요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약
본 발명은 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터를 제조시 채널영역의 손상을 방지하기 위해서 채널영역에 하부 규소산화막과 규소질화막 및 상부 규소산화막으로 이루어진 다층절연층을 형성하여 두고, 이후 CMP에 의해 다결정규소 소오스/드레인을 형성할 때 채널에 식각손상을 방지함과 아울러 이들의 확산층을 형성하여 상기 다층 절연층에 의해 상기 다결정규소 소오스/드레인 및 확산층을 형성할 때 채널영역의 산화를 방지하는 모스 트랜지스터의 제조방법 및 동일한 방법을 적용하는 전계효과 트랜지스터의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터 구조를 제공함에 특징이 있다.
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번호
이름
국적
주소
1
한국전자통신연구원
대한민국
대전광역시 유성구
발명자
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번호
이름
국적
주소
1
유종선
대한민국
대전광역시 유성구
2
강원구
대한민국
대전광역시 유성구
3
이규홍
대한민국
대전광역시 유성구
대리인
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번호
이름
국적
주소
1
김영길
대한민국
서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2
이화익
대한민국
서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3
김명섭
대한민국
서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)
최종권리자
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번호
이름
국적
주소
1
한국전자통신연구원
대한민국
대전광역시 유성구
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번호
서류명
접수/발송일자
처리상태
접수/발송번호
1
특허출원서 Patent Application
1996.04.24
수리 (Accepted)
1-1-1996-0052028-71
2
대리인선임신고서 Notification of assignment of agent
1996.04.24
수리 (Accepted)
1-1-1996-0052029-16
3
출원심사청구서 Request for Examination
1996.04.24
수리 (Accepted)
1-1-1996-0052030-63
4
명세서등보정서 Amendment to Description, etc.
1996.07.26
보정승인 (Acceptance of amendment)
1-1-1996-0052031-19
5
출원인정보변경 (경정)신고서 Notification of change of applicant's information
1997.03.03
수리 (Accepted)
1-1-1996-0052032-54
6
대리인선임신고서 Notification of assignment of agent
1997.08.26
수리 (Accepted)
1-1-1996-0052033-00
7
의견제출통지서 Notification of reason for refusal
1998.11.25
발송처리완료 (Completion of Transmission)
1-5-1996-0441639-64
8
명세서등보정서 Amendment to Description, etc.
1999.01.25
보정승인 (Acceptance of amendment)
1-1-1999-5024199-11
9
의견서 Written Opinion
1999.01.25
수리 (Accepted)
1-1-1999-5024192-92
10
등록사정서 Decision to grant
1999.02.22
발송처리완료 (Completion of Transmission)
9-5-1999-0049727-56
11
대리인사임신고서 Notification of resignation of agent
1999.03.11
수리 (Accepted)
1-1-1999-5108050-65
12
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2001.04.19
수리 (Accepted)
4-1-2001-0046046-20
13
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2002.08.08
수리 (Accepted)
4-1-2002-0065009-76
14
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2009.08.04
수리 (Accepted)
4-1-2009-5150899-36
15
출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information
2015.02.02
수리 (Accepted)
4-1-2015-0006137-44
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번호
청구항
1
1
