| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 리지 형태로 적층되며, 광섬유와의 광결합을 위한 제 1 도파로; 및 상기 제 1 도파로 상에 광모드 크기 변환을 위하여 형성되며, 시작부분에서 도파로를 따라 진행하는 방향으로 폭이 점점 두꺼워지는 테이퍼 형상을 갖는 제 2 도파로를 포함하는 광모드 크기 변환기를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제 2 도파로 상에, 상기 테이퍼 형상이 잔류하도록 식각마스크를 형성하는 단계; 상기 식각마스크를 이용하여 제 2 도파로를 소정 깊이로 건식식각하는 단계; 및 상기 건식식각된 제 2 도파로를 언더컷 습식 식각공정을 이용하여, 상기 제 2 도파로의 시작부분을 메사 구조 또는 역메사 구조로 형성하는 단계를 포함하되, 상기 식각마스크의 폭은 1
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 메사 또는 역메사 구조는 1 ㎛ (두께의 중간 부분 기준) 이하의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기 제조 방법
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서, 상기 제 2 도파로는 500~600nm 두께의 InGaAsP(lg=1
|
| 8 |
8
제 5 항에 있어서, 상기 메사 또는 역메사 구조의 측면 각도는 30 내지 60°인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기 제조 방법
|
| 9 |
9
반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 광검출 영역과 광모드 크기 변환기 영역으로 분리되어 광섬유와의 광결합을 위하여 적층되며, 상기 광모드 크기 변환기 영역에 리지 형태로 패터닝되어 있는 제 1 도파로; 상기 광모드 크기 변환기의 제 1 도파로 상에는 시작부분에서 도파로를 따라 진행하는 방향으로 폭이 점점 두꺼워지는 테이퍼 형상을 가지며, 상기 광검출 영역 상에는 상기 광모드 크기 변환기의 상기 제 1 도파로에 연장되어 형성되어, 광모드 크기를 변환하는 제 2 도파로; 및 상기 광검출 영역의 상기 제 2 도파로 상에 연속적으로 형성된 흡수층, 클래딩층 및 전극층을 포함하여 구성되며, 상기 광모드 크기 변환기의 상기 제 2 도파로의 시작부분은 메사 또는 역메사 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기 집적형 광검출소자
|
| 10 |
9
반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 광검출 영역과 광모드 크기 변환기 영역으로 분리되어 광섬유와의 광결합을 위하여 적층되며, 상기 광모드 크기 변환기 영역에 리지 형태로 패터닝되어 있는 제 1 도파로; 상기 광모드 크기 변환기의 제 1 도파로 상에는 시작부분에서 도파로를 따라 진행하는 방향으로 폭이 점점 두꺼워지는 테이퍼 형상을 가지며, 상기 광검출 영역 상에는 상기 광모드 크기 변환기의 상기 제 1 도파로에 연장되어 형성되어, 광모드 크기를 변환하는 제 2 도파로; 및 상기 광검출 영역의 상기 제 2 도파로 상에 연속적으로 형성된 흡수층, 클래딩층 및 전극층을 포함하여 구성되며, 상기 광모드 크기 변환기의 상기 제 2 도파로의 시작부분은 메사 또는 역메사 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 광모드 크기 변환기 집적형 광검출소자
|
