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전송선로에 직렬 또는 병렬로 연결된 적어도 하나의 스터브 라인을 갖는 가변 임피던스 매칭회로에 있어서, 상기 스터브 라인 및 전송선로는 N 개의 전송선로 가변 블럭을 포함하고, 상기 전송선로 가변 블럭은 외부에서 입력된 제어신호에 의해 동작하는 스위치를 이용하여 전송선로의 전기적 길이를 변형시키는 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로
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제1 항에 있어서, 상기 스위치는 MOSFET 또는 PIN Diode로 구현되는 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로
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집중소자를 이용하는 파이(π) 형 가변 임피던스 매칭회로에 있어서, 제1 집중소자, 제2 집중소자 및 제3 집중소자가 파이 형으로 연결되고, 상기 각 집중소자들의 접속점에는 외부에서 입력된 제어신호에 의해 동작하는 스위치들이 연결되며, 상기 스위치들을 이용하여 입/출력 포트 또는 접지가 선택됨으로써 토폴로지가 변형되는 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로
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제3 항에 있어서, 상기 제1 집중소자, 제2 집중소자 및 제3 집중소자는 가변 인덕턴스 또는 가변 캐패시턴스인 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로
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집중소자를 이용하는 L 형 가변 임피던스 매칭회로에 있어서, 제1 집중소자 및 제2 집중소자가 L 형으로 연결되어 상기 제1 집중소자 및 제2 집중소자의 접속점은 출력 포트에 연결되고, 상기 제1 집중소자 및 제2 집중소자의 각 타측에는 외부에서 입력된 제어신호에 의해 동작하는 스위치들이 연결되며, 상기 스위치를 이용하여 입/출력 포트 또는 접지가 선택됨으로써 토폴로지가 변형되는 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로
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제5 항에 있어서, 상기 제1 집중소자 및 제2 집중소자는 가변 인덕턴스 또는 가변 캐패시턴스인 것을 특징으로 하는 가변 임피던스 매칭회로
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