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평면광도파로제조방법

  • 기술번호 : KST2015088062
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 석영 분말, 용융석영 분말 흑은 실리카 수트등 실리카 분말을 원료로 하여 유리 제조용 페이스터를 제조하고, 이를 사용하여 각종 기판상에 일반적인 스크린 프린팅 방법으로 후막을 입힌 후 열처리와 연마를 통하여 광학적으로 루명한 버퍼층, 코아층 및 클래드 층을 형성하는 평면 광도파로 제조 방법에 관한 것으로,종래의 제안된 화염 열분해법등에 비하여 고가의 제조 장비 없이 간단하고 갑싼 공정으로 양질의 도파로를 제조할 수 있으며, 특히 광섬유 제조 공정에서 필연적으로 발생하는 용융 석영 분진인 실리카 수트를 이용할 수 있기 때문에 비용 절감과 도파로의 손실 개선 측면에서 매우 효과적이다. ,또한, 실리콘 기판 이외에도 각종의 기판사에 도파로를 형성하는 것이 가능한 효과가 있다.
Int. CL G02B 6/10 (2006.01)
CPC G02B 6/0065(2013.01) G02B 6/0065(2013.01)
출원번호/일자 1019930027515 (1993.12.13)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0127389-0000 (1997.10.21)
공개번호/일자 10-1995-0019790 (1995.07.24) 문서열기
공고번호/일자 1019970011521 (19970711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신장욱 대한민국 경기도수원시권선구
2 심재기 대한민국 대전직할시유성구
3 정명영 대한민국 대전직할시유성구
4 안승호 대한민국 대전직할시유성구
5 전오곤 대한민국 대전직할시유성구
6 최태구 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138791-69
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138790-13
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138792-15
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138793-50
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138794-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0064876-76
7 의견서
Written Opinion		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138795-41
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138796-97
9 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0138797-32
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0064877-11
11 등록사정서
Decision to grant		 1997.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0064878-67
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리카 분말을 이용하여 유리 제조용 페이스트(4)를 제조하는 단계 ; 소정의 기판(1)상에 상기 페이스트(4)를 스크린 프린팅 방법으로 도포하고 열처리하여 버퍼층(5)을 형성하는 단계 ; 상기 버퍼층(4)상에 상기 페이스트(4)를 도포하고, 상기 버퍼층(5)의 열처리 온도보다 낮은 온도로 열처리하여 코아층(8)을 형성하는 단계 ; 및 상기 코아층(8)상에 상기 페이스트(4)를 도포하고 상기 코아층(8)의 열처리 온도보다 낮은 온도로 열처리하여 클래드층(9)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면 광 도파로 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 페이스트(4)는 실리카 분말을 산수소 화염으로 용융한 용융 석영 분말을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 평면 광 도파로 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 페이스트(4)는 광섬유 제조 공정에서 부산물로 생성되는 실리카 수트를 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 평면 광 도파로 제조 방법

4 4

제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 페이스트(4)는 유리화 온도를 1000℃ 내지 제1700℃로 조절하기 위하여, 소정의 나트륨, 칼슘, 붕소 성분을 포함하여 제조하는 것을 특징으로 하는 평면 광 도파로 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층(5), 코아층(8), 클래드층(9)의 열처리시 광학적 투명도를 증가시키기 위하여 수소, 헬륨을 첨가하는 것을 특징으로 하는 평면 광 도파로 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층(5), 코아층(8), 클래드층(9)의 열처리는 광학적 투명도를 증가시키기 위하여 10-3torr 이하의 진공에서 실시하는 것을 특징으로 하는 평면 광 도파로 제조 방법

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제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층(5), 코아층(8), 클래드층(9)의 열처리는 화염을 이용하여 직접 가열함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면 광 도파로 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.