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열전소자, 열전소자 모듈, 및 그 열전 소자의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015088012
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열전소자, 열전소자 모듈, 및 그 열전 소자의 형성 방법을 제공한다. 상기 소자는 하나의 이상의 제1 장벽영역을 포함하는 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어, 하나의 이상의 제2 장벽영역을 포함하는 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어, 제1 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제1 전극, 제2 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제2 전극, 및 제1 반도체 나노와이어의 타단 및 제2 반도체 나노와이어 타단에 연결된 공통 전극을 포함한다. 제1 장벽 영역의 열전도도(thermal conductivity)는 제1 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고, 제2 장벽 영역의 열전도도는 제2 반도체 나노와이어의 열전도도보다 클 수 있다.열전 소자, 반도체 나노 와이어, 열적 장벽
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/00 (2006.01) H01L 35/32 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080118110 (2008.11.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1249292-0000 (2013.03.26)
공개번호/일자 10-2010-0059364 (2010.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20130401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.26)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장문규 대한민국 대전광역시 유성구
2 전명심 대한민국 대전광역시 유성구
3 노태문 대한민국 대전광역시 유성구
4 김종대 대한민국 대전광역시 유성구
5 정태형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이홍근 경기도 고양시 일산동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0815778-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0770318-26
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0159053-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0159052-54
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0513515-43
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0888971-97
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0888970-41
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0186433-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나의 제1 장벽영역을 포함하는 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어;적어도 하나의 제2 장벽영역을 포함하는 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어;상기 제1 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제1 전극;상기 제2 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제2 전극; 및상기 제1 반도체 나노와이어의 타단 및 상기 제2 반도체 나노와이어 타단에 연결된 공통 전극을 포함하되,상기 제1 장벽 영역의 열전도도(thermal conductivity)는 상기 제1 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고, 상기 제2 장벽 영역의 열전도도는 상기 제2 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고,상기 제1 및 제2 반도체 나노와이어들은 실리콘 나노와이어이고, 상기 제1 및 제2 장벽영역들은 상기 실리콘 나노와이어로부터 형성된 금속 실리사이드인 열전소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 장벽 영역의 전기 전도도(electric conductivity)는 상기 제1 반도체 나노와이어의 전기 전도도 이상인 것을 특징으로 하는 열전소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 제2 장벽 영역의 전기 전도도는 상기 제2 반도체 나노와이어의 전기전도도 이상인 것을 특징으로 하는 열전소자
4 4
제2 항에 있어서,상기 제1 장벽 영역과 상기 제1 반도체 나노와이어는 옴익 접합을 이루고,상기 제2 장벽 영역과 상기 제2 반도체 나노와이어는 옴익 접합을 이루는 것을 특징으로 하는 열전소자
5 5
제1 항에 있어서,상기 제1 도전형은 N형이고, 상기 제2 도전형은 P형인 것을 특징으로 하는 열전소자
6 6
제1 항에 있어서,상기 제1 반도체 나노와이어 및 상기 제2 반도체 나노와이어는 Si 및 Ge 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
7 7
제6 항에 있어서,상기 제1 장벽영역 또는 상기 제2 장벽영역은 Si-금속 화합물, Ge-금속 화합물, 및 Si-Ge 금속 화합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
8 8
제1 항에 있어서,상기 제1 도전형은 N형이고, 상기 제2 도전형은 P형이고, 상기 제1 장벽 영역은 어븀실리사이드이고, 상기 제2 장벽 영역은 백금실리사이드인 것을 특징으로 하는 열전소자
9 9
제1 항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 공통 전극은 도핑된 반도체, 금속, 금속화합물 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 소자
10 10
제1 항에 있어서,상기 공통 전극은 제1 공통 전극 및 제2 공통 전극을 포함하되,상기 제1 공통 전극은 상기 제1 전극과 같은 물질을 포함하고, 상기 제2 공통 전극은 제2 전극과 같은 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 소자
11 11
제1 항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 공통 전극은 반도체/금속실리사이드, 반도체/금속화합물, 및 반도체/금속 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 소자
12 12
제1 항에 있어서,상기 제1 반도체 나노와이어와 상기 제1 전극은 옴익 접합(Ohmic contact)을 형성하고, 상기 제2 반도체 나노와이어와 상기 제2 전극은 옴익 접합(Ohmic contact)을 형성하는 것을 특징으로 하는 열전 소자
13 13
제12 항에 있어서,상기 제1 반도체 나노와이어와 상기 공통 전극은 옴익 콘택을 형성하고,상기 제2 반도체 나노와이어와 상기 공통 전극은 옴익 콘택을 형성하는 것을 특징으로 하는 열전 소자
14 14
제1 항에 있어서,지지 기판을 더 포함하되,상기 제1 반도체 나노와이어 및 상기 제 2 반도체 나노 와이어는 상기 지지 기판의 평면과 평행하게 연장되는 것을 특징으로 하는 열전 소자
15 15
제14 항에 있어서,상기 지지기판과 상기 제1, 제2 반도체 나노와이어 사이에 개재된 단열층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 소자
16 16
제1 항에 있어서,상기 공통 전극 상에 배치된 광흡수체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
17 17
제1 항에 있어서,상기 제1 반도체 나노와이어 및 상기 제2 반도체 나노와이어의 두께 또는 폭은 10-100 nm 범위인 것을 특징으로 하는 열전 소자
18 18
제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 매트릭스 형태로 배열된 복수의 열전 소자들;상기 열전 소자들을 직렬 연결시키는 제1 군을 형성하는 제1 배선부; 및상기 직렬된 제1 군을 병렬 연결시키는 제2 배선부를 포함하되,상기 열전 소자들 각각은 적어도 하나의 제1 장벽영역을 포함하는 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어, 및 적어도 하나의 제2 장벽영역을 포함하는 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어를 포함하되,상기 제1 장벽 영역의 열전도도(thermal conductivity)는 상기 제1 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고, 상기 제2 장벽 영역의 열전도도는 상기 제2 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고,상기 제1 및 제2 반도체 나노와이어들은 실리콘 나노와이어이고, 상기 제1 및 제2 장벽영역들은 상기 실리콘 나노와이어로부터 형성된 금속 실리사이드인 열전소자 모듈
19 19
지지 기판을 제공하는 단계;상기 지지 기판 상에 상기 지지기판과 평행한 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어 및 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어를 형성하는 단계;상기 제1 반도체 나노와이어에 적어도 하나의 제1 장벽 영역을 형성하는 단계;상기 제2 반도체 나노와이어에 적어도 하나의 제2 장벽 영역을 형성하는 단계; 및상기 제1 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제1 전극, 상기 제2 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제2 전극, 및 상기 제1 반도체 나노와이어의 타단 및 상기 제2 반도체 나노와이어 타단에 연결된 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 및 제2 장벽 영역을 형성하는 것은:상기 제1 및 제2 반도체 나노와이어들 상에 상기 제1 및 제2 반도체 나노와이어들 각각의 일부를 노출하는 층간 절연막을 형성하는 것;상기 층간 절연막 상에 금속을 증착하는 것; 및상기 금속이 제공된 상기 지지 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 반도체 나노와이어들 각각의 일부에 금속 실리사이드를 형성하는 것을 포함하는 열전소자의 형성 방법
20 20
제19 항에 있어서,상기 지지 기판 상에 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어 및 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어를 형성하는 단계는측벽 스페이서 형성 공정에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 열전소자의 형성 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02192628 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02192628 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP22130002 JP 일본 FAMILY
4 US20100126548 US 미국 FAMILY
5 US20120152296 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2192628 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2192628 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2010130002 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2010126548 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US2012152296 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