모스 트랜지스터에 있어서, 분리산화막(2a)(2b)에 의해 정의된 소자영역의 기판(5)상에 소오스 드레인 영역이 형성된 다결정규소 소오스/드레인(3a)(3b)과, 그 소오스/드레인(3a)(3b)의 하부 기판(5)내에 불순물이 소정깊이로 확산됨과 아울러 상기 소오스/드레인(3a)(3b)보다 소정길이씩 채널영역측으로 더 확산된 소오스/드레인 확산층(7a)(7b)과, 상기 소오스/드레인(3a)(3b) 사이 채널영역의 기판(5) 상면에 형성된 게이트 산화막(8)과, 그 게이트 산화막(8)보다 더 두꺼운 두께로 상기 소오스/드레인(3a)(3b)을 덮도록 규소산화막(6a)(6b)고, 그 규소산화막(6a)(6b)에 의해 상기 다결정규소 소오스/드레인(3a)(3b)과 절연되고 그 게이트 산화막(8)위에 형성되어 상기한 소오스/드레인 확산층(7a)(7b)의 일부와 양측에서 중첩되는 게이트(4)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터
2
2
제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 확산층(7a)(7b)는, 상기 소오스/드레인(3a)(3b)에 이온주입시킨 인 또는 비소가 기판(5)내로 확산되어 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터
3
3
규소산화막에 의해 소자영역이 분리된 기판 위에 하부 규소산화막, 규소질화막 및 상부 규소산화막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 상부 규소산화막 위에 감광막을 증착한 후 마스크 작업에 의해 선택적으로 감광막을 제거하여 소오스/드레인 영역을 정의하는 단계와, 반응성 이온식각(RIE)에 의하여 소오스/드레인 영역의 상부 규소산화막, 규소질화막 및 하부 규소산화막을 차례로 식각하는 단계와, 상기의 남아있는 감광막을 제거한 뒤 LPCVD에 의하여 소오스 드레인을 위한 다결정규소를 증착하는 단계와, 그 다결정규소를 연마시켜, 그 다결정규소는 소오스/드레인부분만 남고 상기의 남아있는 상부 규소산화막이 노출될 때까지 평탄화 시키는 단계와, 그 상부에서 다결정규소 소오스/드레인 내에 인과 비소를 이온주입하는 단계와, 상기 다결정규소 소오스/드레인을 열산화시켜 이온주입된 불순물이 기판내로 확산되어 소오스/드레인 확산층과, 그 다결정규소 소오스/드레인을 덮는 규소산화막을 동시에 형성하는 단계와, 이후 채널영역에 남아있는 상기 규소질화막 및 상기의 하부 규소산화막을 제거하는 단계와, 열산화에 의해 노출된 채널영역의 기판상에 게이트 산화막을 형성함과 아울러 상기의 소오스/드레인을 덮는 규소산화막이 그 게이트 산화막보다 더 두껍도록 형성하는 단계와, MOS 공정에 의하여 게이트 전극, 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계를 수행하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터 형성방법
4
4
제3항에 있어서, 상기의 하부 규소산화막, 규소질화막 및 상부 규소산화막을 형성하는 단계는, 상기의 하부 규소산화막은, 확산로에서 900
5
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 다결정규소를 증착시키는 단계는, 상기 규소산화막의 높이보다 50
6
제3항에 있어서, 상기 다결정규소를 연마시키는 단계는, CMP(chemical mechanical polishing)에 의하여 상기 다결정규소를 평탄케 하되 상기의 상부 규소산화막이 노출될 때까지 수행하되, 그 CMP에는 KOH 용액과 실리카를 혼합한 슬러리(slurry)가 이용하는 것을 특징으로 하는 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터 제조방법
제3항에 있어서, 상기 게이트 산호막과 규소산화막을 형성시키는 단계는, 열산화에 의해 게이트 산화막을 형성함과 아울러 소오스/드레인 다결정규소를 열산화시켜 상기 게이트 산화막보다 두껍게 30
10
다결정규소 소오스/드레인 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 채널영역에 하부 규소산화막과 규소질화막 및 상부 규소산화막으로 이루어진 다층절연층으로 형성하여 두고, 이후 다결정규소 소오스/드레인을 형성함과 아울러 이들의 확산층을 형성하여 상기 다층 절연층에 의해 상기 다결정규소 소오스/드레인 및 확산층을 형성할 때 규소질화막 및 하부 규소산호막에 의하여 채널영역의 산화를 방지하는 것을 특징으로 하는 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터 제조방법
11
11
제10항에 있어서, 상기 다결정규소 소오스/드레인을 덮는 규소산화막을 열산화에 의해 두께가 30 내지 50
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.
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특허 등록번호
10-0211947-0000
권리란
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표시번호
사항
1
출원 연월일 : 19960424
출원 번호 : 1019960012717
공고 연월일 : 19990802
공고 번호 :
특허결정(심결)연월일 : 19990222
청구범위의 항수 : 11
유별 : H01L 29/739
발명의 명칭 : 다결정규소 소오스/드레인 모스 트랜지스터 및 그 제조방법
존속기간(예정)만료일 : 20090507
특허권자란
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