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디니트로티오펜 그룹과, 티올 유도체가 도입된 아미노벤젠 그룹과, 상기 디니트로티오펜 그룹과 상기 아미노벤젠 그룹과의 사이에 연결되어 있는 아조 그룹을 가지는 아조 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자용 화합물
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제1항에 있어서, 상기 티올 유도체가 도입된 아미노벤젠 그룹은 링 구조를 제공하는 디설파이드 그룹(-S-S-)을 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자용 화합물
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제2항에 있어서, 상기 아조 화합물은 다음 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자용 화합물
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제1항에 있어서, 상기 아조 화합물은 티오아세테이트 그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자용 화합물
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제4항에 있어서, 상기 아조 화합물은 다음 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자용 화합물
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6
제4항에 있어서, 상기 아조 화합물은 다음 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자용 화합물
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아닐린 및 아닐린 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나와 황화물을 반응시켜 티올 유도체가 도입된 아미노벤젠 화합물을 제조하는 단계와, 2-아미노-3,5-디니트로티오펜으로부터 디아조니움(diazonium) 중간체 화합물을 형성하는 단계와, 티올 유도체가 도입된 아미노벤젠 화합물과 상기 디아조니움 중간체 화합물을 아조 커플링 반응시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자용 화합물의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 티올 유도체가 도입된 아미노벤젠 화합물은 다음 식들로 표시되는 어느하나의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자용 화합물의 제조 방법
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제1 전극과, 상기 제1 전극 위에 형성된 제2 전극과, 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 개재되어 있는 분자 활성층을 포함하고, 상기 분자 활성층은 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 따른 분자 전자 소자용 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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10
제9항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 온 상태 및 오프 상태 사이에서 상호 스위칭 가능한 스위치 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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11
제9항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 제1 전극과 제2 전극과의 사이에 인가되는 전압에 따라 소정의 전기 신호를 저장하는 메모리 소자를 구성하는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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12
제9항에 있어서, 상기 분자 활성층은 상기 아조 화합물의 티올 유도체를 정착기로 하여 상기 제1 전극 위에 자기조립되어 있는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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13
제9항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 금, 백금, 은 또는 크롬으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자 소자
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