맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전도성 입자가 분산된 고분자 전해질을 포함하는 염료감응태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015088446
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전도성 입자가 분산된 고분자 전해질을 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지에서 반도체 전극과 상대 전극과의 사이에 개재되는 전해질은 고분자 전해질과 상기 고분자 전해질 내에 분산되어 있는 복수의 전도성 입자를 포함한다. 전도성 입자를 포함하는 염료감응 태양전지를 제조하기 위하여, 겔형 고분자 전해질과 그 안에 분산되어 있는 복수의 전도성 입자들로 이루어지는 전해질이 반도체 전극과 상대 전극과의 사이에 주입될 수 있다. 또는, 액체 전해질 내에 모노머 유니트들이 용해된 용액과 복수의 전도성 입자들이 혼합된 전해질 조성물을 반도체 전극과 상대 전극과의 사이에 주입한 후, 주입된 모노머 유니트들을 중합시켜 고체형 고분자 전해질과 복수의 전도성 입자들로 이루어지는 전해질을 형성한다. 염료감응, 태양전지, 고분자 전해질, 이온전도도, 전도성 입자
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2004(2013.01) H01G 9/2004(2013.01) H01G 9/2004(2013.01)
출원번호/일자 1020060095029 (2006.09.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0825730-0000 (2008.04.22)
공개번호/일자 10-2008-0029231 (2008.04.03) 문서열기
공고번호/일자 (20080429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.28)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강만구 대한민국 대전 유성구
2 전용석 대한민국 대전 유성구
3 김종대 대한민국 대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0710784-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0049231-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0571703-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0934208-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0934210-22
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0128311-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 제1 기판과, 상기 제1 기판 위에 형성된 금속산화물 반도체층과, 상기 금속산화물 반도체층 위에 흡착된 염료분자층을 포함하는 반도체 전극과, 전도성 제2 기판과, 상기 제2 기판 위에 형성된 금속층을 포함하는 상대 전극과, 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극과의 사이에 개재되어 있고, 폴리비닐리덴 플로라이드 (poly(vinylidene fluoride): PVDF), 폴리에틸렌글리콜(poly(ethylene glycole): PEG), 폴리에틸렌옥사이드(poly(ethylene oxide): PEO), 및 이들의 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 고분자를 포함하는 고분자 전해질과 상기 고분자 전해질 내에 분산되어 있는 복수의 전도성 입자를 포함하는 전해질을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 고분자 전해질은 겔형 고분자 전해질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 고분자 전해질은 고체형 고분자 전해질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 전도성 입자는 금속 분말, 반도체 산화물, 탄소화합물, 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
6 6
제5항에 있어서, 상기 전도성 입자는 금, 백금, 은, 수은, 구리, 니켈, 철, 알루미늄, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 금속 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
7 7
제5항에 있어서, 상기 전도성 입자는 SnO2, ZnO, Fe2O3, WO3, In2O3, CdSe, CdS, BaTiO3, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군에서 선택되는 반도체 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
8 8
제5항에 있어서, 상기 전도성 입자는 카본블랙, C60, 탄소나노튜브, 흑연, 및 이들의 혼합물로 이루어지는 탄소화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 전도성 입자는 상기 전해질의 총 중량을 기준으로 1 ∼ 30 중량%의 양으로 상기 고분자 전해질 내에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 전도성 입자는 5 ∼ 100 nm의 입경 사이즈를 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
11 11
제1항에 있어서, 상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 ITO(indium tin oxide), FTO (fluorine-doped tin oxide), 표면에 SnO2가 코팅되어 있는 유리 기판, 또는 전도성 고분자 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
12 12
제1항에 있어서, 상기 금속산화물 반도체층은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
13 13
제1항에 있어서, 상기 고분자 전해질은 요오드계 산화-환원종을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
14 14
염료 분자가 흡착된 금속산화물 반도체층을 포함하는 반도체 전극과, 금속층을 포함하는 상대 전극을 각각 준비하는 단계와, 상기 염료 분자가 흡착된 금속산화물 반도체층과 상기 금속층이 이들 사이에 소정 공간을 두고 상호 대향하도록 상기 반도체 전극 및 상기 상대 전극을 정렬하는 단계와, 겔형 고분자 전해질과 상기 겔형 고분자 전해질 내에 균일하게 분산되어 있는 복수의 전도성 입자들로 이루어지는 전해질을 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극과의 사이의 소정 공간 내에 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
15 15
염료 분자가 흡착된 금속산화물 반도체층을 포함하는 반도체 전극과, 금속층을 포함하는 상대 전극을 각각 준비하는 단계와, 액체 전해질 내에 소정의 모노머 유니트들이 용해된 용액과 복수의 전도성 입자들이 혼합된 전해질 조성물을 준비하는 단계와, 상기 염료 분자가 흡착된 금속산화물 반도체층과 상기 금속층이 이들 사이에 소정 공간을 두고 상호 대향하도록 상기 반도체 전극 및 상기 상대 전극을 정렬하는 단계와, 상기 전해질 조성물을 상기 반도체 전극과 상기 상대 전극과의 사이의 소정 공간 내에 주입하는 단계와, 상기 주입된 전해질 조성물 내의 모노머 유니트들을 중합시켜 고체형 고분자 전해질과 상기 고체형 고분자 전해질 내에 균일하게 분산되어 있는 복수의 전도성 입자들로 이루어지는 전해질을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.