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투명 기판 상부에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상부에 형성된 제1박막과, 상기 제1박막 상부에 형성된 발광층과, 상기 발광층 상부에 형성된 제2박막과, 상기 제2박막 상부에 패턴화되어 형성된 금속 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자의 구조
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제1항에 있어서, 상기 투명 기판은 인듐주석화합물이 얇게 도포되어 형성된 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자의 구조
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제1항에 있어서, 상기 제1박막은 전하 이동 착체 또는 전하 이동 착염으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자의 구조
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4
제1항에 있어서, 상기 제1박막은 스핀 코팅 및 진공 증착 공정 중 어느 한 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자의 구조
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5
제1항에 있어서, 상기 발광층은 유기물 또는 고분자 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자의 구조
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제1항에 있어서, 상기 제2박막은 전하 이동 착체 또는 전하 이동 착염으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자의 구조
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7
제1항에 있어서, 상기 제2박막은 스핀 코팅 및 진공 증착 공정 중 어느 한 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자의 구조
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8
제3항 또는 제6항에 있어서, 상기 전하 이동 착체 또는 전하 이동 착염은 테트라시아풀발렌, 7,7,8,8-테트라시아노-p-퀴노디메탄, 1-메틸-1,4-디시아니움, 테트라메틸테트라셀렌아풀발렌, 비스(에틸렌디시오)-테트라시아풀발렌, 비스(에틸렌디옥소)-테트라시아풀발렌, 디메틸에틸렌시오시아풀발렌, 메틸디시아니움-테트라시아풀발렌 및 엠(디미트)2,비스(테트라-n-부틸암모니움)비스(1,3-디시올-2-시온-4,5-디시오라토)금속, 디메틸-디시아노퀴노이딘, 테트라시아테트라센, 페릴렌 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자의 구조
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9
제공된 투명 기판 상부에 투명 전극을 형성하는 단계와, 상기 투명 전극의 선택된 영역을 식각하여 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패턴된 투명 전극 상부에 제1박막을 형성하는 단계와, 상기 제1박막 상부에 발광층을 형성하는 단계와, 상기 발광층 상부에 제2박막을 형성하는 단계와, 상기 제2박막 상부에 금속 전극을 형성하는 단계와, 상기 금속 전극의 선택된 영역을 식각하여 패턴을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 투명 기판은 인듐주석산화물이 얇게 도포되어 형성된 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1박막은 전하 이동 착체 또는 전하 이동 착염으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1박막은 스핀 코팅 및 진공 증착 공정 중 어느 한 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 발광층은 유기물 또는 고분자 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2박막은 전하 이동 착체 또는 전하 이동 착염으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2박막은 스핀 코팅 및 진공 증착 공정 중 어느 한 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자 제조 방법
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제11항 또는 제14항에 있어서, 상기 전하 이동 착체 또는 전하 이동 착염은 테트라시아풀발렌, 7,7,8,8-테트라시아노-p-퀴노디메탄, 1-메틸-1,4-디시아니움, 테트라메틸테트라셀렌아풀발렌, 비스(에틸렌디시오)-테트라시아풀발렌, 비스(에틸렌디옥소)-테트라시아풀발렌, 디메틸에틸렌시오시아풀발렌, 메틸디시아니움-테트라시아풀발렌 및 엠(디미트)2,비스(테트라-n-부틸암모니움)비스(1,3-디시올-2-시온-4,5-디시오라토)금속, 디메틸-디시아노퀴노이딘, 테트라시아테트라센, 페릴렌 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기물/고분자 발광 소자 제조 방법
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