레이저 광을 발생하는 반도체 레이저(101);

상기 반도체 레이저에서 방출된 광을 단면이 원형인 평면파로 변환시키는 광 정형수단(103);

상기 광 정형수단를 통과한 광이 상기 레이저로의 귀환을 차단하는 광분리수단(104);

상기 광분리수단으로부터 입사된 광의 편광 직교 성분에 따라 반사 또는 투과시키는 편광 빔스플릿터(105);

상기 편광 빔스플릿터를 투과한 광을 소정 주파수만큼 변조하는 음향광학변조수단(107);

상기 음향광학변조수단를 소정 주파수로 구동하는 신호발생수단(109);

상기 편광 빔스플릿터를 통과하여 상기 음향광학변조수단에서 변조된 광 및 상기 편광 빔스플릿터에서 반사된 광을 검출하는 광검출수단(110); 및 상기 광검출수단(110)의 신호와 상기 신호발생수단(109)의 신호가 입력되어 비교되는 위상비교수단(113)을 포함하여 이루어진 반도체 레이저를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치

반도체 레이저, 광정형기, 편광 빔스플릿터, 다수의 반사거울, 음향광학소자, 광검출기, 신호 발생기, 위상 비교기로 포함하는 반도체 레이저를 이용한 웨이퍼 자동 초점 측정장치의 측정방법에 있어서, 반도체 레이저로부터 방출된 레이저 광을 원형 단면의 평면파로 바꾸는 광정형 단계;

상기 평면파 레이저 광을 기준 거울로 반사시키고, 상기 음향광학소자로 투과시키는 빔스플릿터 단계;

상기 투과된 레이저 광을 상기 음향광학소자를 통해 소정 주파수로 변조하는 제1변조단계;

일차 변조된 레이저 광을 웨이퍼에 조사하는 단계;

웨이퍼에 조사된 후, 반사되어 되돌아온 레이저 광을 상기 음향광학소자를 통해 다시 변조하는 제2변조단계;

상기 기준 거울에 반사되어 돌아온 기준 신호광과 상기 제2변조단계를 통해 돌아온 신호광을 검출하는 광검출 단계; 및 상기 광검출 단계에서 검출된 신호와 음향광학소자를 구동하는 신호 발생기의 신호의 위상을 상호 비교하는 단계를 포함하여 이루어진 초점 측정방법