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가변 임피던스 매칭회로

  • 기술번호 : KST2015087746
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제어신호에 의해 임피던스 매칭(matching)을 할 수 있는 가변 임피던스 매칭회로에 관한 것으로, 스터브(stub)를 이용하는 매칭회로에서는 전송선로의 전기적 길이를 외부 제어신호에 의해 가변시켜 가변 임피던스 매칭회로를 구현한다. 그리고 집중소자인 인덕턴스 및 캐패시턴스를 사용하는 L형 또는 파이(π) 형 매칭회로에서는, 외부 제어신호에 의해 회로망의 토폴로지를 변화시키거나 각 집중소자를 제어가 가능한 가변 인덕턴스 및 가변 캐패시턴스로 구성하여 임피던스 값을 변화시켜 가변임피던스 매칭회로를 구현한다. 따라서 본 발명에 의한 가변 임피던스 매칭회로를 이용하여 임의의 임피던스로부터 매칭을 하려는 임피던스로 전기적으로 제어가 가능하고, 가변 임피던스 매칭회로가 속한 고주파회로를 제어할 수 있어 임의의 RF 신호원(source)로부터 임의의 복소부하로 매칭회로를 구현할 수 있게 된다.가변 매칭, 가변 인덕턴스, 가변 캐패시턴스
Int. CL H03H 7/38 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020075751 (2002.12.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0048005 (2004.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박필재 대한민국 대전광역시유성구
2 김천수 대한민국 대전광역시유성구
3 박문양 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2002-0399233-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2004-0034224-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0393076-42
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2005.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0063339-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

전송선로에 직렬 또는 병렬로 연결된 적어도 하나의 스터브 라인을 갖는 가변 임피던스 매칭회로에 있어서,

상기 스터브 라인 및 전송선로는 N 개의 전송선로 가변 블럭을 포함하고,

상기 전송선로 가변 블럭은 외부에서 입력된 제어신호에 의해 동작하는 스위치를 이용하여 전송선로의 전기적 길이를 변형시키는 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로

2 2

제1 항에 있어서,

상기 스위치는 MOSFET 또는 PIN Diode로 구현되는 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로

3 3

집중소자를 이용하는 파이(π) 형 가변 임피던스 매칭회로에 있어서,

제1 집중소자, 제2 집중소자 및 제3 집중소자가 파이 형으로 연결되고,

상기 각 집중소자들의 접속점에는 외부에서 입력된 제어신호에 의해 동작하는 스위치들이 연결되며, 상기 스위치들을 이용하여 입/출력 포트 또는 접지가 선택됨으로써 토폴로지가 변형되는 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로

4 4

제3 항에 있어서,

상기 제1 집중소자, 제2 집중소자 및 제3 집중소자는 가변 인덕턴스 또는 가변 캐패시턴스인 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로

5 5

집중소자를 이용하는 L 형 가변 임피던스 매칭회로에 있어서,

제1 집중소자 및 제2 집중소자가 L 형으로 연결되어 상기 제1 집중소자 및 제2 집중소자의 접속점은 출력 포트에 연결되고,

상기 제1 집중소자 및 제2 집중소자의 각 타측에는 외부에서 입력된 제어신호에 의해 동작하는 스위치들이 연결되며, 상기 스위치를 이용하여 입/출력 포트 또는 접지가 선택됨으로써 토폴로지가 변형되는 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로

6 6

제5 항에 있어서,

상기 제1 집중소자 및 제2 집중소자는 가변 인덕턴스 또는 가변 캐패시턴스인 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로

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