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생체 이식형 전극에 있어서,
와이어로 형성되는 지지부;
상기 지지부의 일단에 나노 구조물을 성장시켜 형성되는 전극팁(tip);
상기 지지부와 상기 전극팁에 성장되어 상기 지지부와 상기 전극팁간의 주파수에 따른 전원을 전달하는 투명 도전막;
상기 지지부가 외부환경에 대해 절연되도록 상기 지지부에 도포되는 절연 보호막; 및
상기 지지부의 타단에 형성되어 있으며, 상기 전원과 주파수를 무선통신으로 송수신하는 전원부
를 포함하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극
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청구항 1에 있어서,
상기 전원부에서 수신하는 무선 신호의 주파수는 1 kHz ~ 9999 GHz범위를 포함하고, 상기 무선 신호의 해당 주파수에 따라 동작하여 상기 전극팁을 통해 전기적인 자극을 대뇌 피질에 전달하는 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극
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청구항 1에 있어서,
상기 전원부는,
블루투스 또는 지그비 통신을 통해 무선으로 외부 전원을 전달 받는 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극
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청구항 1에 있어서,
상기 전극팁(Tip)은,
길이 1 nm ~ 1000 um, 두께 1 nm ~ 1000 um인 나노 로드(Nanorod), 나노 와이어(Nanowire), 나노 튜브(Nanotube) 및 나노 벨트(Nanobelt) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극
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청구항 1에 있어서,
상기 전극팁(Tip)은,
탄소나노튜브(CNT : Carbon Nanotub), Ti, V, Cr, Zn, Y, Zr, Nb, W 중 하나 이상의 조합을 포함하는 천이금속계, Si, Ge, As 중 하나 이상의 조합을 포함하는 반금속계, Ru, Rd, Pd, Os, Ir, Pt 중 하나 이상의 조합을 포함하는 백금족계, Ag, Au, Pt 중 하나 이상의 조합을 포함하는 귀금속족, 금속 산화물계(MxOy, M = Ti, V, Cr, Zn, Y, Zr, Nb, W 중 하나 이상의 조합을 포함하는 천이금속계, Si, Ge, As 중 하나 이상의 조합을 포함하는 반금속계, Ru, Rd, Pd, Os, Ir, Pt 중 하나 이상의 조합을 포함하는 백금족계, Ag, Au, Pt 중 하나 이상의 조합을 포함하는 귀금속족 중 하나 이상의 조합, O = Oxygen, x 및 y는 금속과 산소의 정량비) 중 하나 이상을 포함하는 나노 구조물인 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극
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청구항 1에 있어서,
상기 지지부는,
길이 1 ~ 100 mm, 두께 1 ~ 1000 um로 제작 된 Ti, V, Cr, Zn, Y, Zr, Nb, W 중 하나 이상을 포함하는 천이금속계, Ru, Rd, Pd, Os, Ir, Pt 중 하나 이상의 조합을 포함하는 백금족계, Ag, Au, Pt 중 하나 이상의 조합을 포함하는 귀금속족계 중 하나 이상으로 형성된 와이어(wire)를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극
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청구항 1에 있어서,
상기 절연 보호막은,
폴리스틸렌 수지, 아크릴로니트릴, 아크릴수지, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌옥사이드, 염화비닐, 연경질 폴리프로필렌, 유리강화섬유, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 페놀, 파릴렌 수지 중 하나 이상을 포함하는 유기물로 구성되고, 두께 1 ~ 1000 um로 형성된 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극
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8
두개골(Skull)과 대뇌 피질(Cerebral Cortex) 사이의 공간에 삽입되어 무선 주파수(RF : Radio Frequency)를 이용하여 선택적으로 전기적인 자극을 전달하는 생체 이식형 전극 제작 방법으로서,
지지부를 와이어로 형성하는 단계;
상기 지지부로부터 나노 구조물을 성장시켜 전극팁(Tip)을 형성하는 단계;
상기 전극팁(Tip) 및 상기 지지부를 투명 전도막으로 피복하는 단계;
상기 지지부에 절연 보호막을 형성하는 단계; 및
상기 지지부에 전원 및 각각의 주파수를 무선통신을 이용하여 송수신 할 수 있는 전원부를 연결하는 단계를 포함하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극 제작 방법
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청구항 8에 있어서,
상기 전극팁을 형성하는 단계는,
상기 지지부로부터 Sputtering법, ALD(Atomic Layered Deposition), PLD(Pulsed Laser Deposition), IBAD(Ion Beam Assisted Deposition)법 중 하나 이상을 포함하는 물리적인 성장 방법, Sol-Gel법, CVD(Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), VSLE(Vapor Liquid Solid Epitaxial)법 중 하나 이상을 포함하는 화학적 성장 방법을 이용하여 직접적으로 나노구조물을 성장시키는 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극 제작 방법
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10
청구항 8에 있어서,
상기 전극팁(Tip) 및 지지부를 투명 전도막으로 피복하는 단계는,
상기 전극팁(Tip)과 지지부를 투명전극(Transparent Conducting Oxide)인 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, SnO2와 이 계에 도핑 및 치환 원소로서 Al, Ga, Zn, F 중 하나 이상의 조합으로 도핑 및 Co-doping된 재료를 Sputtering법, ALD(Atomic Layered Deposition), PLD(Pulsed Laser Deposition), IBAD(Ion Beam Assisted Deposition)법 중 하나 이상을 포함하는 물리적인 성장 방법을 이용하여 두께 1 ~ 1000 nm로 성장된 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극 제작 방법
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11
청구항 8에 있어서,
상기 지지부에 절연 보호막을 형성하는 단계는,
상기 지지부에 폴리스틸렌 수지, 아크릴로니트릴, 아크릴수지, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌옥사이드, 염화비닐, 연경질 폴리프로필렌, 유리강화섬유, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 페놀, 파릴렌 수지 중 하나 이상을 포함하는 유기물로 구성되고, 두께 1 ~ 1000 um로 상온주에서 도포하여 상기 절연 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극 제작 방법
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청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한항에 있어서,
안정성을 향상시키기 위하여 진공, 불활성 가스, 산화성 가스, 환원성 가스 중 하나 이상의 환경에서 1초 ~ 24시간 동안 50 ~ 500 ℃로 어닐링 과정을 각 단계별로 더 수행하는 것을 특징으로 하는 RF기반 선택적 기능성 생체 이식형 뇌자극 전극 제작 방법
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