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구부림이 가능한 전도성 기판에 형성된 나노입자 산화물층과 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하여 음극으로 작용하는 반도체 전극;상기 반도체 전극에 대향하여 위치하고, 구부림이 가능한 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 전도성 박막 및 백금 전극층이 순차적으로 형성되어 양극으로 작용하는 대향 전극; 및상기 반도체 전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하여 이루어지고, 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 상기 전도성 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 상기 전도성 금속 기판의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제5항에 있어서, 상기 전도성 박막은 ITO(indium tin oxide) 또는 F 도핑된 이산화주석(FTO)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제5항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판과 상기 전도성 박막 사이에 반도체 박막이 더 형성되어, 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 반도체 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 전도성 금속 기판의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제5항에 있어서, 상기 백금 전극층은 상기 전도성 금속 기판 상에 백금 이온 용액을 도포한 후에 400∼500℃에서 가열하여 형성된 전극층인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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구부림이 가능한 전도성 기판에 나노입자 산화물층과 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하여 음극으로 작용하는 반도체 전극을 준비하는 단계;상기 반도체 전극에 대향하여 위치하고, 구부림이 가능한 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 형성된 백금 전극층을 포함하여 양극으로 작용하는 대향 전극을 준비하되, 상기 백금 전극층은 상기 전도성 금속 기판 상에 백금 이온 용액을 도포한 후에 400∼500℃에서 가열하여 형성하는 단계; 및 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이에 전해질 용액을 게재하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판을 구성하는 금속은 철, 알루미늄, 티탄늄, 니켈, 구리 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판은 스테인레스 스틸 기판 또는 알루미늄 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 전도성 박막을 더 형성하여 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 상기 전도성 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 상기 전도성 금속 기판의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판과 상기 전도성 박막 사이에 반도체 박막을 더 형성하여 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 상기 반도체 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 상기 전도성 금속 기판의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법
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