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플라스틱 기판 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015087957
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라스틱 기판 및 이의 제조 방법이 제공된다. 이 플라스틱 기판의 제조 방법은 유기 기판 상에 반응성 모노머들을 포함하는 조성물을 도포하는 단계 및 반응성 모노머들을 고분자화하여 보호막을 형성하는 단계를 포함한다. 보호막을 형성하기 위한 반응성 모노머들은 하기의 화학식 1 내지 화학식 3 중 선택될 수 있다. 003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 003c#화학식 3003e# 플라스틱 기판, 내화학성, 경직성
Int. CL C09D 133/04 (2006.01) C08K 5/151 (2006.01) C08J 7/04 (2006.01) C08K 3/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090087734 (2009.09.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0029881 (2011.03.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.16)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기현 대한민국 대전광역시 유성구
2 김용해 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0570805-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087793-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0755751-10
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0443997-95
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
유기 기판 상에 반응성 모노머들을 포함하는 보호막용 조성물을 도포하는 단계; 및 상기 반응성 모노머들을 고분자화하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 반응성 모노머들은 하기의 화학식 1 내지 3 중 선택된 적어도 하나의 화학식을 갖는 플라스틱 기판의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 반응성 모노머들을 고분자화하는 단계는 상기 조성물 내에 하기의 화학식 4 및 5 중 선택된 적어도 하나를 첨가하는 것을 포함하되, 하기 화학식 4에서 X는 수소, 탄소수 3개 이하의 알킬기 또는 탄소수 3개 이하의 알케닐기에서 선택되는 플라스틱 기판의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 반응성 모노머들을 고분자화하는 단계는 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 선택된 적어도 하나를 첨가하는 것을 더 포함하되, 하기 화학식 6 내지 화학식 8의 R1, R2, 및 R3는, 1 내지 30개의 탄소로 포함하며 말단에 3개 이하의 에폭시 그룹을 포함하는 아로마틱(aromatic) 또는 알리파틱(aliphatic) 그룹 중에서 선택되는 플라스틱 기판의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 조성물은 상기 조성물 내에 분산된 무기 나노 입자들을 더 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 무기 나노 입자들은 상기 조성물 내에서 분산계를 구성하는 플라스틱 기판의 제조방법
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 무기 나노 입자들은 100nm이하의 직경을 갖는 플라스틱 기판의 제조방법
7 7
청구항 4에 있어서, 상기 조성물 내의 상기 무기 나노 입자들의 함량은 5 내지 40 wt%인 플라스틱 기판의 제조방법
8 8
청구항 4에 있어서, 상기 무기 나노 입자들은 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘, 스멕타이트(smectite), 카올리나이트(kaolinite), 딕카이트(dickite), 나크라이트(nacrite), 할로이사이트(halloysite), 안티고라이트(antigorite), 크리소타일(chrysotile), 피로필라이트(pyrophyllite), 몬모릴로나이트(montmorillonite), 헥토라이트(hectorite), 테트라실릴릭마이카, 나트륨테니올라이트, 백운모, 진주운모, 활석, 버미큘라이트(vermiculite), 금운모, 잔소피라이트 및 녹니석 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 조성물은 습식 공정에 의해 도포되는 플라스틱 기판의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 습식 공정은 스핀 코팅, 딥 코팅 및 바 코팅 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법
11 11
청구항 1에 있어서, 상기 조성물은 중합 개시제를 더 포함하되, 상기 중합 개시제는 광 개시제, 열 개시제, 라디칼 개시제 및 산 개시제 중 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법
12 12
청구항 1에 있어서, 상기 기판 상에 도포되는 조성물은 상기 반응성 모노머들이 용해되는 유기 용매를 더 포함하되, 상기 유기 용매는 상기 고분자화하는 단계 및/또는 상기 고분자화 이후에 제거되는 플라스틱 기판의 제조방법
13 13
유기 기판; 상기 유기 기판 상의 무기물 및 하기 화학식 1 내지 3 중 적어도 하나를 포함하는 반응성 모노머들에 의해 형성되는 유기 고분자를 포함하는 보호막을 포함하는 플라스틱 기판
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 보호막은 상기 보호막 내에 분산된 무기 나노 입자를 더 포함하는 플라스틱 기판
15 15
청구항 13에 있어서, 상기 유기 고분자는 하기 화학식 4 및 5 중 선택된 적어도 하나의 모노머를 더 포함하되, 하기 화학식 4에서 X는 수소, 탄소수 3개 이하의 알킬기 또는 탄소수 3개 이하의 알케닐기에서 선택되는 플라스틱 기판
16 16
청구항 13에 있어서, 상기 유기 고분자는 하기 화학식 6 내지 화학식 8 중 선택된 적어도 하나의 모노머를 더 포함하되, 하기 화학식 6 내지 화학식 8의 R1, R2, 및 R3는, 1 내지 30개의 탄소로 포함하며 말단에 3개 이하의 에폭시 그룹을 포함하는 아로마틱(aromatic) 또는 알리파틱(aliphatic) 그룹 중에서 선택되는 플라스틱 기판
17 17
청구항 13에 있어서, 상기 보호막의 두께는 0
18 18
청구항 13에 있어서, 상기 보호막은 상기 유기 기판의 상부면 및 하부면 상에 배치되는 플라스틱 기판
지정국 정보가 없습니다
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1 JP23066376 JP 일본 FAMILY
2 US20110064945 US 미국 FAMILY

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1 JP2011066376 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2011064945 US 미국 DOCDBFAMILY
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