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레이더 온 칩 구조의 밀리미터파용 레이더 패키지에 있어서, 송수신모듈이 탑재되는 송수신칩; 및 실리콘 기판에 패치형 어레이 안테나가 배치되며, 상기 송수신칩과 TSV(Through Silicon Via)를 통해 전기적으로 접속되어 적층되는 패치안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 패치안테나는 상기 실리콘 기판의 백사이드를 제거한 후 폴리머 기판, 사파이어 기판, 글라스 기판 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 2항에 있어서, 상기 백사이드의 제거는 래핑(lapping)에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 고저항 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 송수신칩과 상기 패치안테나 사이에는 도파관을 통해 전계신호를 전달하는 급전망이 형성되는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 1항에 있어서, 상기 송수신모듈의 입출력을 위해 상기 송수신칩의 하부에는 플립칩 본딩을 위한 솔더볼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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7
레이더 온 칩 구조의 밀리미터파용 레이더 패키지에 있어서, 레이더 신호를 처리하는 디지털 신호 처리모듈이 탑재되는 디지털 신호처리칩; 송수신모듈이 탑재되며, 상기 디지털 신호처리칩과 TSV를 통해 전기적으로 접속되는 송수신칩; 및 실리콘 기판에 패치형 어레이 안테나가 배치되며, 상기 송수신칩과 TSV(Through Silicon Via)를 통해 전기적으로 접속되어 적층되는 패치안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 7항에 있어서, 상기 패치안테나는 상기 실리콘 기판의 백사이드를 제거한 후 폴리머 기판, 사파이어 기판, 글라스 기판 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 8항에 있어서, 상기 백사이드의 제거는 래핑(lapping)에 의해 제거하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 7항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 고저항 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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제 7항에 있어서, 상기 송수신칩과 상기 패치안테나 사이에는 전계신호를 전달하는 급전망이 형성되는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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12
제 7항에 있어서, 상기 송수신모듈의 입출력을 위해 상기 디지털 신호처리칩의 하부에는 플립칩 본딩을 위한 솔더볼을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파용 레이더 패키지
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