맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 제조장치

  • 기술번호 : KST2015087782
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품격의 CIGS 광흡수층을 형성할 수 있는 반도체 제조장치를 개시한다. 그의 장치는 챔버 하부에서 기판을 로딩하는 척에 대향되는 상기 챔버 상부에 형성된 타깃과, 상기 기판 상에서 상기 타깃으로부터 스퍼터링된 물질과 반응되는 반응원료 가스를 상기 기판에 분사하는 반응원료 가스 주입구와, 상기 타깃을 스퍼터링시키는 플라즈마 가스를 상기 타깃으로 분사하는 노즐을 포함한다. 플라즈마 가스 노즐에서 분사되는 플라즈마 가스는 반응원료 가스에 의해 타깃이 오염되는 것을 방지하여 고품격의 CIGS 광흡수층을 형성시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/203 (2014.01) C23C 14/34 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01) C23C 14/0623(2013.01)
출원번호/일자 1020100039115 (2010.04.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0027537 (2011.03.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090084580   |   2009.09.08
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.27)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박래만 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0273253-07
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0480236-81
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0762473-85
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0762474-20
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0008624-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 하부에서 기판을 로딩하는 척에 대향되는 상기 챔버 상부에 형성된 타깃;상기 기판 상에서 상기 타깃으로부터 스퍼터링된 물질과 반응되는 반응원료 가스를 상기 기판에 분사하는 반응원료 가스 주입구; 및상기 반응원료 가스 주입구에서 분사되는 상기 반응원료 가스에 의한 타깃의 오염을 방지하기 위해, 상기 타깃을 스퍼터링시키는 플라즈마 가스를 상기 타깃으로 분사하는 노즐을 포함하는 반도체 제조장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 노즐은 상기 타깃에서 이격되는 갭을 갖고 상기 타깃의 둘레를 감싸는 에지 링을 포함하는 반도체 제조장치
3 3
제 2 항에 있어서,상기 에지 링은 상기 타깃의 측부에서 하부 평탄면으로 굽은 금속 앵글을 포함하는 반도체 제조장치
4 4
제 3 항에 있어서,상기 타깃 측부의 상기 앵글 외곽을 둘러싸는 쉴드를 더 포함하는 반도체 제조장치
5 5
제 4 항에 있어서,상기 쉴드는 상기 노즐과 타깃을 노출시키는 금속 튜브를 포함하는 반도체 제조장치
6 6
제 1 항에 있어서,상기 챔버 내부의 상기 플라즈마 가스 및 상기 반응원료 가스를 포함하는 공기를 펌핑하는 진공 펌프; 및 상기 진공 펌프와 상기 챔버 사이에 연결되고, 상기 반응원료 가스 주입구의 말단과, 상기 기판의 중심을 지나는 연장선 상의 상기 챔버 하단에 입구를 갖는 배기 라인을 더 포함하는 반도체 제조장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.