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초격자구조의증폭층을갖는애벌란체포토다이오드

  • 기술번호 : KST2015088209
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 초격자구조를 증폭층으로 사용하는 애벌란체 포토다이오드의 구조에 있어서, n+형 InP기판(10)과, 기판(10)상에 버퍼층으로 형성된 n+형 InP에피택셜층(11)과, 에피택셜층(11)상에 형성된 n형 In1-xAlxAs층(12)과, In1-xAlxAs층(12)보다 불순물 농도가 상대적으로 크게하여 층(12)상에 형성된 n+형 In1-xAlxAs층(13)과, 층(13)상에 형성된 In0.53Ga0.47As/In1-xAlxAs의 초격자 구조를 갖는 증폭층(14)과, 증폭층(14)상에 순차형성된 p형 In1-xAlxAs층(15)(16)과, 층(16)상에 형성된 In0.53Ga 0.47As로된 흡수층(17)과 흡수층(17)상에 순차 형성된 표면누설 전류량 감소용 p형 InP층(18)과 오믹접합용 In0.53Ga0.47As층(19)을 포함하는 구성을 특징으로 하는 애벌란체 포토다이오드의 구조.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1019920025002 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0099074-0000 (1996.05.06)
공개번호/일자 10-1994-0016964 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019960001467 (19960130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유지범 대한민국 대전직할시중구
2 박찬용 대한민국 대전직할시대덕구
3 김흥만 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135736-19
2 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135732-26
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135734-17
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135735-63
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135733-72
6 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135737-54
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135738-00
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045135-38
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135739-45
10 의견서
Written Opinion		 1995.09.28 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135740-92
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.09.28 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135741-37
12 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045136-84
13 등록사정서
Decision to grant		 1996.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045138-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

초격자구조를 증폭층으로 사용하는 애벌란체 포토다이오드의 구조에 있어서, n+형 InP기판(10)과, 상기 기판(10)상에 버퍼층으로 형성된 n+형 InP에피택셜층(11)과, 상기 에피택셜층(11)상에 형성된 n형 In1-x Alx As(0＜X＜0

2 2

제1항에 있어서, 상기 에피택셜층(11)은 두께가 약 3㎛이고, 불순물 농도가 약 1×1018cm-3인 것을 특징으로 하는 초격자 구조(superiattice)의 증폭층을 갖는 애벌란체 포토다이오드(APD:Avalanche Photodiode)

3 3

제1항에 있어서, 상기 p형 In1-x Alx As층(15)은 불순물 농도가 약 1×1018cm-3이고, 두께는 300Å∼400Å인 것을 특징으로 하는 초격자 구조(superlattiec)의 증폭층을 갖는 애벌란체 포토다이오드(APD:Avalanche Photodiode)

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02695112 JP 일본 FAMILY
2 JP06244451 JP 일본 FAMILY
3 US05369292 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2695112 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6244451 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH06244451 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5369292 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.