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전자기파 차폐형 매몰 인덕터 및 그 제작방법

  • 기술번호 : KST2015088369
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막형 자기소자에 관한 것으로서, 전자기파 차폐형 매몰 인덕터를 제작하는 방법에 관한 것이다. 종래에는 인덕터를 독립적으로 만들어 사용하였다. 그러나 최근에는 부품을 소형화하기 위해 동일 기판에 인덕터와 반도체 소자를 집적하여 하나의 칩으로 제작하여 사용한다. 이 경우 인덕터로부터 발생하는 주파수 성분의 잡음이 소자에 나쁜 영향을 미쳐 소자의 성능과 특성을 저하시키는 문제점이 발생한다.본 발명은 실리콘 기판에 트렌치를 넓게 형성하고 트렌치 내벽에 전자기파를 차폐할 수 있는 물질을 증착한 후 인덕터를 매몰시켜 제작함으로써 인덕터의 성능을 증가시킨다. 이렇게 인덕터를 제조하고 난 후 인덕터 외부에 원하는 반도체 소자를 형성하면 주파수 특성에 영향을 받지 않고 성능이 좋은 반도체 소자를 제작할 수 있다. 특히, 인덕터를 필요로 하는 전력형 반도체 소자에 나타나는 여러 가지 전자기파인 정전, 전자, 자기 차폐 효과를 향상시킬 수 있다.인덕터, 반도체 IC, 매몰, 트렌치
Int. CL H01F 27/36 (2006.01)
CPC H01F 17/0013(2013.01) H01F 17/0013(2013.01) H01F 17/0013(2013.01) H01F 17/0013(2013.01) H01F 17/0013(2013.01)
출원번호/일자 1020010029577 (2001.05.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0392259-0000 (2003.07.09)
공개번호/일자 10-2002-0090643 (2002.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.05.29)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대한민국 대전광역시유성구
2 구진근 대한민국 대전광역시유성구
3 김종대 대한민국 대전광역시서구
4 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0126117-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0002308-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0017307-41
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.03.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0084313-28
7 의견서
Written Opinion		 2003.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2003-0084314-74
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0171645-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

트렌치가 형성된 실리콘 기판과,

상기 트렌치를 중심으로 전자기장 차폐 대상 부분의 상기 실리콘 기판 표면에 순차적으로 증착된 금속박막 및 자성박막과,

상기 트렌치 내부에 형성된 인덕터 코일과,

상기 인덕터 코일이 형성된 트렌치 내부에 충진된 절연물질을 포함한 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 인덕터 코일은,

순차적으로 형성된 하층 초박형 다층 자성박막, 금속층, 및 상층 초박형 다층 자성박막으로 이루어지며, 상기 절연물질에 의해 상호 이격된 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 초박형 다층 자성박막은,

수십 옹거스트롱 내지 수십 미크론의 자성체 박막과 수십 옹거스트롱 내지 수십 미크론의 절연막이 번갈아 가면서 2 내지 수백층 반복 증착되어 형성된 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 금속박막은,

전기적 특성이 좋은 구리, 알루미늄, 은, 백금, 금으로 구성된 일군의 금속 중 단일 금속 또는 상기 일군의 금속 중 적어도 하나를 포함한 합금으로 이루어진 박막인 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 자성박막은,

고투자율을 가지는 니켈, 철, 탄소, 니켈철, 크롬, 몰리브덴, 규소강으로 구성된 일군의 자성재료 중 단일 재료 또는 상기 일군의 자성재료 중 적어도 하나를 포함한 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터

6 6

삭제
7 7

제 3 항에 있어서, 상기 자성체 박막은,

고투자율을 가지는 니켈, 철, 탄소, 니켈철, 크롬, 몰리브덴, 규소강으로 구성된 일군의 자성재료 중 단일 재료 또는 상기 일군의 자성재료 중 적어도 하나를 포함한 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터

8 8

실리콘 기판에 트렌치를 형성하는 트렌치 형성단계와;

상기 트렌치를 중심으로 전자기장 차폐 대상 부분의 상기 실리콘 기판 표면에 전기적 특성이 좋은 금속박막과 자기차폐를 위한 자성박막을 증착하는 차폐막 형성단계와,

상기 트렌치 내부에 매몰시켜 인덕터 코일을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터 제작방법

9 9

제 8 항에 있어서, 상기 인덕터 코일 형성단계는,

상기 트렌치 내부에 절연물질을 충진시키면서 하부 자성체와 금속층과 상부 자성체를 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자기파 매몰 인덕터 제작방법

10 10

제 9 항에 있어서, 상기 자성체는,

수십 옹거스트롱 내지 수십 미크론의 자성체 박막과 수십 옹거스트롱 내지 수십 미크론의 절연막이 번갈아 가면서 2 내지 수백층 반복 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전자기파 매몰 인덕터 제작방법

11 11

제 9 항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계는,

상기 하층 자성체 위에 전기적 특성이 좋은 금속박막과 감광막을 증착하는 단계와,

상기 감광막을 패턴닝하여 상기 코일용 금속층이 형성될 부분의 감광막을 제거하고 상기 금속박막에 금속 도금하는 단계, 및

상기 감광막을 제거하고 도금되지 않은 금속박막을 제거하는 단계로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터 제작방법

12 12

제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 트렌치 형성단계는,

상기 실리콘 기판 위에 트렌치 형성을 위한 산화막(혹은 질화막)을 성장하고, 그 위에 감광막을 도포하는 단계와,

상기 감광막을 패턴닝하여 상기 트렌치가 형성될 부분의 감광막을 제거하는 단계와,

상기 패턴닝된 감광막을 이용하여 상기 산화막(혹은 질화막)을 식각하고 상기 감광막을 제거하는 단계, 및

상기 식각된 산화막을 이용하여 실리콘 기판을 식각하여 상기 실리콘 기판에 트렌치를 형성한 후 상기 산화막을 제거하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터 제작방법

13 13

제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 차폐막 형성단계는,

상기 실리콘 기판 위에 금속박막과 자성박막을 순차적으로 증착하는 단계와,

상기 자성박막 위에 절연물질을 도포하여 절연막을 형성하고 상기 절연막 위에 저온 산화막과 감광막을 증착하는 단계와,

상기 감광막을 패턴닝하여 상기 전자기장 차폐 대상 부분을 제외한 부분의 감광막을 제거하고, 상기 패턴닝된 감광막을 이용하여 저온 산화막과 절연막을 식각하는 단계와,

상기 저온 산화막을 이용하여 상기 자성박막과 금속박막을 식각하는 단계를 포함한 것을 특징으로 전자기파 차폐형 매몰 인덕터 제작방법

14 14

제 8 항에 있어서,

상기 인덕터를 감싸도록 절연물질을 도포하고 자기차폐를 위한 자성박막을 증착하는 완성단계를 더 포함한 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터 제작방법

15 15

제 8 항에 있어서,

상기 인덕터 이외의 부분의 실리콘 기판 위에 다른 반도체 소자를 제작하여 인덕터와 반도체 소자를 원칩으로 제작할 수 있도록 하는 전자기파 차폐형 매몰 인덕터 제작방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.