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스트레인드 베리드 채널을 구비하는 광소자

  • 기술번호 : KST2015087637
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스트레인드 베리드 채널 (strained buried channel) 영역을 구비하는 광소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 광소자는 제1 도전형의 반도체 기판과, 게이트 절연막과, 제2 도전형의 게이트와, 게이트의 아래에 형성되고 반도체 기판보다 더 높은 농도의 제1 도전형 불순물로 도핑된 고농도 불순물 확산 영역을 포함한다. 게이트 절연막과 반도체 기판과의 사이에는 고농도 불순물 확산 영역에 접촉되는 스트레인드 베리드 채널 영역이 연장되어 있다. 스트레인드 베리드 채널 영역은 반도체 기판 구성 물질과는 다른 격자 상수를 가지는 반도체 재료로 구성된다. 게이트 절연막과 상기 스트레인드 베리드 채널 영역과의 사이에는 반도체 캡층이 형성되어 있다. 스트레인드 베리드 채널, 광소자, MOS 커패시터형, 전하, 이동도, 광 변조
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060102036 (2006.10.19)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0833498-0000 (2008.05.23)
공개번호/일자 10-2008-0035386 (2008.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20080529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.19)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민봉기 대한민국 대전 유성구
2 박정우 대한민국 대전 유성구
3 김현수 대한민국 대전 서구
4 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0756341-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2007-0056608-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0567678-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0920246-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0920245-47
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0193448-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 위에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 위에 형성되고 상기 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 게이트와, 상기 반도체 기판에서 상기 게이트의 아래에 형성되어 있고 상기 반도체 기판보다 더 높은 농도의 제1 도전형 불순물로 도핑된 고농도 불순물 확산 영역과, 상기 반도체 기판 구성 물질과는 다른 격자 상수를 가지는 반도체 재료로 구성되고, 상기 고농도 불순물 확산 영역에 접촉되도록 상기 게이트 절연막과 상기 반도체 기판과의 사이에 연장되어 있는 스트레인드 베리드 채널 (strained buried channel) 영역과, 상기 게이트 절연막과 상기 스트레인드 베리드 채널 영역과의 사이에 형성되어 있는 반도체 캡층과, 상기 반도체 캡층 위에 형성되고 상기 게이트의 측벽 및 상기 게이트 절연막의 측벽을 덮는 전류 차단용 절연막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형은 p형이고, 상기 스트레인드 베리드 채널 영역은 압축 응력 (compressive stress)을 가지는 것을 특징으로 하는 광소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 스트레인드 베리드 채널 영역은 SiGe막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 스트레인드 베리드 채널 영역은 리트로그레이드 (retrograde) 도핑 프로파일을 가지는 것을 특징으로 하는 광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 스트레인드 베리드 채널 영역은 인장 응력 (tensile stress)을 가지는 것을 특징으로 하는 광소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 스트레인드 베리드 채널 영역은 SiC막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
7 7
제5항에 있어서, 상기 반도체 기판에서 상기 스트레인드 베리드 채널 영역의 아래에 형성되어 있는 SiGe 버퍼층을 더 포함하고, 상기 스트레인드 베리드 채널 영역은 인장 응력을 가지는 스트레인드 Si막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물 확산 영역은 상기 스트레인드 베리드 채널 영역에 각각 접촉되어 있는 제1 고농도 불순물 확산 영역 및 제2 고농도 불순물 확산 영역을 포함하고, 상기 제1 고농도 불순물 확산 영역 및 제2 고농도 불순물 확산 영역은 상기 반도체 기판에서 상기 게이트를 사이에 두고 상호 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 광소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 고농도 불순물 확산 영역 및 제2 고농도 불순물 확산 영역중 적어도 하나는 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 광소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 고농도 불순물 확산 영역은 상기 스트레인드 베리드 채널 영역에 접촉되어 있는 제1 고농도 불순물 확산 영역과, 상기 스트레인드 베리드 채널 영역에 접촉되지 않는 상태로 상기 반도체 기판에 형성되어 있는 제2 고농도 불순물 확산 영역을 포함하고, 상기 제1 고농도 불순물 확산 영역 및 제2 고농도 불순물 확산 영역은 상기 반도체 기판에서 상기 게이트를 사이에 두고 상호 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 광소자
11 11
제10항에 있어서, 상기 제1 고농도 불순물 확산 영역 및 제2 고농도 불순물 확산 영역중 적어도 하나는 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 광소자
12 12
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 양 표면 중 상기 게이트가 형성되는 주면의 반대측 배면에서 상기 반도체 기판을 덮도록 형성되고 상기 반도체 기판보다 낮은 굴절율을 가지는 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
13 13
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 SOI (silicon on insulator) 기판인 것을 특징으로 하는 광소자
14 14
삭제
15 15
제1항에 있어서, 상기 반도체 캡층은 상기 스트레인드 베리드 채널 영역의 상면으로부터 상기 게이트 절연막까지 연장되어 있는 돌출부를 포함하고, 상기 반도체 캡층의 돌출부 측벽은 상기 전류 차단용 절연막에 의해 덮여 있는 것을 특징으로 하는 광소자
16 16
제1항에 있어서, 상기 반도체 캡층은 Si 에피택셜층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
17 17
제1항에 있어서, 상기 게이트에 구동 전압을 인가하기 위하여 상기 전류 차단용 절연막 위에서 상기 게이트에 연결되어 있는 도전층과, 상기 도전층에 비아 콘택을 통해 연결되어 있는 금속 배선층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
18 18
제17항에 있어서, 상기 비아 콘택은 상기 게이트로부터 수평 방향으로 소정 거리 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 광소자
19 19
제17항에 있어서, 상기 도전층은 도핑된 폴리실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
지정국 정보가 없습니다
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2 US7928442 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2008048002 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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