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초자기정렬 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서, a) 도전성 매몰(conductive buried) 컬렉터(22)가 형성된 실리콘 기판(21)의 전면에 SiO2층(23), 질화막(24), 다결정규소층(25), 산화막(26), 질화막패턴(27), 불순물이 첨가된 전도성 다결정규소막 패턴(28), 규소산화막(29), 질화막(17) 및 규소산화막(18)을 포함하는 다수의 박막들을 순차적으로 형성하는 기판의 준비단계; b) 소정의 감광막 패턴에 의해 정의된 활성영역의 상기 규소산화막(18), 질화막(17), 규소산화막(29), 다결정규소막 패턴(28), 및 질화막패턴(27)을 식각한 후, 이 식각부위의 측면막(19)을 형성하는 단계; c) 상기 공정에 의해 정의된 활성영역의 도전성 메몰컬렉터(22)를 개구하는 단계; d) 상기 공정을 통하여 개구된 메몰컬렉터(22) 상부에 선택적으로 컬렉터(31)를 형성하는 단계; e) 상기 측벽막(19)을 제거하여 노출된 외성베이스 영역인 다결정규소막 패턴(28)의 측면과 상기 컬렉터(31) 상부에 선택적으로 초박막 베이스(32)를 형성하는 단계; f) 에미터 영역을 정의하기 위한 측벽산화막(33)을 형성한 후, 사진식각공정을 이용하여 에미터(34)를 형성하는 단계; 및 g) 각 전극(36)들을 배선하는 단계로 이루어진 초자기정렬 수직구조 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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