신연구원] | 대면적 빔의 초점 위치 검출기구 | 새창보기 |
| [KST2015080112][한국전자통신연구원] | 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저다이오드 | 새창보기 |
| [KST2015083380][한국전자통신연구원] | 파장 가변 반도체 레이저 장치 | 새창보기 |
| [KST2015094064][한국전자통신연구원] | 수동과능동의혼합형으로모드로킹된레이저구도 | 새창보기 |
| [KST2015075311][한국전자통신연구원] | 반도체레이저의광출력안정화회로 | 새창보기 |
| [KST2015090073][한국전자통신연구원] | 사용자 선택형 레이저 및 이를 포함하는 광 송신기 | 새창보기 |
| [KST2014066756][한국전자통신연구원] | 체지방 성분에서 광흡수가 높은 파장대 고출력 광원 기술 개발 | 새창보기 |
| [KST2015095843][한국전자통신연구원] | 레이저 시스템 | 새창보기 |
| [KST2015085471][한국전자통신연구원] | 테라헤르츠파 발생/검출기 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015231090][한국전자통신연구원] | 펄스 레이저 생성기 및 생성 방법(APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING PULSE LASER) | 새창보기 |
| [KST2014045746][한국전자통신연구원] | 테라헤르츠 연속파 발생용 집적형 안테나 소자 모듈 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015076152][한국전자통신연구원] | 편광 스위칭 표면 방출 레이저 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015085905][한국전자통신연구원] | 파장 가변 광원 | 새창보기 |
| [KST2015091435][한국전자통신연구원] | 포토믹서 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016005509][한국전자통신연구원] | 파장 가변 광원(TUNABLE LIGHT SOURCE) | 새창보기 |
| [KST2015090905][한국전자통신연구원] | 라인 빔의 세기를 균등화하는 방법 및 시스템 | 새창보기 |
| [KST2015091416][한국전자통신연구원] | 광통신용 레이저 다이오드의 구동장치 | 새창보기 |
| [KST2015075759][한국전자통신연구원] | 반도체 레이저 모듈의 빔 정렬기구 및 정렬방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|