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기판(Substrate) 위에 적층된 컬렉터(Collector)층과 에미터(Emitter)층 사이에 에미터 광 흡수층 구조를 구비하는 아발란치 광 검출기에 있어서, 상기 광 흡수층과 상기 컬렉터층 사이에 전하층(Charge Layer), 증폭층(Multiplication Layer) 및 컨택층(Electrode Contact Layer)으로 조합된 아발란치 이득(Avalanche Gain) 구조층을 다중으로 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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제 1 항에 있어서, 상기 에미터 광 흡수층 구조는, 벌크 타입(Bulk - Type)의 단일 물질층, 1000Å 이하의 박막층(Thin Film), 자기 정렬된 양자점 구조층(Self - Assembled Quantum dot), 이중 장벽 양자 우물 구조층 또는 다중 양자 우물 구조를 이용하여 제작된 수직형 양자점 어레이(Array) 구조, 양자선의 어레이 구조중 어느 하나를 이용하여 제작된 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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3
제 1 항에 있어서, 상기 증폭층은 초격자(Superlattice)를 이용하여 제작된 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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4
제 1 항에 있어서, 상기 아발란치 이득 구조층은, 상기 전하층과 상기 컨택층 사이에는 불순물(Impurity)의 확산(Diffusion) 조절을 위한 스페이서층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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5
제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층과 상기 에미터층 사이에는 불순물의 확산 조절을 위한 스페이서층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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6
기판(Substrate) 위에 적층된 컬렉터(Collector)층과 에미터(Emitter)층 사이에 에미터 광 흡수층 구조를 구비하는 아발란치 광 검출기에 있어서, 상기 컬렉터층 위에 형성된 제 1 증폭층(Multiplication Layer); 상기 증폭층 위에 형성된 제 1 전하층(Charge Layer); 및 상기 전하층 위에 형성된 컨택층(Electrode Contact Layer)을 포함하는 제 1 아발란치 이득 구조층: 및 상기 제 1 아발란치 이득 구조층 위에 형성된 제 2 증폭층; 및 상기 제 2 증폭층 위에 형성된 제 제 2 전하층을 포함하는 제 2 아발란치 이득 구조층:을 포함하고, 상기 제 2 아발란치 이득 구조층 위에 상기 에미터 광 흡수층 구조가 적층된 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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7
제 6 항에 있어서, 상기 광 흡수층과 상기 제 2 아발란치 이득 구조층 사이에는 불순물의 확산 조절을 위한 스페이서층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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8
기판(Substrate) 위에 적층된 컬렉터(Collector)층과 에미터(Emitter)층 사이에 에미터 광 흡수층 구조를 구비하는 아발란치 광 검출기에 있어서, 상기 컬렉터층 위에 형성된 제 1 증폭층(Multiplication Layer); 상기 증폭층 위에 형성된 제 1 전하층(Charge Layer); 및 상기 전하층 위에 형성된 컨택층(Electrode Contact Layer)을 포함하는 제 1 아발란치 이득 구조층: 상기 제 1 아발란치 이득 구조층 위에 형성된 제 2 증폭층; 상기 제 2 증폭층 위에 형성된 제 제 2 전하층; 및 상기 제 2 전하층 위에 형성된 컨택을 포함하는 제 2 아발란치 이득 구조층: 및 상기 제 2 아발란치 이득 구조층 위에 형성된 제 3 증폭층; 및 상기 제 3 증폭층 위에 형성된 제 3 전하층을 포함하는 제 3 아발란치 이득 구조층:을 포함하고, 상기 제 3 아발란치 이득 구조층 위에 상기 에미터 광 흡수층 구조가 적층된 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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9
제 6 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 에미터 광 흡수층 구조는, 벌크 타입(Bulk - Type)의 단일 물질층, 1000Å 이하의 박막층(Thin Film), 자기 정렬된 양자점 구조층(Self - Assembled Quantum dot), 이중 장벽 양자 우물 구조층 또는 다중 양자 우물 구조를 이용하여 제작된 수직형 양자점 어레이(Array) 구조, 양자선의 어레이 구조중 어느 하나를 이용하여 제작된 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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10
제 6 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 증폭층, 제 2 증폭층 및 제 3 증폭층은 초격자(Superlattice)를 이용하여 제작된 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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11
제 6 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 아발란치 이득 구조층은, 상기 전하층과 상기 컨택층 사이에는 불순물(Impurity)의 확산(Diffusion) 조절을 위한 스페이서층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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12
제 8 항에 있어서, 상기 광 흡수층과 상기 제 3 아발란치 이득 구조층 사이에는 불순물의 확산 조절을 위한 스페이서층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 아발란치 광 검출기
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13
기판(Substrate) 위에 적층된 컬렉터(Collector)층과 에미터(Emitter)층 사이에 에미터 광 흡수층 구조를 구비하고, 상기 기판과 컬렉터층 사이에 하부 미러(Mirror)층이 형성되고, 상기 에미터층 위에 상부 미러층이 적층된 공동 공진(Resonant Cavity) 아발란치 광 검출기에 있어서, 상기 광 흡수층과 상기 컬렉터층 사이에 전하층(Charge Layer), 증폭층(Multiplication Layer) 및 컨택층(Electrode Contact Layer)으로 조합된 아발란치 이득(Avalanche Gain) 구조층을 다중으로 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 공동 공진 아발란치 광 검출기
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14
제 13 항에 있어서, 상기 다중 아발란치 이득 구조층은, 상기 컬렉터층 위에 형성된 제 1 증폭층(Multiplication Layer); 상기 증폭층 위에 형성된 제 1 전하층(Charge Layer); 및 상기 전하층 위에 형성된 컨택층(Electrode Contact Layer)을 포함하는 제 1 아발란치 이득 구조층: 및 상기 제 1 아발란치 이득 구조층 위에 형성된 제 2 증폭층; 및 상기 제 2 증폭층 위에 형성된 제 제 2 전하층을 포함하는 제 2 아발란치 이득 구조층:을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 공동 아발란치 광 검출기
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15
제 13 항에 있어서, 상기 하부 미러층은, 쿼터 웨이브 리플렉터(Quarter - Wave Reflector)를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 공진 공동 아발란치 광 검출기
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16
제 13 항에 있어서, 상기 상부 미러층은, 유전 다중층(Dielectric Multilayer)을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 공진 공동 아발란치 광 검출기
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17
제 13 항에 있어서, 상기 에미터 광 흡수층 구조는, 벌크 타입(Bulk - Type)의 단일 물질층, 1000Å 이하의 박막층(Thin Film), 자기 정렬된 양자점 구조층(Self - Assembled Quantum dot), 이중 장벽 양자 우물 구조층 또는 다중 양자 우물 구조를 이용하여 제작된 수직형 양자점 어레이(Array) 구조, 양자선의 어레이 구조중 어느 하나를 이용하여 제작된 것을 특징으로 하는 공진 공동 아발란치 광 검출기
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제 13 항에 있어서, 상기 증폭층은 초격자(Superlattice)를 이용하여 제작된 것을 특징으로 하는 공진 공동 아발란치 광 검출기
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제 13 항에 있어서, 상기 아발란치 이득 구조층은, 상기 전하층과 상기 컨택층 사이에는 불순물(Impurity)의 확산(Diffusion) 조절을 위한 스페이서층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 공동 아발란치 광 검출기
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제 13 항에 있어서, 상기 광 흡수층과 상기 에미터층 사이에는 불순물의 확산 조절을 위한 스페이서층을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 공진 공동 아발란치 광 검출기
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