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T-게이트전극을형성하기위한포토마스크

  • 기술번호 : KST2015088506
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 석영 등의 투명 기판의 일측면에 주마스크와 타측면에 상기 주마스크의 해상력을 증가시키는 보조마스크로 이루어지는데, 상기 주마스크는 투명 기판의 일측면에 크롬(Cr) 또는 산화철(Fe2O3)등과 같은 마스크 패턴 재료나 그밖의 불투명한 물질이 소정 두께로 증착되어 노광 공정시 조사되는 광이 투과되는 것을 방지하는 불투명막과, 이 불투명막이 형성되어 않아 상기 투명 기판이 노출되어 조사되는 광을 동시에 각각 투과시켜 T-게이트전극의 다리 및 머리 부분을 형성하기 위한 제1 및 제2패턴을 가지며, 그리고, 상기 보조 마스크는 투명 기판 타측면의 소정 부분이 소정 깊이로 에칭되어 투과되는 광의 회절 및 간섭이 일어나도록 상기 조사되는 광의 위상을 변화시키지 않고 투과시키는 투과부를 갖는다.따라서, 단일의 포토레지스트층에 1번의 노광 공정과 1번의 현상 공정에 의해 T-게이트전극을 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있으므로 공정을 간단하게 할 수 있으며, 또한, 보조 마스크의 반전부와 투과부를 통과하는 광의 회절 및 보강 간섭에 의해 해상력을 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) G03F 1/20 (2006.01) G03F 1/54 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950024503 (1995.08.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0174881-0000 (1998.11.06)
공개번호/일자 10-1996-0009236 (1996.03.22)
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자
심사청구항수 0
인명정보가 없습니다
행정처리가 정보가 없습니다
청구항 정보가 없습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.