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초고속 반도체 광변조기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015088502
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소자의 정전용량과 접촉저항이 동시에 감소하는 초고속 반도체 광변조기에 관한 것이다.이러한 초고속 반도체 광변조기는, 기판 위에 n형 광도파로층과, 광흡수층, p형 광도파로층, p형 클래드층, 및 p형 옴접촉층이 순차적으로 적층되는 리지(ridge) 구조의 전계흡수형 광변조기에 있어서, 상기 광흡수층의 폭(W3)은 상기 옴접촉층의 폭(W1)보다 작게 형성된다.본 발명에 의하면, 광변조기의 특성저하요소인 접촉저항과 정전용량을 동시에 저감시킬 수 있기 때문에 변조특성이 우수한 수십 기가급의 초고속 광변조가 가능해진다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990039599 (1999.09.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0333482-0000 (2002.04.09)
공개번호/일자 10-2001-0027717 (2001.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20020425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.09.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김제하 대한민국 대전광역시유성구
2 박찬용 대한민국 대전광역시유성구
3 편광의 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.09.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-0113665-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0165668-10
4 의견서
Written Opinion		 2001.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2001-0163688-30
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.07.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0163690-22
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0003800-32
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판 위에 n형 광도파로층과, 광흡수층, p형 광도파로층, p형 클래드층, 및 p형 옴접촉층을 순차적으로 적층하여 구성된 리지(ridge) 구조의 전계흡수형 광변조기에 있어서,

상기 광흡수층의 폭 W3은 상기 p형 옴접촉층의 폭 W1보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 n형 광도파로층과, p형 광도파로층 및 p형 클래드층의 폭 W2는 모두 동일하고, 상기 폭 W2는 상기 p형 옴접촉층의 폭 W1보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 p형 옴접촉층의 폭 W1은 5∼10 μm 인 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 광흡수층의 폭 W3은 1∼3 μm 인 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기

5 5

기판 위에 n형 광도파로층과, 광흡수층, p형 광도파로층, p형 클래드층, 및 p형 옴접촉층을 차례로 적층하여 리지 구조를 형성하는 제 1 단계와;

상기 p형 옴접촉층이 W1의 폭을 가지도록 식각하는 제 2 단계;

상기 n형 광도파로층과 광흡수층과 p형 광도파로층과 p형 클래드층과 p형 옴접촉층이 W2의 폭으로 가지도록 수직 식각하는 제 3 단계; 및

상기 광흡수층이 상기 W1보다 작은 W3의 폭을 가지도록 측면 식각하는 제 4 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기 제조방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 리지 구조의 측면에 유전체 물질을 형성하는 제 5 단계와,

상기 p형 옴접촉층을 노출한 상태로 상기 p형 클래드층 위에 유전체박막을 형성하는 제 6 단계, 및

상기 p형 옴접촉층의 상부와 기판의 하부에 p형 전극과 n형 전극을 형성하는 제 7 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기 제조방법

7 7

제 5 항에 있어서, 상기 제 4 단계는, 폭 W2와 폭 W3의 차이만큼의 폭을 갖는 테스트패턴을 완전히 식각시키는 시간을 계산하여, 그 시간만큼만 선택적 측면 식각하는 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기 제조방법

8 8

제 5 항에 있어서, 상기 폭 W2는 상기 p형 옴접촉층의 폭 W1보다 크거나 같은 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기 제조방법

9 9

제 5 항에 있어서, 상기 광흡수층의 폭 W3은 1∼3 μm 인 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기 제조방법

10 10

제 5 항에 있어서, 상기 p형 옴접촉층의 폭 W1은 5∼10 μm 인 것을 특징으로 하는 초고속 반도체 광변조기 제조방법

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1 US6392781 US 미국 DOCDBFAMILY
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