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반절연 GaAs기판(8)상에 통상의 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 형성하기 위해 완충층(7), 부콜렉터층(6), 콜렉터층(5), 베이스층(4), 스페이서층(3), 에미터층(2), 캡층(1)을 순차형성하는 공정과 ; 감광막을 마스크로 하여 상기 부콜렉터층(6)이 노출되도록 그 위에 적층된 층들을 메사식각하는 공정과 ; 상기 감광막의 상단에 돌출부를 갖는 구조의 마스크를 사용하여 소자분리 메사식각을 행하는 공정과 ; 연이어, 소자분리영역 및 에미터금속(11)이 연결하는 에미터영역과 콜렉터영역사이에 제1 ECR 플라즈마에 의한 유전막을 리프트오프하여 선택적으로 증착시키는 공정과 ; 활성영역에 에미터금속(11)과 콜렉터금속(12)을 상기 마스크를 사용하여 동시에 리프트오프방법으로 형성하는 공정과 ; 상기 에미터금속(11)과 상기 감광막을 마스크로 하여 베이스영역(14)을 식각한 후, 상기와 동이한 마스크를 형상 반전처리하여 상기 베이스 영역(14)을 제외한 전체부분에 제2의 ECR 플라즈마 유전막(13)을 리프트오프하여 선택적으로 도포하는 공정과 ; 상기 감광막을 마스크로 하여 베이스금속(15)을 리프트오프방법으로 형성하는 공정을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1, 2의 ECR 유전막(9, 13)을 선택적으로 증착하고 도포하여 2차 금속배선을 이용하지 않고 에미터, 베이스, 콜렉터의 금속패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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