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반도체 가스 센서

  • 기술번호 : KST2015087921
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 가스 센서에 관한 것으로, 기저와, 상기 기저 상에 배치된 전극과, 상기 기저 상에 배치되어 상기 전극과 전기적으로 연결된 하부 감지막과, 그리고 상기 하부 감지막을 감싸며, 미세 기둥들 사이에 틈들을 포함하는 박막으로 구성된 상부 감지막을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 미세 기둥 구조를 갖는 상부 감지막을 하부 감지막 위에 형성하여 가스 군의 입자 크기에 따라 가스 감지 신호를 얻을 수 있어서 선택적인 가스 검출을 할 수 있게 된다. 반도체 가스 센서, 선택적 가스 감지, 금속산화물, 경사 증착
Int. CL H01L 29/84 (2006.01)
CPC G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1020070132335 (2007.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0959134-0000 (2010.05.13)
공개번호/일자 10-2009-0064947 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100525) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송현우 대한민국 대전 서구
2 고상춘 대한민국 대전 유성구
3 전치훈 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 임경자 충청북도 청주시 흥덕구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0905964-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022330-34
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0432362-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0684146-24
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0684152-09
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0179618-21
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기저와; 상기 기저 상에 배치된 하부 감지막과; 그리고 상기 하부 감지막을 감싸며, 미세 기둥들로 이루어진 상부 감지막을; 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 상부 감지막은 상기 미세 기둥들 사이의 틈들에 비해 작은 크기를 갖는 가스를 선택적으로 통과시키는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
3 3
제1항에 있어서, 상기 상부 감지막은 상기 하부 감지막에 비해 저항값이 큰 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
4 4
제3항에 있어서, 상기 상부 감지막은 산화타이타늄(TiO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
5 5
제3항에 있어서, 상기 하부 감지막은 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화텅스텐(WO3), 산화타이타늄(TiO2), 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
6 6
제1항에 있어서, 상기 미세 기둥들은 상기 하부 감지막의 표면에 대해 일정한 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
7 7
제1항에 있어서, 상기 상부 감지막의 미세 기둥들 사이의 틈들은 서로 다른 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
8 8
제1항에 있어서, 상기 하부 감지막과 전기적으로 연결된 전극과; 그리고 상기 상하부 감지막으로 전달되는 열을 발생시키는 마이크로 히터를; 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가스 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 건강관리용 모듈 시스템