반절연성 갈륨비소 기판(8)위에 통상적인 완충층(7), 부콜렉터층(6), 콜렉터층(5), 베이스층(4), 스페이서층(3), 에미터층(2), 캡층(1)을 형성는 공정(A)과 원하는 영역에 니켈(10), 파라듐(11), 금/게르마늄 합금층(12), 파라듐(13), 금(14)을 순차로 형성된 n형 에미터금속(9)을 형성하는 공정(B)과, 상기 에미터 금속(9) 및 상기 캡층(1)위에 마이크로파를 이용한 소정의 혼합가스 플라즈마로써 실리콘산화막(15) 및 실리콘질화막(16)을 연속하여 도포하고, 합금화를 위한 급속열처리를 하는 공정(C)과, 상기 합금화한 후 침투된 합금화 영역(17)을 형성하는 공정(D)을 포함하는 이종접합 소자의 n형 오믹접촉 형성방법

제1항에 있어서, 상기 니켈(10)은 상기 금/게르마늄 합금(12)의 접착성을 개선하기 위하여 50 내지 100Å 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 이종접합 소자의 n형 오믹접촉 형성방법

제1항에 있어서, 상기 팔라듐(11)은 게르마늄의 내부확산을 막기 위해서 100Å 내외로 증착하는 것을 특징으로 하는 이종접합소자의 n형 오믹접촉 형성방법

제1항에 있어서, 상기 금/게르마늄 합금층(12)은 n형 접촉금속으로서 그 위에 전기적 금 금속층(14)이 열처리 후나 고온으로 인해 소자 내부로 확산되는 것을 막는 보호층용의 파라듐(13)을 100Å 내지 200Å 두께로 도포하는 것을 특징으로 하는 이종접합 소자의 n형 오믹접촉 형성방법

제1항에 있어서, 상기 에미터 금속(9)은 다중층 금속으로서 상대적으로 낮은 전기적 접촉비저항을 유지하게 하고, 금속성분이 에미터 아래로까지 확산되어 들어가는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 이종접합 소자의 n형 오믹접촉 형성방법

제1항에 있어서, 상기 에미터 금속(9) 표면에 전자 시이클로트론 공명의한 상온 실리콘 산화막(15)과 실리콘 질화막(16)의 이중박막을 도포하고, 합금화를 위한 급속열처리를 행하는 것을 특징으로 하는 이종접합 소자의 n형 오믹접촉 형성방법