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제조 공정과 특성 제어가 용이한 전력 집적회로 구조

  • 기술번호 : KST2015087640
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 제조 공정과 특성 제어가 용이한 전력 집적회로(Integrated Circuit, IC)에 관한 것이며, 그 불순물 확산 영역 형성이 용이하여, 소자의 특성을 용이하게 제어할 수 있는 구조를 가진 전력 집적회로를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 SOI(Silicon-On-Insulator) 기판의 활성 실리콘층에 제공되는 제1 도전형-LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터, 제2 도전형-LDMOS 트랜지스터 및 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터를 구비한 전력 집적회로에 있어서, 상기 제1 도전형-LDMOS 트랜지스터가 상기 활성 실리콘층 내의 깊은 제2 도전형 웰에 RESURF(REduced-SURface Field)형으로 제공되며, 상기 제2 도전형-LDMOS 트랜지스터가 상기 활성 실리콘층 내의 깊은 제2 도전형 웰에 비-RESURF형으로 제공되는 것을 특징으로 한다. 전력 집적회로, LDMOS, LIGBT, RESURF형, 비 RESURF형
Int. CL H01L 27/08 (2006.01)
CPC H01L 29/7824(2013.01) H01L 29/7824(2013.01) H01L 29/7824(2013.01) H01L 29/7824(2013.01)
출원번호/일자 1019990033494 (1999.08.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0534601-0000 (2005.12.01)
공개번호/일자 10-2001-0017802 (2001.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20051207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.02.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노태문 대한민국 대전광역시유성구
2 이대우 대한민국 대전광역시유성구
3 남기수 대한민국 대전광역시서구
4 구진근 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.08.14 수리 (Accepted) 1-1-1999-0095414-47
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
1999.09.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-0109846-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원심사청구서
Request for Examination
2004.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0065062-18
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0068909-87
8 등록결정서
Decision to grant
2005.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0597853-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
SOI(Silicon-On-Insulator) 기판의 활성 실리콘층에 제공되는 제1 도전형-LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터, 제2 도전형-LDMOS 트랜지스터와 및 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터를 구비한 전력 집적회로에 있어서, 상기 제1 도전형-LDMOS 트랜지스터가 상기 활성 실리콘층 내의 깊은 제2 도전형 웰에 RESURF(REduced-SURface Field)형으로 제공되며, 상기 제2 도전형-LDMOS 트랜지스터가 상기 활성 실리콘층 내의 깊은 제2 도전형 웰에 비-RESURF형으로 제공되는 것을 특징으로 하는 전력 집적회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형-LDMOS 트랜지스터가, 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제2 도전형 불순물 웰; 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제1 도전형 불순물 드리프트; 상기 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 고농도의 제2 도전형 불순물 접합, 고농도의 제1 도전형 불순물 접합 및 고농도의 제1 도전형 불순물 보조 접합; 상기 제1 도전형 불순물 드리프트에 제공되는 제1 도전형 불순물 보조 드리프트; 및 상기 제1 도전형 불순물 보조 드리프트에 제공되는 고농도의 제1 도전형 불순물 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 집적회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 도전형-LDMOS 트랜지스터가, 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제1 도전형 불순물 웰; 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제2 도전형 불순물 보조 드리프트; 상기 제1 도전형 불순물 웰에 제공되는 고농도의 제1 도전형 불순물 접합 및 고농도의 제2 도전형 불순물 접합; 및 상기 제2 도전형 불순물 보조 드리프트에 제공되는 고농도의 제2 도전형 불순물 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 집적회로
4 4
SOI(Silicon-On-Insulator) 기판의 활성 실리콘층에 제공되는 제1 도전형-LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor), 제2 도전형-LIGBT, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터를 구비한 전력 집적회로에 있어서, 상기 제1 도전형-LIGBT가 상기 활성 실리콘층 내의 깊은 제2 도전형 웰에 RESURF(REduced-SURface Field)형으로 제공되며, 상기 제2 도전형-LIGBT가 상기 활성 실리콘층 내의 깊은 제2 도전형 웰에 비-RESURF(REduced-SURface Field)형으로 제공되는 것을 특징으로 하는 전력 집적회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 제1 도전형-LIGBT가, 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제2 도전형 불순물 웰; 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제1 도전형 불순물 드리프트; 상기 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 고농도의 제2 도전형 불순물 접합, 고농도의 제1 도전형 불순물 접합, 고농도의 제1 도전형 불순물 보조 접합; 상기 제1 도전형 불순물 드리프트에 제공되는 제1 도전형 불순물 보조 드리프트; 및 상기 제1 도전형 불순물 보조 드리프트에 제공되는 고농도의 제2 도전형 불순물 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 집적회로
6 6
제4항에 있어서, 상기 제2 도전형-LIGBT가, 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제1 도전형 불순물 웰; 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제2 도전형 불순물 보조 드리프트; 상기 제1 도전형 불순물 웰에 제공되는 고농도의 제1 도전형 불순물 접합 및 고농도의 제2 도전형 불순물 접합; 및 상기 제2 도전형 불순물 보조 드리프트에 제공되는 고농도의 제1 도전형 불순물 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 집적회로
7 6
제4항에 있어서, 상기 제2 도전형-LIGBT가, 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제1 도전형 불순물 웰; 상기 깊은 제2 도전형 불순물 웰에 제공되는 제2 도전형 불순물 보조 드리프트; 상기 제1 도전형 불순물 웰에 제공되는 고농도의 제1 도전형 불순물 접합 및 고농도의 제2 도전형 불순물 접합; 및 상기 제2 도전형 불순물 보조 드리프트에 제공되는 고농도의 제1 도전형 불순물 접합을 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 집적회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.