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강유전체 메모리 셀 어레이 및 그를 이용한 데이터 저장방법

  • 기술번호 : KST2015088343
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 트랜지스터로 이루어진 강유전체 메모리 셀 어레이 및 그를 이용한 데이터 저장 방법에 관한 것으로, 각 열에 위치하는 메모리 셀의 게이트에 연결되는 다수의 워드 라인과, 각 행에 위치하는 메모리 셀의 드레인에 연결되는 다수의 비트 라인과, 메모리 셀의 소오스를 공통으로 연결하는 공통 소오스 라인과, 각 메모리 셀이 형성된 웰에 각각 연결된 다수의 웰 라인으로 이루어지며, 선택된 메모리 셀의 게이트에 단위 펄스 형태의 바이어스 전압을 인가하고, 웰 라인에 펄스 형태의 바이어스 전압을 인가하여 강유전체의 분극특성에 의해 데이터 서입이 이루어지도록 하므로써 디스터브가 발생되지 않고 랜덤 어세스가 가능해진다.메모리 셀, 어레이, 강유전체, 웰 라인, 분극특성
Int. CL G11C 11/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010073393 (2001.11.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0449070-0000 (2004.09.07)
공개번호/일자 10-2003-0042655 (2003.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20040918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양일석 대한민국 대전광역시유성구
2 노태문 대한민국 대전광역시유성구
3 김종대 대한민국 대전광역시서구
4 유병곤 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 아이피지 일렉트로닉스 502 리미티드 영국, 지와이* *큐엘 건지, 세인트 피터 포트, 레 방케스, 트라팔가 코트, 피. 오. 박스
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2001-0306376-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0052162-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0498941-71
6 의견서
Written Opinion		 2004.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0056104-26
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0056103-81
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0327889-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다수의 웰이 형성된 기판과,

상기 각 웰에 형성되며, 상기 기판 상에 적층된 강유전체 박막 및 게이트와, 상기 게이트 양측부의 상기 웰에 형성된 소오스 및 드레인으로 이루어지는 다수의 메모리 셀과,

각 열에 위치하는 상기 메모리 셀의 게이트에 연결되는 다수의 워드 라인과,

각 행에 위치하는 상기 메모리 셀의 드레인에 연결되는 다수의 비트 라인과,

상기 각 메모리 셀의 소오스를 공통으로 연결하는 공통 소오스 라인과,

상기 각 웰에 연결된 다수의 웰 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀 어레이

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 웰 라인은 서로 전기적으로 분리된 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀 어레이

3 3

다수의 웰이 형성된 기판과,

상기 각 웰에 형성되며, 상기 기판 상에 적층된 강유전체 박막 및 게이트와, 상기 게이트 양측부의 상기 웰에 형성된 소오스 및 드레인으로 이루어지는 다수의 메모리 셀과,

각 열에 위치하는 상기 메모리 셀의 게이트에 연결되는 다수의 워드 라인과,

각 행에 위치하는 상기 메모리 셀의 드레인에 연결되는 다수의 비트 라인과,

상기 각 메모리 셀의 소오스를 공통으로 연결하는 공통 소오스 라인과,

상기 각 웰에 연결된 다수의 웰 라인을 포함하는 강유전체 메모리 셀 어레이에서,

선택된 상기 메모리 셀의 워드 라인 및 웰 라인에 제 1 전압 및 제 2 전압을 각각 인가한 후 상기 워드 라인 및 웰 라인 전압을 상기 제 2 전압 및 상기 제 1 전압으로 각각 천이시켜 데이터가 저장되도록 하고, 상기 웰 라인 전압을 상기 제 2 전압으로 천이시키는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀 어레이를 이용한 데이터 저장 방법

4 4

삭제
5 5

제 3 항에 있어서,

상기 서입 동작 시 선택되지 않은 워드 라인에는 상기 제 1 전압이 인가되고, 선택되지 않은 웰 라인에는 상기 제 2 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀 어레이를 이용한 데이터 저장 방법

6 6

제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,

상기 제 1 전압은 전원전압이고, 상기 제 2 전압은 접지전압인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀 어레이를 이용한 데이터 저장 방법

7 7

제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,

상기 제 1 전압은 접지전압이고, 상기 제 2 전압은 전원전압인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 셀 어레이를 이용한 데이터 저장 방법

지정국 정보가 없습니다
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1 US06636435 US 미국 FAMILY
2 US20030099127 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003099127 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6636435 US 미국 DOCDBFAMILY
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