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기둥형바이폴라트랜지스터및그의제조방법

  • 기술번호 : KST2015088507
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기둥형 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판에 형성된 트렌치로 한정되는 제1및 제2기둥에서 에미터영역, 베이스영역 및 콜렉터영역이 형서되는 활성영역이 제1기둥으로 한정되고, 베이스 접속부에 의해 베이스영역과 폴리실리콘 베이스전극의 일부분이 전기적으로 연결되므로 접촉면적을 감소하여 베이스의 회성영역이 증가되는 것을 방지하며, 또한, 트랜지스터의 역방향동작시 콜렉터영역으로 사용되는 고농도의 에미터영역과 베이스영역이 고농도 접합을 이루지 않는다.그리고, 에미터 영역의 상부에 CMP방법으로 자기정렬된 넓은 표면적을 갖는 폴리실리콘 에미터전극을 형성한다. 따라서, 트랜지스터의 활성영역이 제1기둥으로 한정되므로 에미터 및 콜렉터와 베이스 사이의 기생접합 캐패시턴스를 감소시킬 수 있으며, 베이스영역과 폴리실리콘 베이스전극 사이의 접촉면적을 감소시키므로 베이스의 외성영역이 증가되는 것을 방지하여 트렌지스터의 동작특성을 향상시킬 수 있고, 또한, 트랜지스터의 역방향동작시 순방향동작시와 유사한 전류이득을 얻을 수 있다. 그리고, 넓은 표면적을 갖는 폴리실리콘 에미터전극이 에미터영역과 자기정렬되므로 에미터전극을 형성하기 위한 접촉 개구의 형성이 용이하다.
Int. CL H01L 29/70 (2006.01)
CPC H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01)
출원번호/일자 1019950025696 (1995.08.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0149130-0000 (1998.06.02)
공개번호/일자 10-1996-0026933 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   94-35161   |   1994.12.19
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.08.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규홍 대한민국 대전광역시유성구
2 이진효 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 1995.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0107613-15
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0107614-50
3 특허출원서
Patent Application		 1995.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0107612-69
4 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0107615-06
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.24 수리 (Accepted) 1-1-1995-0107616-41
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0107617-97
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1995-0107618-32
8 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0056296-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소자영역을 한정하는 소정 깊이의 트렌치와, 이 트렌치 내에 제1및 제2기둥을 갖는 제1도전형의 반도체기판; 상기 반도체기판 트렌치 내의 제1기둥 하단 주변과 제2가둥의 전영역에 형성된 고농도의 제2도전형의 불순물확산영역; 상기 제1기둥의 상부에 형성된 고농도의 제2도전형의 에미터영역; 상기 제1기둥의 상기 불순물확산영역과 에미터영역의 중간 부분에 형성된 제1도전형의 베이스영역; 상기 제2기둥에 형성된 불순물 확산영역인 고농도의 제2도전형의 싱크; 상기 트렌치 내에 기둥 보다 소정의 깊이 만큼 낮게 매립된 제1도전형의 폴리실리콘 베이스전극; 상기 폴리실리콘 베이스전극과 상기 반도체기판을 전기적으로 격리시키기 위해 상기 트랜치 내에 형성된 제1절연산화막; 상기 베이스영역과 폴리실리콘 베이스전극 사이를 부분적으로 연결하도록 형성된 제1도전형의 베이스 접속부; 상기 에미터영역과 자기정렬되게 형성된 고농도의 제2도전형의 폴리실리콘 에미터전극; 상기 폴리실리콘 에미터전극과 폴리실리콘 베이스전극이 전기적으로 연결되는 것을 방지하는 제2절연산화막; 상기 폴리실리콘 에미터전극, 폴리실리콘 베이스전극 및 싱크의 상부에 형성된 에미터금속전극, 베이스금속전극 및 콜렉터금속전극을 구비하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1및 제2기둥은 직경이 0,3~2μm, 높이가 0

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1절연산화막이 1500~2500Å의 두께로 형성된 기둥형 바이폴라 트랜지스터

4 4

제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 트렌치 및 제2기둥의 측면보다 제1기둥의 측면이 1000~3000Å가 낮게 형성된 기둥형 바이폴라트랜지스터

5 5

제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트랜치 내에 한개 이상의 제1기둥이 형성된 기둥형 바이폴라 트랜지스터

6 6

제1도전형의 실리콘기판에 소자영역을 한정하여 제1및 제2기둥이 형성되도록 트렌치 에칭하는 공정; 상기 제1기둥 하단의 주변영역과 제2기둥에 고농도의 제2도전형의 불순물확산영역과 싱크를 형성하는 공정; 상기 반도체기판의 전면에 제1절연산화막과 제1도전형의 폴리실리콘을 증착힌 후 상기 폴리실리콘을 상기 반도체기판의 에칭되지 않은 부분에 증착된 상기 제1절연산화막이 노출되도록 제거하여 상기 트렌치 내부에 매립하는 공정; 상기 폴리실리콘층을 트렌치 내부의 소정 깊이가 되도록 에칭하여 폴리실리콘 베이스전극을 한정하는 공정; 상기 노출된 제1기둥의 주위의 제1절연산화막을 소정 깊이로 에칭하고, 이 에칭된 부분에 제1도전형의 폴리실리콘을 채워서 베이스 접속부를 형성하는 공정; 상기 반도체고판의 전면에 제2절연산화막과 폴리실리콘을 증착하고 상기 제2절연산하막을 연마중지막으로 이용하여 상기 폴리실리콘을 제거하여 평탄화하는 공정; 상기 제1기둥 상부의 제2산화막을 선택적으로 제거하여 제1기둥의 표면을 노출시키는 공정; 상기 노출된 제1기둥에 제1도전형의 불순물과 제2도전형의 불순물을 순차적으로 이온주입하고 열처리하여 상기 베이스 접속부와 연결되는 제1도전형의 베이스영역과 제2도전형의 에미터영역을 형성하는 공정; 상기 에미터영역의 상부에 이 에미터영역의 표면적 보다 넓은 표면적을 갖고 자기정렬된 제2도전형의 폴리실리콘 에미터전극을 형성하는 공정; 상기 제2절연산화막과 폴리실리콘 에미터전극의 상부에 보호막을 형성한 후 상기 폴리실리콘 베이스전극, 폴리실리콘 에미터전극 및 싱크가 노출되도록 구멍을 형성하고, 전극을 형성하는 공정을 구비하는 기둥형 바이폴라 트렌지스터의 제조방법

7 7

상기 제1기둥의 상부에 상기 트렌치 에칭시 마스크로 이용되는 산화막과 측면에 확산 마스크로 이용되는 산화막을 잔류시키고 상기 제2도전형의 불순물을 확산하여 상기 불순물확산영역 및 싱크를 형성하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

8 8

제7항에 있어서, 상기 불순물매립영겨 및 싱크 형성시 확산 마스크로 사용되는 산화막을 1500~3000Å의 두께로 형성하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

9 9

제6항에 있어서, 상기 제1절연산화막을 연마중지막으로 이용하여 기계화학적 연마(Chimical Mechanical Polishing)방법으로 상기 폴리실리콘을 트렌치 내부에 한정하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

10 10

제6항에 있어서, 상기 노출된 제1기둥의 주위의 제1산화막을 선택적으로 1000~3000Å정도 습식 에칭하고, 이 에칭된 부분에 제1도 전형의 폴리실리콘을 채우는 기둥형 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

11 11

제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트렌치 내에 한개 이상의 제1기둥을 형성하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.