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태양 전지 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015088007
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	태양 전지가 제공된다. 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상의 제 1 반도체층, 상기 제 1 반도체층 상의 제 2 반도체층, 및 상기 제 2 반도체층 상의 제 2 전극이 제공된다. 상기 제 2 반도체층은 그 상면의 결정립계를 따라 그물형상으로 배치된 나노선을 포함한다.
Int. CL	H01L 31/042 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자	1020120145575 (2012.12.13)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-2011852-0000 (2019.08.12)
공개번호/일자	10-2014-0077265 (2014.06.24) 문서열기
공고번호/일자	(20190820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.12.13)
심사청구항수	20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	정문연	대한민국	대전 유성구
2	양승경	대한민국	대전 유성구
3	송기봉	대한민국	대전 서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-1038774-74
2	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2013.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0433108-18
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2013.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0433735-14
4	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0045356-47
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2017.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2017-1242656-53
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2018.10.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0735712-00
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2018.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2018-1324681-20
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2018.12.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-1324682-76
10	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2019.03.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0183537-03
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2019.04.11	수리 (Accepted)	1-1-2019-0374385-37
12	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2019.04.11	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2019-0374386-83
13	등록결정서 Decision to Grant Registration	2019.05.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0353721-96

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 배치되어 제 1 결정립계를 갖는 제 1 반도체층;상기 제 1 반도체층 상에 배치되어 상기 제 1 결정립계와 다른 제 2 결정립계와, 상기 제 2 결정립계 상에 배치되어 상기 제 2 결정립계보다 넓은 리세스 영역을 갖는 제 2 반도체층;상기 제 2 반도체층의 상면의 상기 제 2 결정립계를 따라 그물형상을 갖는 나노선; 및상기 나노선 및 상기 제 2 반도체 층의 일부 상에 배치된 제 2 전극을 포함하되,상기 나노선은 상기 제 2 결정립계 상의 상기 리세스 영역 내에 배치되어 상기 제 1 결정립계와 독립적으로 분리되는 태양 전지
2	2 제 1 항에 있어서,상기 나노선의 두께는 상기 제 2 반도체층의 두께의 절반 이하인 태양 전지
3	3 제 1 항에 있어서,상기 나노선의 폭은 10Å내지 100Å인 태양 전지
4	4 제 1 항에 있어서,상기 나노선은 금속을 포함하는 태양 전지
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 2 반도체층 n형 실리콘이고, 상기 제 1 반도체층은 p형 실리콘인 태양 전지
6	6 제 5 항에 있어서,상기 제 1 반도체층은 그 하면의 상기 제 1 결정립계를 따라 그물형상으로 배치된 나노선을 포함하는 태양 전지
7	7 제 5 항에 있어서,상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층은 다결정 실리콘인 태양 전지
8	8 제 1 항에 있어서,상기 나노선은 상기 태양 전지에 입사된 빛의 세기를 증가시키는 태양 전지
9	9 제 1 전극 상에 제 1 결정립계를 갖는 제 1 반도체층을 형성하는 것;상기 제 1 반도체층의 상부에 상기 제 1 결정립계와 다른 제 2 결정립계를 갖는 제 2 반도체층을 형성하는 것;상기 제 2 반도체층의 상면에 노출된 제 2 결정립계를 식각하여 상기 제 2 결정립계의 폭보다 넓은 폭을 갖는 리세스 영역을 형성하는 것; 및상기 리세스 영역 내에 나노선을 형성하는 것을 포함하되,상기 나노선은 상기 제 1 결정립계와 독립적으로 분리되는 태양 전지의 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 리세스 영역을 형성하는 것은 습식 식각 공정을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
11	11 제 10 항에 있어서,상기 습식 식각 공정은 크롬산을 포함하는 식각액으로 수행되는 태양 전지의 제조 방법
12	12 제 9 항에 있어서,상기 리세스 영역을 형성하는 것은 건식 식각 공정을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
13	13 제 9 항에 있어서,상기 리세스 영역 내에 나노선을 형성하는 것은:상기 리세스 영역을 채우는 금속층을 형성하는 것: 및상기 리세스 영역 외부의 금속층을 제거하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
14	14 제 13 항에 있어서,상기 리세스 영역 외부의 금속층을 제거하는 것은 CMP 공정 또는 에치백 공정을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15	15 제 9 항에 있어서,상기 리세스 영역의 폭은 10Å내지 100Å으로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
16	16 제 9 항에 있어서,상기 리세스 영역의 깊이는 상기 제 2 반도체층 두께의 절반 이하로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
17	17 제 9 항에 있어서,상기 제 2 반도체층을 형성하는 것은 상기 제 1 반도체층의 상부에 상기 제 1 반도체층의 도전형과 다른 도전형의 도펀트들을 이온 주입하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
18	18 제 9 항에 있어서,상기 제 1 반도체층의 하면에 나노선을 형성하는 것을 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
19	19 제 18 항에 있어서,상기 제 1 반도체층의 하면에 나노선을 형성하는 것은:상기 제 1 반도체층의 하면에 노출된 상기 제 1 결정립계를 식각하여 리세스 영역을 형성하는 것; 및상기 리세스 영역 내에 나노선을 형성하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
20	20 제 9 항에 있어서,상기 제 1 반도체층의 하면에 제 1 전극을 형성하는 것; 및상기 제 2 반도체층의 상면에 제 2 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
21	21 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US09379260	US	미국	FAMILY
2	US20140166097	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2014166097	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US9379260	US	미국	DOCDBFAMILY

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순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	한국전자통신연구원	신기술융합형 성장동력사업	생체진단가능 시각/미각 수용체 기반 센싱 기술 개발

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-2011852-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20121213 출원 번호 : 1020120145575 공고 연월일 : 20190820 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20190517 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 태양 전지 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	412,500 원	2019년 08월 13일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-1038774-74
2	[출원서등 보정]보정서	2013.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0433108-18
3	[출원서등 보정]보정서	2013.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2013-0433735-14
4	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.16	수리 (Accepted)	1-1-2015-0045356-47
5	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2017.12.13	수리 (Accepted)	1-1-2017-1242656-53
7	의견제출통지서	2018.10.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0735712-00
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2018.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2018-1324681-20
9	[명세서등 보정]보정서	2018.12.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2018-1324682-76
10	거절결정서	2019.03.12	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0183537-03
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2019.04.11	수리 (Accepted)	1-1-2019-0374385-37
12	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2019.04.11	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2019-0374386-83
13	등록결정서	2019.05.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0353721-96

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