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반도체 기판 위에 소정 패턴에 상응한 방출전극을 형성하기 위해 제1산화막을 형성하는 공정(a)과, 상기 제1산화막을 마스크로 하여 상기 반도체 기판을 원뿔 형태의 기둥으로 식각하는 공정(b)과, 상기 기둥의 표면을 열산화에 의해 제1열산화막을 형성하되 상기 기둥이 원뿔형태의 팁이 되도록 형성한 후 상기 반도체 기판 상면 및 상기 기둥의 상면에 제2산화막을 형성하는 공정(c)과, 상기 제2산화막의 표면 및 상기 기둥의 상면에 형성된 제1열산화막의 상면을 따라 스퍼터링법에 의해 게이트 전극을 형성한 후, 상기 제1산화막, 상기 기둥 상부의 제2산화막, 상기 게이트 전극 하부면에 제2산화막의 일부분을 식각하여 원뿔형태의 팁을 형성하는 공정(d)으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막공정을 이용한 진공소자
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제1항에 있어서, 상기 원뿔형태의 팁과 게이트 전극간의 간격이 상기 제1열산화막의 두께에 의해 결정되어 형성된 것을 특징으로 하는 박막공정을 이용한 진공소자
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제1항에 있어서, 상기 제1산화막, 상기 기둥 상부의 제2산화막 그리고 상기 게이트 전극 하부면에 제2산화막의 일부분이 불산(HF)의 용액에 의해 선택적으로 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 박막공정을 이용한 진공소자
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제1항에 있어서, 상기 (c)공정 대신에 상기 기둥의 표면을 열산화공정에 의해 제1열산화 막을 성장시켜 원뿔형태의 팁이 형성되도록 하는 공정과, 상기 제1열산화막의 상부에 규소 질화막을 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판의 노출 부분에 제2열산화막을 형성하는 공정이 부가되어 형성된 것을 특징으로 하는 박막공정을 이용한 진공소자
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제4항에 있어서, 상기 제2열산화막이 방향성 건식식각에 의해 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 박막공정을 이용한 진공소자
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제1항에 있어서, 상기 (c)공정에서, 상기 반도체 기판 상부의 제2산화막과 상기 기둥의 표면에 형성된 제1열산화막간의 골에 절연막이 채워지는 공정이 부가되어 형성된 것을 특징으로 하는 박막공정을 이용한 진공소자
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제1항에 있어서, 상기 (c)공정 대신에 상기 기둥의 표면을 열산화공정에 의해 제1열산화 막을 성장시켜 원뿔형태의 팁이 형성되도록 하는 공정과, 상기 반도체 기판의 노출 부분에 제2열산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2열산화막과 상기 기둥의 표면에 형성된 제1열산화막간의 골에 절연막이 채워지는 공정이 부가되어 형성된 것을 특징으로 하는 박막공정을 이용한 진공소자
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제7항에 있어서, 상기 제2열산화막이 방향성 건식식각에 의해 식각되어 형성된 것을 특징으로 하는 박막공정을 이용한 진공소자
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